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公开(公告)号：CN118946427A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202380030548.8
申请日：2023-03-15
Applicant: 株式会社东京精密
IPC: B23K26/042
Abstract: 提供能够准确掌握激光的状态的变化而维持激光加工的品质的激光的光轴调整方法及装置。激光的光轴调整方法利用在从激光源朝向被加工物输出的激光的光路上的至少两处的检测部位配置的位置检测传感器，来检测激光的位置，并基于检测到的激光的位置，来调整激光的光路上的至少两处的光学元件的位置及角度中的至少一方而进行激光的光轴调整。
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公开(公告)号：CN118926676A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410561022.9
申请日：2024-05-08
Applicant: 株式会社东京精密
Inventor： 金城裕介
Abstract: 本发明提供一种能够使激光的聚光点切实地与工件的激光照射面的检测结果随动的激光照射装置和方法以及激光加工装置。激光照射方法包括：从被设置为能够与激光照射部(22)一起在主扫描方向上移动并且被设置在相对于激光照射部在副扫描方向上先行的位置处的测长部(24)，使测距用激光聚光于照射预定线，来检测工件的激光照射面的高度位置的步骤，该照射预定线是比照射线在副扫描方向上先行的照射线；以及基于从通过测长部检测出的工件的激光照射面的高度位置的检测结果中获取的照射预定线信息，在将照射预定线作为新的照射预定线而从激光照射部照射激光时，控制从激光照射部照射的激光的聚光点的高度位置的步骤。
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公开(公告)号：CN117425953B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202280039695.7
申请日：2022-05-09
Applicant: 株式会社东京精密
Abstract: 提供一种能更正确地预测探针的前端位置的探测器控制装置、探测器控制方法以及探测器。在使探针与半导体芯片接触的探测器控制装置中，具备：输入数据取得部，取得包括探针卡以及卡保持架的至少一方的温度数据在内的输入数据；预测部，基于输入数据取得部取得的输入数据，使用将输入数据作为输入且将探针的前端位置作为输出的预测模型，预测探针的前端位置；和决定部，在预测部的预测前，基于在预测模型的机器学习中用作教示数据的输入数据和输入数据取得部取得的输入数据，决定可否执行预测部所进行的预测。
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公开(公告)号：CN118871234A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202280093662.0
申请日：2022-08-19
Applicant: 株式会社东京精密
Abstract: 在本发明的刀架装配状态检测方法中，在设置时，在没有卡盘错误的状态下将刀架11装配于主轴26，在开始工具9的旋转之后，开始对形成于凸缘部11B的切口11C进行计数，存储从最后检测出的切口11C起到得到测定数据为止的时间T和到此为止的计数值N，在加工时，以与设置时相同的步骤使计数值N以及时间T一致而得到测定数据，因此与传感器方式、切口数、形状精度以及环境等无关地，能够简单且高精度地使设置时和加工时的测定数据的相位一致，提高卡盘错误的检测精度。
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公开(公告)号：CN113302720B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202080009605.0
申请日：2020-01-20
Applicant: 株式会社东京精密
Inventor： 宫成代三
IPC: H01L21/304 , H01L21/677
Abstract: 本发明在不会对晶圆造成损伤的情况下，缩短从剥离作业起到利用交接装置输送至单片清洗部为止的时间，整体上提高效率。在晶圆剥离清洗装置中，晶圆剥离单片部(100)具有第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)、止倒板(214)以及在止倒板(214)的上部形成有狭缝(216a)的取出两张防止板(216)，交接装置(118)具有交接用吸盘(300)和压力开关，该压力开关对由交接用吸盘(300)吸附保持晶圆(W)的情形进行检测，根据压力开关的检测信号，解除第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)的真空吸附，并且使交接用吸盘(300)的后退以及第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)的下降开始。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118661070A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202380020586.5
申请日：2023-02-01
Applicant: 株式会社东京精密
