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公开(公告)号：CN119328914A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410965514.4
申请日：2024-07-18
Applicant: 株式会社东京精密
Inventor： 宫成代三
Abstract: 本发明提供一种晶片剥离清洗装置，能够降低崩边等不良的产生频度、提高处理能力、或者提高单片化后的晶片的品质。该剥离清洗装置将从晶锭切出而形成为批量状态的晶片逐片地从切片基座剥离而单片化，并对剥离后的晶片进行单片清洗，其具备：剥离用吸附垫，对晶片的一侧的表面进行吸附保持；以及至少一个空气供给部，构成为能够以沿着晶片的表面且从切片基座侧朝向晶片侧的方式吹送空气，空气供给部构成为，在将被吸附保持的晶片设为第一片晶片时，向第一片晶片和与第一片晶片相邻的第二片晶片之间以及第二片晶片以后依次相邻的晶片彼此之间吹送空气，向第一片晶片与第二片晶片之间吹送的空气比向第二片以后的晶片彼此之间吹送的空气强。
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公开(公告)号：CN113646872A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201980089387.3
申请日：2019-02-08
Applicant: 株式会社东京精密
Inventor： 宫成代三
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明在不会对晶圆造成损伤的情况下，缩短从剥离作业起到利用交接装置输送至单片清洗部为止的时间，整体上提高效率。在晶圆剥离清洗装置中，晶圆剥离单片部(100)具有第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)、止倒板(214)以及在止倒板(214)的上部形成有狭缝(216a)的取出两张防止板(216)，交接装置(118)具有交接用吸盘(300)和压力开关，该压力开关对由交接用吸盘(300)吸附保持晶圆(W)的情形进行检测，根据压力开关的检测信号，解除第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)的真空吸附，并且使交接用吸盘(300)的后退以及第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)的下降开始。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113646872B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201980089387.3
申请日：2019-02-08
Applicant: 株式会社东京精密
Inventor： 宫成代三
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明在不会对晶圆造成损伤的情况下，缩短从剥离作业起到利用交接装置输送至单片清洗部为止的时间，整体上提高效率。在晶圆剥离清洗装置中，晶圆剥离单片部(100)具有第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)、止倒板(214)以及在止倒板(214)的上部形成有狭缝(216a)的取出两张防止板(216)，交接装置(118)具有交接用吸盘(300)和压力开关，该压力开关对由交接用吸盘(300)吸附保持晶圆(W)的情形进行检测，根据压力开关的检测信号，解除第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)的真空吸附，并且使交接用吸盘(300)的后退以及第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)的下降开始。
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公开(公告)号：CN113302720A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202080009605.0
申请日：2020-01-20
Applicant: 株式会社东京精密
Inventor： 宫成代三
IPC: H01L21/304 , H01L21/677
Abstract: 本发明在不会对晶圆造成损伤的情况下，缩短从剥离作业起到利用交接装置输送至单片清洗部为止的时间，整体上提高效率。在晶圆剥离清洗装置中，晶圆剥离单片部(100)具有第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)、止倒板(214)以及在止倒板(214)的上部形成有狭缝(216a)的取出两张防止板(216)，交接装置(118)具有交接用吸盘(300)和压力开关，该压力开关对由交接用吸盘(300)吸附保持晶圆(W)的情形进行检测，根据压力开关的检测信号，解除第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)的真空吸附，并且使交接用吸盘(300)的后退以及第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)的下降开始。
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公开(公告)号：CN119381292A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411351060.8
申请日：2020-01-20
Applicant: 株式会社东京精密
Inventor： 宫成代三
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明在不会对晶圆造成损伤的情况下，缩短从剥离作业起到利用交接装置输送至单片清洗部为止的时间，整体上提高效率。在晶圆剥离清洗装置中，晶圆剥离单片部(100)具有第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)、止倒板(214)以及在止倒板(214)的上部形成有狭缝(216a)的取出两张防止板(216)，交接装置(118)具有交接用吸盘(300)和压力开关，该压力开关对由交接用吸盘(300)吸附保持晶圆(W)的情形进行检测，根据压力开关的检测信号，解除第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)的真空吸附，并且使交接用吸盘(300)的后退以及第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)的下降开始。
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公开(公告)号：CN119328912A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410965115.8
申请日：2024-07-18
Applicant: 株式会社东京精密
Inventor： 宫成代三
Abstract: 本发明提供一种晶片剥离清洗装置，能够降低崩边等不良的产生频度、提高处理能力、或者提高单片化后的晶片的品质。该晶片剥离清洗装置将从晶锭切出而形成为批量状态的晶片逐片地从切片基座剥离而单片化，对剥离后的上述晶片进行单片清洗，其中，该晶片剥离清洗装置具备：剥离单元，包含对上述晶片进行保持并将上述晶片从上述切片基座剥离的臂；以及负荷检测部，对上述臂的负荷进行检测，上述负荷检测部至少对上述晶片的从上述切片基座剥离时的上述负荷进行检测。
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公开(公告)号：CN113302720B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202080009605.0
申请日：2020-01-20
Applicant: 株式会社东京精密
Inventor： 宫成代三
IPC: H01L21/304 , H01L21/677
Abstract: 本发明在不会对晶圆造成损伤的情况下，缩短从剥离作业起到利用交接装置输送至单片清洗部为止的时间，整体上提高效率。在晶圆剥离清洗装置中，晶圆剥离单片部(100)具有第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)、止倒板(214)以及在止倒板(214)的上部形成有狭缝(216a)的取出两张防止板(216)，交接装置(118)具有交接用吸盘(300)和压力开关，该压力开关对由交接用吸盘(300)吸附保持晶圆(W)的情形进行检测，根据压力开关的检测信号，解除第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)的真空吸附，并且使交接用吸盘(300)的后退以及第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)的下降开始。
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