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公开(公告)号：CN104228329A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410251369.X
申请日：2014-06-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明的干燥装置和干燥处理方法在短时间内高效率地去除在对基板上的有机材料膜进行干燥的干燥装置的处理容器内残留的溶剂。干燥装置(100)具备能够进行抽真空的处理容器(1)、在处理容器(1)内支承基板(S)的作为支承构件的载置台(3)、向处理容器(1)的内部照射紫外线的紫外线照射装置(5)以及控制部(6)。紫外线照射装置(5)作为溶剂分解单元而发挥功能，其在从处理容器(1)搬出已完成干燥处理的基板(S)之后，将残留在处理容器(1)内的溶剂中包含的有机化合物分解为低分子量的化合物。
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公开(公告)号：CN102224275B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201080003266.1
申请日：2010-04-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种蒸镀头以及具有该蒸镀头的成膜装置，不仅对以往的小型基板还对大型基板也能够使在各个部位的喷射量均等，并且喷射确保均热性的材料气体，从而可以形成均匀的薄膜。蒸镀头被设置在对基板形成薄膜的蒸镀处理内，使材料气体向基板喷出，该蒸镀头具有外侧壳体、和配置在所述外侧壳体内并导入材料气体的内侧壳体，在所述内侧壳体中形成有使材料气体向基板喷射的开口部，在所述外侧壳体的外面或者所述外侧壳体与所述内侧壳体之间，配置有对材料气体进行加热的蒸镀头。
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公开(公告)号：CN101958233B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010229682.5
申请日：2007-10-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02063 , H01J37/32862 , H01L21/02071 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76828
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法是对在表面上形成有含有氧化硅的无机物与含有碳和氟的有机物的复合生成物的基板进行的基板处理方法，其特征在于，包括：对上述基板的表面照射紫外线，除去上述有机物的一部分的紫外线处理工序；在上述紫外线处理工序之后进行，向上述基板的表面供给氟化氢的蒸气，除去上述无机物的至少一部分的氟化氢处理工序；和在上述紫外线处理工序之后进行，通过对上述基板进行加热，使尚未被除去的上述有机物的一部分收缩的加热处理工序。
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公开(公告)号：CN100590834C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200780000265.X
申请日：2007-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , G01N23/225
CPC classification number: G01N23/2251 , G01N2223/611
Abstract: 本发明提供一种基板检查装置，该基板检查装置检查在基板上的由在第一层上叠层与该第一层的组成不同的第二层而形成的叠层结构上，以该第二层的一部分露出的方式而形成的图案的缺陷，其具有：向上述基板上照射1次电子的电子发射单元；检测由上述1次电子的照射而生成的2次电子的电子检测单元；对由上述电子检测单元检测出的2次电子的数据进行处理的数据处理单元；和控制上述1次电子的加速电压的电压控制单元，其中，上述电压控制单元控制加速电压，使上述1次电子在露出上述第二层的部分，到达上述第一层与上述第二层的界面附近以外的上述第一层或上述第二层中。
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公开(公告)号：CN101405855A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009926.5
申请日：2007-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67207 , G01N21/3103 , G01N21/68 , H01J49/0463
Abstract: 本发明公开的分析装置，包括：第一处理部，其通过照射紫外线，除去在基板上形成的覆盖膜；第二处理部，其向基板的表面供给溶解液，使基板上的分析对象物质溶解；和第三处理部，其对第二工序中使用的溶解液中的分析对象物质进行分析。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1867818A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480029726.2
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67303 , G01N1/32 , H01L21/67288 , H01L21/67326
Abstract: 本发明提供一种检测辅助装置(3)，其用于，使半导体处理装置的石英制棒状部件(21)的检测对象部分接触由蚀刻液组成的处理液，然后分析处理液，测定在检测对象部分中含有的金属杂质的检测。棒状部件(21)具有位于夹持检测对象部分的一对凹部(22)。检测辅助装置(3)具有，与一对凹部结合的一对端板(32)、连接一对端板的框架(30)和在一对端板间设置的液体接受部(31)。液体接受部(31)贮留处理液，并具有使检测对象部分与处理液接触的尺寸。
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公开(公告)号：CN1716462A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510077852.1
申请日：2002-05-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大成建设株式会社 , 日立电线株式会社
Abstract: 本发明提供了一种聚氯乙烯类树脂组合物铠装电线及铠装电缆，抑制了AMC的产生，这种电线和电缆尤其适合于在以半导体、液晶设备等的制造为目的的洁净室内使用，具有由聚氯乙烯类树脂组合物形成的覆盖层，其中，所述聚氯乙烯类树脂组合物含有聚氯乙烯类树脂、以及从钙皂、锌皂、和水滑石中选出的一种或者两种以上的化合物，并且，不含铅化合物、以及熔点为100℃以下的β－二酮化合物中的任何一种。
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公开(公告)号：CN1606145A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410080756.8
申请日：2004-10-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J2237/0048 , H01L21/67028
Abstract: 本发明提供一种防止微粒附着装置，为了防止在基板处理工序的装置内的微粒附着在基板上，在利用离子发生装置使微粒带电的同时，利用直流电源将与带电微粒同极性的直流电压施加在基板上。而且，在将气体导入基板处理工序的真空处理室的上下电极之间，将高频电压施加在上下电极上生成等离子体时，以多阶段顺序施加高频电压。即，在最初步骤中，将能够等离子体点火的最小限度的高频电压施加在上下电极上，生成最小限度等离子体，然后，分阶段地增加所施加电压，生成规定的等离子体。
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公开(公告)号：CN1513189A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN02811026.9
申请日：2002-05-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大成建设株式会社 , 日立电线株式会社
Abstract: 本发明提供了一种聚氯乙烯类树脂组合物铠装电线及铠装电缆，抑制了AMC的产生，这种电线和电缆尤其适合于在以半导体、液晶设备等的制造为目的的洁净室内使用，具有由聚氯乙烯类树脂组合物形成的覆盖层，其中，所述聚氯乙烯类树脂组合物含有聚氯乙烯类树脂、以及从钙皂、锌皂、和水滑石中选出的一种或者两种以上的化合物，并且，不含铅化合物、以及熔点为100℃以下的β－二酮化合物中的任何一种。
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公开(公告)号：CN114628279A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111461609.5
申请日：2021-12-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供观察装置、减压干燥装置、显示方法和存储介质。本发明要解决的技术问题是提高减压干燥处理中的基片的拍摄结果的便利性。本发明的观察装置包括：拍摄部，其用于对减压干燥处理中的基片进行拍摄，所述减压干燥处理用于使所述基片上的溶液在减压下进行干燥；和获取部，其用于将所述减压干燥处理中的各时刻的、由所述拍摄部拍摄得到的基片图像和用于进行所述减压干燥处理的减压干燥装置的与所述减压干燥处理相关的状态，与该时刻的时刻信息一起获取。
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