基片处理装置和基片温度测量方法

    公开(公告)号:CN110571167A

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201910432519.X

    申请日:2019-05-23

    Abstract: 本发明提供一种容易地测量基片温度的技术,实施方式的基片处理装置包括热处理部和温度测量部。热处理部对被平流地输送的基片进行热处理。温度测量部具有测量基片的温度的辐射温度计,并且能够相对于热处理部拆装。另外,温度测量部包括能够相对于上述热处理部拆装的安装部,该安装部与辐射温度计隔开间隔且具有透射红外线的透射窗。

    辅助曝光装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107193185A

    公开(公告)日:2017-09-22

    申请号:CN201710149843.1

    申请日:2017-03-14

    Abstract: 本发明提供一种能够提高曝光解像度的辅助曝光装置。本实施方式的辅助曝光装置配置在对被处理基板进行曝光处理的曝光装置的前级侧或者后级侧,对被处理基板进行局部曝光处理,包括搬送部和光源单元。搬送部将被处理基板在扫描方向上搬送。光源单元对在扫描方向上被搬送的被处理基板,照射以与扫描方向交叉的方向为长边方向的线状的光。另外,光源单元构成为包含将多个可动式微反射镜排列而成的数字微反射镜器件。

    辅助曝光装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107193185B

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN201710149843.1

    申请日:2017-03-14

    Abstract: 本发明提供一种能够提高曝光解像度的辅助曝光装置。本实施方式的辅助曝光装置配置在对被处理基板进行曝光处理的曝光装置的前级侧或者后级侧,对被处理基板进行局部曝光处理,包括搬送部和光源单元。搬送部将被处理基板在扫描方向上搬送。光源单元对在扫描方向上被搬送的被处理基板,照射以与扫描方向交叉的方向为长边方向的线状的光。另外,光源单元构成为包含将多个可动式微反射镜排列而成的数字微反射镜器件。

    观察装置、减压干燥装置、显示方法和存储介质

    公开(公告)号:CN114628279A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202111461609.5

    申请日:2021-12-02

    Abstract: 本发明提供观察装置、减压干燥装置、显示方法和存储介质。本发明要解决的技术问题是提高减压干燥处理中的基片的拍摄结果的便利性。本发明的观察装置包括:拍摄部,其用于对减压干燥处理中的基片进行拍摄,所述减压干燥处理用于使所述基片上的溶液在减压下进行干燥;和获取部,其用于将所述减压干燥处理中的各时刻的、由所述拍摄部拍摄得到的基片图像和用于进行所述减压干燥处理的减压干燥装置的与所述减压干燥处理相关的状态,与该时刻的时刻信息一起获取。

    基片处理装置
    9.
    实用新型

    公开(公告)号:CN210156353U

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201920746442.9

    申请日:2019-05-23

    Abstract: 本实用新型提供一种容易地测量基片温度的基片处理装置,其包括热处理部和温度测量部。热处理部对被平流地输送的基片进行热处理。温度测量部具有测量基片的温度的辐射温度计,并且能够相对于热处理部拆装。另外,温度测量部包括能够相对于上述热处理部拆装的安装部,该安装部与辐射温度计隔开间隔且具有透射红外线的透射窗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

Patent Agency Ranking