公开(公告)号：CN109307983A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201810735125.7

申请日：2018-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑盛骏 ,  申铉振 ,  金尚元 ,  朴晟准 ,  薛珉洙 ,  李东郁 ,  李润姓 ,  A.郑

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/56

Abstract: 提供用于光掩模的表膜组合物和表膜、形成该表膜的方法、掩模版、曝光设备和制造器件的方法，所述用于光掩模的表膜由所述表膜组合物形成。所述表膜组合物包括：选自石墨烯量子点和石墨烯量子点前体的至少一种，所述石墨烯量子点具有约50nm或更小的尺寸；和溶剂。

公开(公告)号：CN108987463A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201711443416.0

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  申铉振 ,  赵连柱 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  李润姓

IPC: H01L29/16

CPC classification number: H01L29/1606 ,  C01B32/186 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/3065 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66015

Abstract: 本公开提供了包括石墨烯的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件包括基板和石墨烯层。基板包括绝缘体和半导体。石墨烯层生长在半导体的表面上。半导体包括IV族材料和III-V族化合物中的至少一种。公开了一种制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104103671B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201410175362.4

申请日：2014-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  D·许 ,  禹轮成 ,  李东郁 ,  李载昊 ,  郑现钟 ,  许镇盛 ,  柳寅敬

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78684 ,  H01L31/028 ,  H01L31/08 ,  H01L33/34 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0504 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/057 ,  H01L51/428 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。

公开(公告)号：CN105489660B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201510647147.4

申请日：2015-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰豪 ,  金尚元 ,  朴晟准 ,  李相旻

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L27/32 ,  A61B5/024

CPC classification number: H01L51/0097 ,  A61B5/02427 ,  A61B5/6826 ,  H01L27/3225 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5225 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/558 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供能伸长的光电子器件、其制造方法、包括其的装置、发光器件、传感器系统和传感器电路。能伸长的和/或能折叠的光电子器件可包括在基底上的光电子器件部分。所述基底可包括弹性体聚合物并且可为能伸长的。所述光电子器件部分可配置成具有波状结构以便为能伸长的。所述光电子器件部分可包括石墨烯层和含有量子点(QD)的层。所述能伸长的和/或能折叠的光电子器件可进一步包括包含弹性体聚合物并且在所述光电子器件部分上的封盖层。所述能伸长的和/或能折叠的光电子器件可进一步包括与所述光电子器件部分的至少一个表面接触的塑料材料层。

公开(公告)号：CN107017333A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610868492.5

申请日：2016-09-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 金圣雄 ,  金恩声 ,  黃在烈 ,  朴晟准 ,  申铉振

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/16

CPC classification number: H01L35/16 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L35/10 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34

Abstract: 公开热电结构体、热电器件和其制造方法。可包括在热电器件中的热电结构体可包括薄膜结构体，所述薄膜结构体可包含多个薄膜层。所述薄膜结构体可包括碲。所述薄膜结构体可在基底上。所述基底可包括氧化物，且缓冲层可在所述基底和所述薄膜结构体之间。所述热电结构体可经由将从靶烧蚀的材料沉积到所述基底上而制造。一些材料可与所述基底反应以形成所述缓冲层，和薄膜层可形成于所述缓冲层上。可将所述薄膜层从所述基底除去并且提供在单独的基底上。将所述薄膜层从所述基底除去可包括将所述薄膜层从所述缓冲层除去。

公开(公告)号：CN106340442A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610397903.7

申请日：2016-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑盛骏 ,  朴晟准 ,  李润姓

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/042 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/467 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/66037 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0045 ,  Y10S977/755 ,  Y10S977/888

Abstract: 本发明提供了形成石墨烯纳米图案的方法、包含石墨烯的装置以及制造该包含石墨烯的装置的方法。形成石墨烯纳米图案的方法可以包括在基板上形成石墨烯层、在石墨烯层上和基板的被暴露在石墨烯层的至少一侧上的区域上形成嵌段共聚物层、通过去除嵌段共聚物的多个第一区和多个第二区之一而由嵌段共聚物层形成掩模图案，和通过使用掩模图案作为蚀刻掩模将石墨烯层图案化成纳米级。嵌段共聚物层可以形成为直接接触石墨烯层。嵌段共聚物层可以形成为直接接触基板结构的暴露在石墨烯层的至少一侧上的区域。

公开(公告)号：CN106230305A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610379613.X

申请日：2016-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  朴晟准

IPC: H02N1/04

CPC classification number: H02N1/04

Abstract: 示例实施方式涉及摩擦电发电机，该摩擦电发电机包括：第一电极和面对第一电极的摩擦电材料层；和自组装单层，在第一电极和摩擦电材料层之间并与第一电极的表面或摩擦电材料层的表面结合。根据要被结合的材料，自组装单层由包括硅烷基团、硅醇基团或硫醇基团的材料形成或包括具有硅烷基团、硅醇基团或硫醇基团的材料。

公开(公告)号：CN106169502A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610149522.7

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  金海龙 ,  申铉振 ,  南胜杰 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/28512 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供包括金属-二维材料-半导体接触的半导体器件。一种半导体器件包括半导体层、电接触半导体层的金属层、以及在半导体层与金属层之间并具有二维晶体结构的二维材料层。

公开(公告)号：CN106057880A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201510737327.1

申请日：2015-11-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 罗昌皓 ,  刘元钟 ,  F.阿梅德 ,  杨政 ,  刘晓迟 ,  朴晟准 ,  李载昊

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/467 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/772 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66409 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

Abstract: 电子器件包括具有带隙的二维(2D)材料层。该2D材料层包括两个多层2D材料区域和在其间的沟道区。第一电极电接触其中一个多层2D材料层，第二电极电接触另一个多层2D材料层。

公开(公告)号：CN105489660A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510647147.4

申请日：2015-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰豪 ,  金尚元 ,  朴晟准 ,  李相旻

IPC: H01L31/0203 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/06 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L51/0097 ,  A61B5/02427 ,  A61B5/6826 ,  H01L27/3225 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5225 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/558 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L33/06 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035236 ,  H01L33/56

Abstract: 提供能伸长的光电子器件、其制造方法、包括其的装置、发光器件、传感器系统和传感器电路。能伸长的和/或能折叠的光电子器件可包括在基底上的光电子器件部分。所述基底可包括弹性体聚合物并且可为能伸长的。所述光电子器件部分可配置成具有波状结构以便为能伸长的。所述光电子器件部分可包括石墨烯层和含有量子点(QD)的层。所述能伸长的和/或能折叠的光电子器件可进一步包括包含弹性体聚合物并且在所述光电子器件部分上的封盖层。所述能伸长的和/或能折叠的光电子器件可进一步包括与所述光电子器件部分的至少一个表面接触的塑料材料层。