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公开(公告)号：CN105991047B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201510059354.8
申请日：2015-02-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H02M7/217
Abstract: 本发明公开了一种阈值补偿整流电路，包括N级互补MOS整流单元、互补MOS输出整流单元以及负载电容和负载电阻；每一级互补MOS整流单元都具有第一输入端、第二输入端和输出端；当前级互补MOS整流单元的第一输入端与前一级互补MOS整流单元的输出端相连，第二输入端与第一输入信号或第二输入信号相连，输出端与下一级互补MOS整流单元的第一输入端相连；第一级互补MOS整流单元的第一输入端与地相连；最后一级互补MOS整流单元的输出端与互补MOS输出整流单元的输入端相连；所述互补MOS输出整流单元具有一个输入端和一个输出端，其中，输出端与输出信号相连；所述负载电容的一端与输出信号相连，另一端与地相连；所述负载电阻的一端与输出信号相连，另一端与地相连。
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公开(公告)号：CN108365603A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810190419.6
申请日：2018-03-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于同时采集振动能和热能的能量采集系统，包括：基于电感的同步开关振动能采集单元，用于采集振动能，并将振动能转化为直流电能输出，包含：压电装置；电感L，与压电装置并联；以及传输门，设于压电装置与电感L之间；热能采集单元，用于采集热能，并将热能转化为直流电能输出，与基于电感的同步开关振动能采集单元并联，包含：热电装置；电容C，与热电装置并联；以及NMOS管，设于热电装置与电容C之间、以及电容C与电感L之间；以及控制信号产生单元，产生控制信号，分别控制传输门的通断、以及NMOS管的通断，利用两次LC谐振，实现同时采集振动能和热能并整合输出。该系统可同时采集多种能量源，并进行自启动。
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公开(公告)号：CN102723436A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110076414.9
申请日：2011-03-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的铁电型存储单元、存储器及其制备方法。本发明在铁电绝缘介质层和有机半导体层之间引入了一层用于改善铁电绝缘介质层界面性质的有机绝缘修饰层。该有机绝缘修饰层与有机半导体层之间的界面兼容性好，能够提高有机半导体层在其表面的结晶性，从而提高铁电型存储器的载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN119133087A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411134235.X
申请日：2024-08-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种纳米级硅通孔及其制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；采用Bosch工艺在半导体衬底表面制备纳米级沟槽；采用原子层刻蚀工艺对纳米级沟槽的侧壁进行刻蚀形成光滑的侧壁；采用原子层沉积工艺沉积介电层；采用原子层沉积工艺沉积阻挡层；采用原子层沉积工艺沉积金属层。本发明将博世(Bosch)工艺与精确可控的原子层刻蚀(ALE)技术和原子层沉积(ALD)技术相结合。通过ALE技术降低侧壁表面的粗糙度，消除Bosch工艺产生的scallop从而获得光滑的侧壁，接着使用ALD技术来进行介质层和金属层的完全填充，最终构建性能优异的背面供电网络。该方法有效解决了Bosch工艺带来的scallop以及nano‑TSV均匀填充的问题。
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公开(公告)号：CN115420309B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202211064576.5
申请日：2022-08-31
Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 国网北京市电力公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种传感器、用于传感器的抗电磁干扰接口电路及工作方法，抗电磁干扰接口电路包括：用于采集传感器电容Csen的电荷变化信号并发送至运算放大电路的信号采集电路；运算放大器OA1、运算放大器OA2和运算放大器OA3，运算放大器OA1、运算放大器OA2的正、反输入分别通过一个具备辅助偏置差分管结构的输入电路结构与信号采集电路的输出连接，接收采集传感器电容Csen的电荷变化信号；运算放大器OA1、运算放大器OA2输出分别连接运算放大器OA3的正、反输入。辅助偏置差分管通过控制输入差分管的体电位来辅助OA1和OA2的直流偏置，提高了电路直流工作点的稳定性，降低了电磁干扰对电路造成的偏置影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105991047A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510059354.8
