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公开(公告)号：CN118969773A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411043120.X
申请日：2024-07-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种nTSV‑BPR电学测试结构及其制备方法，该方法包括如下步骤：提供衬底并对衬底进行刻蚀形成BPR沟道；沉积BPR导电材料以填充BPR沟道；对沉积的BPR导电材料进行刻蚀，形成所需形状的BPR；对衬底中的Si层进行同质外延形成外延Si层，外延Si层对BPR形成覆盖；对外延Si层进行刻蚀，形成纳米硅通孔；在纳米硅通孔表面沉积侧壁介质层；沉积纳米硅通孔导电材料以填充纳米硅通孔，形成nTSV填充层；在nTSV填充层上方进行沉积并刻蚀形成金属导电层。本发明的方法形成的nTSV与BPR的电学互连测试结构，不需要采用键合工艺，避免了晶圆键合造成的晶圆畸变，解决了BPR与nTSV的对准困难问题。
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