公开(公告)号：CN105084305B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201510338283.5

申请日：2015-06-17

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 毛海央 ,  唐力程

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米结构的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成聚合物层；采用等离子体轰击聚合物层，以形成柱状纳米结构；以柱状纳米结构为掩蔽，对衬底进行各向异性刻蚀，以形成锥状纳米结构；去除柱状纳米结构。该方法工艺简单且可控性强，可以批量、并行加工纳米结构，适用于大规模的商业化生产。

公开(公告)号：CN105084305A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510338283.5

申请日：2015-06-17

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 毛海央 ,  唐力程

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米结构的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成聚合物层；采用等离子体轰击聚合物层，以形成柱状纳米结构；以柱状纳米结构为掩蔽，对衬底进行各向异性刻蚀，以形成锥状纳米结构；去除柱状纳米结构。该方法工艺简单且可控性强，可以批量、并行加工纳米结构，适用于大规模的商业化生产。

公开(公告)号：CN104931480A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510338662.4

申请日：2015-06-17

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 毛海央 ,  唐力程

IPC: G01N21/65

Abstract: 本发明公开了一种SERS基底的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成聚合物层；采用等离子体直接对聚合物层进行轰击，以形成柱状纳米结构；覆盖金属层。该方法形成的SERS基底，可以有效增强拉曼散射信号，工艺简单且可控性强，适用于大规模的商业化生产。