公开(公告)号：CN110571167A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910432519.X

申请日：2019-05-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐田彻也 ,  麻生丰 ,  鬼塚靖之 ,  佐竹顺 ,  下田贵弘

IPC: H01L21/67 ,  G01J5/00

Abstract: 本发明提供一种容易地测量基片温度的技术，实施方式的基片处理装置包括热处理部和温度测量部。热处理部对被平流地输送的基片进行热处理。温度测量部具有测量基片的温度的辐射温度计，并且能够相对于热处理部拆装。另外，温度测量部包括能够相对于上述热处理部拆装的安装部，该安装部与辐射温度计隔开间隔且具有透射红外线的透射窗。

公开(公告)号：CN210156353U

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201920746442.9

申请日：2019-05-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐田彻也 ,  麻生丰 ,  鬼塚靖之 ,  佐竹顺 ,  下田贵弘

IPC: H01L21/67 ,  G01J5/00

Abstract: 本实用新型提供一种容易地测量基片温度的基片处理装置，其包括热处理部和温度测量部。热处理部对被平流地输送的基片进行热处理。温度测量部具有测量基片的温度的辐射温度计，并且能够相对于热处理部拆装。另外，温度测量部包括能够相对于上述热处理部拆装的安装部，该安装部与辐射温度计隔开间隔且具有透射红外线的透射窗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利