申请日：2015-02-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H02M7/217
Abstract: 本发明公开了一种阈值补偿整流电路，包括N级互补MOS整流单元、互补MOS输出整流单元以及负载电容和负载电阻；每一级互补MOS整流单元都具有第一输入端、第二输入端和输出端；当前级互补MOS整流单元的第一输入端与前一级互补MOS整流单元的输出端相连，第二输入端与第一输入信号或第二输入信号相连，输出端与下一级互补MOS整流单元的第一输入端相连；第一级互补MOS整流单元的第一输入端与地相连；最后一级互补MOS整流单元的输出端与互补MOS输出整流单元的输入端相连；所述互补MOS输出整流单元具有一个输入端和一个输出端，其中，输出端与输出信号相连；所述负载电容的一端与输出信号相连，另一端与地相连；所述负载电阻的一端与输出信号相连，另一端与地相连。
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公开(公告)号：CN105991002A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510058455.3
申请日：2015-02-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H02M1/06
Abstract: 本发明公开了一种CMOS整流二极管电路单元，包括一个PMOS晶体管、一个NMOS晶体管、第一偏置电压源和第二偏置电压源；所述PMOS晶体管的源极与所述第二偏置电压源的负端相连，并一起连接到整流二极管单元的正端，所述PMOS晶体管的栅极与所述第一偏置电压源的负端相连，所述PMOS晶体管的漏极和衬底连接在一起，并与所述NMOS晶体管的漏极和衬底相连；所述NMOS晶体管的源极与所述第一偏置电压源的正端相连，并一起连接到整流二极管单元的负端，所述NMOS晶体管的栅极与所述第二偏置电压源的正端相连。本发明提供的CMOS整流二极管电路单元不仅具有较低的开启电压，而且具有非常低的反向漏电，适用于在超低功耗整流电路中，可有效提高整流电路的效率。
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公开(公告)号：CN103219961B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310123747.1
申请日：2013-04-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种带宽可调的运算放大器电路，该运算放大器电路包括偏置电路、全差分运算放大器主电路和共模反馈电路，其中：偏置电路，用于为全差分运算放大器主电路和共模反馈电路提供与温度和工艺无关的稳定的偏置电流；全差分运算放大器主电路，是两级放大的满摆幅输出结构，用于在偏置电流的作用下提供增益和所需的带宽，并向共模反馈电路输出共模电平；共模反馈电路，用于稳定全差分运算放大器主电路输出的共模电平至一个恒定的电压。本发明的带宽可调的运算放大器电路可以广泛应用于需要工作在多种带宽下的有源滤波器，跨阻放大器等射频和模拟集成电路中，具有功耗低，集成度高，适应多种不同负载情况，配置简单，工作稳定的优点。
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公开(公告)号：CN102790173A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110131034.0
申请日：2011-05-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明实施例公开了一种有机存储器件，包括：衬底；衬底上的下电极；下电极上的第一有机薄膜、第一有机薄膜上的不连续的金属薄膜以及不连续的金属薄膜上的第二有机薄膜，其中，不连续的金属薄膜由岛状金属颗粒形成；第二有机薄膜上的上电极。通过在两层有机薄膜中间形成了不连续的金属薄膜，由于该金属薄膜由岛状金属颗粒形成，通过这些岛状金属颗粒来增强有机薄膜的电荷捕获能力，从而使不具备转变特性或转变特性不好的有机材料具有好的转变特性，从而提高存储器件的存储及数据保持功能。
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公开(公告)号：CN102340288A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201010232826.2
申请日：2010-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03H7/12
Abstract: 本发明涉及一种具有阻抗匹配的射频集成带通滤波器，属于集成电路设计技术领域。它基于CMOS工艺，采用了有源负阻补偿技术，由连接方式相同、结构对称的两个LC谐振回路、两个输入阻抗匹配电路、两个输出阻抗匹配电路以及一个有源负阻补偿电路和两个NMOS尾电流晶体管组成。通过调节变容管的偏置电压，以及调节两个NMOS尾电流晶体管栅极的偏置电压，可以实现对带通滤波器中心频率、通带增益和带宽的调节。本发明的射频带通滤波器，不仅可以采用CMOS工艺进行片上集成，而且具有片上输入输出阻抗匹配电路，无需片外分立器件，大大提高了集成度，为无线接收机的射频前端实现单片集成提供了一种可行方案。
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