IPC: G01B11/24 , G01B9/02055
Abstract: 本发明的第一目的在于提供能够与设置环境温度无关地以低成本使测定光路长度与参照光路长度高精度地一致的三维形状测定装置以及三维形状测定装置的参照面位置调整方法，第二目的在于提供能够切换基于WLI方式的被测定面的三维形状测定与基于FV方式的被测定面的三维形状测定的三维形状测定装置以及三维形状测定装置的测定模式切换方法。为了达成第一目的，具备根据温度变化而使参照光路长度变化的保持件(24)以及将保持件(24)的温度调整为目标温度的温度调整部(26)。为了达成第二目的，具备调整保持件(24)的温度的温度调整部(26)以及控制温度调整部(26)而能够选择性地切换为使参照光路长度与测定光路长度一致的第一测定模式以及与测定光路长度不同的第二测定模式的温度控制部(100)。
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公开(公告)号：CN118595925A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410247725.4
申请日：2024-03-05
Applicant: 株式会社东京精密
Inventor： 坂本拓贵
Abstract: 本发明的课题在于提供一种磨削装置，其能够在不降低晶圆磨削加工的作业效率的情况下简单地测定晶圆整个面的厚度和形状。形成下述的结构，其中测定机构(16)在与旋转台(12)一起运动的晶圆中心(O)的假想线(T)上且不对旋转砂轮(14)干涉的位置设置测定位置(P3)，具有形状测定机构(20)，该形状测定机构(20)在旋转台(12)与晶圆(W)一起旋转的同时从磨削位置(P2)运动到非磨削位置(P1)的期间，测定晶圆W的半径方向的厚度形状和圆周方向的厚度分布。
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公开(公告)号：CN118595924A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410247705.7
申请日：2024-03-05
Applicant: 株式会社东京精密
Inventor： 八木隆之
Abstract: 本发明的课题在于提供一种加工装置，其能够在不降低晶圆磨削加工的作业效率的情况下，简单地测定晶圆整个面的厚度和形状，并且在产生次品时自动检测，能够防患于产品不良的大量发生。形成下述的结构，其中上述测定机构(16)包括：形状测定机构(20)，该形状测定机构(20)在晶圆W磨削加工中或磨削加工后，使晶圆(W)的测定位置(P3)沿晶圆(W)的半径方向位移来测定晶圆(W)的厚度分布；判定机构(17A)，该判定机构(17A)根据由形状测定机构(20)测定的晶圆(W)的厚度分布来判定晶圆(W)的形状的正确与否；以及控制部(17B)，该控制部(17B)根据判定机构(17)的判定结果，停止晶圆(W)的磨削。
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公开(公告)号：CN118455759A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410104506.0
申请日：2024-01-25
Applicant: 株式会社东京精密
Inventor： 新井裕介
IPC: B23K26/38 , B23K26/70 , B23K26/402
Abstract: 本发明的课题是提供一种能够实时评价对被加工物的激光加工的加工状态的激光加工装置及激光加工方法。解决手段是执行激光加工的激光加工装置(10)，所述激光加工通过在使激光头(16)相对于被加工物如晶片(W)相对移动的同时，以向被加工物的内部对准聚光点的方式从激光头(16)向被加工物照射激光(L)，从而沿着被加工物的迹道在被加工物的内部形成激光加工区域(SP1、SP2)，该激光加工装置(10)具备：检测传感器如光电二极管(20，36)，在激光加工过程中，检测在由激光头聚光到被加工物的内部的激光的加工点产生的等离子体光；以及评价部(48)，在激光加工过程中，基于检测传感器的检测信号来评价激光加工区域的加工状态。
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公开(公告)号：CN118355479A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280079960.4
申请日：2022-09-30
Applicant: 株式会社东京精密
Inventor： 长岛秀明
IPC: H01L21/66 , G01R31/26 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供能够不招致检查的吞吐量的下降地有效降低由在各层级产生的振动引起的影响的探测器用的壳体以及应用了该壳体的探测器。具有多个测定部(30)呈多层层叠而成的层级构造的探测器用的壳体(1)具备：地板基座(10)，其构成层级构造的各层级的地板面；以及侧部框架体(20)，其配置于多个层级中的一个层级的地板基座(10)与位于一个层级的上层的另一层级的地板基座(10)之间，并位于测定部(30)的两侧部，侧部框架体(20)具有：第一侧部框架(21)，其立起设置于一个层级的地板基座(10)，并对另一层级的地板基座的下表面侧进行支承；以及第二侧部框架(22)，其在与第一侧部框架(21)不同的位置立起设置于一个层级的地板基座(10)，并对配置于测定部(30)的测定部构成构件进行支承。
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