公开(公告)号：CN101238555A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200680022317.9

申请日：2006-06-20

申请人： 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

发明人： 大见忠弘

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L23/49894 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种低介电常数且不会产生CFx、SiF4等气体的、稳定的半导体装置的层间绝缘膜和具备该层间绝缘膜的布线结构。在具备形成在基底层上的绝缘膜的层间绝缘膜中，所述层间绝缘膜的有效介电常数为3以下。布线结构具备层间绝缘膜和形成在层间绝缘膜上的接触孔以及被填充在所述接触孔内的金属。所述绝缘膜具备形成在所述基底层上的第1碳氟膜和形成在所述第1碳氟膜上的第2碳氟膜。

公开(公告)号：CN101151721A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010595.2

申请日：2006-03-28

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 西田辰夫 ,  中西敏雄 ,  石塚修一 ,  中山友绘 ,  藤野丰

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28211 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

摘要： 本发明提供一种栅极绝缘膜的制造方法，该栅极绝缘膜的制造方法包括在等离子体处理装置的处理室内、使含氧等离子体作用于被处理体表面的硅以形成硅氧化膜的氧化处理工序，氧化处理工序中的处理温度大于600℃小于等于1000℃，含氧等离子体是通过将至少包含稀有气体和氧气的含氧处理气体导入上述处理室内、并且经由天线将高频或者微波导入该处理室内而形成的含氧处理气体的等离子体。

公开(公告)号：CN101151717A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010825.5

申请日：2006-02-16

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 考利·瓦吉达 ,  井下田真信 ,  格特·莱乌辛克

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56

摘要： 本发明提供了一种在衬底上制备用于高介电常数电介质层的界面层的方法。将所述衬底的表面暴露于氧自由基以形成氧化物膜，所述氧自由基通过第一处理气体的紫外(UV)辐射诱导解离而形成，所述第一处理气体包含至少一种包含氧的分子组合物。将氧化物膜暴露于氮自由基以氮化所述氧化物，从而形成界面层，所述氮自由基通过第二处理气体的等离子体诱导解离而形成，所述第二处理气体包含至少一种包含氮的分子组合物。高介电常数电介质层形成在所述界面层上。

公开(公告)号：CN100373560C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN03813333.4

申请日：2003-03-28

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 松山征嗣 ,  菅原卓也 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28167 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833

摘要： 一种基板处理方法，通过微波等离子体氮化处理氮化在硅基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，可避免损伤氧氮化膜，抑制硅基板和氧氮化膜的界面处的氧化膜的再生长，使氧化膜换算膜厚减少。所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：将所述微波激励等离子体的电子温度设定为2eV以下，将保持所述被处理基板的处理空间中的氧滞留时间设定为2秒以下。

公开(公告)号：CN101124664A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200680004568.4

申请日：2006-02-14

申请人： 国际商业机器公司 ,  索尼株式会社

发明人： 山·V.·阮 ,  莎拉·L.·莱恩 ,  李加 ,  井田健作 ,  达里尔·D.·拉斯坦诺 ,  野上武史

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  H01L2221/1047

摘要： 提供了一种多孔的低k或超低k电介质膜，包括以共价键三维网络结构存在的Si、C、O和H(下面称为“SiCOH”)，具有低于大约3.0的介电常数，并具有比现有技术的SiCOH电介质更高程度的晶体键相互作用、更多作为甲基端基的碳和更少的亚甲基(－CH2－)交联基。该SiCOH电介质的特征在于，其FTIR谱包括小于大约1.40的CH3+CH2伸展的峰面积、小于大约0.20的SiH伸展的峰面积、大于大约2.0的SiCH3键合的峰面积以及大于大约60％的Si－O－Si键合的峰面积，并且该SiCOH电介质的孔隙率大于大约20％。

公开(公告)号：CN100365796C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN02815546.7

申请日：2002-08-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 村川惠美 ,  松下实 ,  尾﨑成则

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831

摘要： 通过蚀刻，形成穿过由多孔硅氧化膜构成的第二绝缘层(13)和第三绝缘层(14)而成为连接孔(21)的一部分的孔。另外，采用第二阻挡膜(20)，通过蚀刻，在第三绝缘层(14)上形成第二槽(23)。另外，在连接孔(21)和第二槽(23)的侧壁上，采用RLSA型的等离子体处理装置，进行硅氧化膜的直接氮化处理，形成由SiN膜构成的屏障层(25)。在这里，第二阻挡膜(20)也通过与屏障层(25)相同的直接氮化处理而形成。

公开(公告)号：CN1950932A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580011628.0

申请日：2005-03-23

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·M·盖茨 ,  A·格里尔 ,  D·R·梅代罗斯 ,  D·诺伊迈尔 ,  S·V·源 ,  V·V·帕特尔 ,  王新辉

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L21/3122 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695

摘要： 公开了以平行板化学气相沉积工艺，利用离子体增强化学气相沉积(“PECVD”)工艺制造包括Si、C、O和H原子的热稳定的超低介电常数膜的方法。进一步公开了包含由本方法制造的热稳定超低介电常数材料的绝缘层的电子器件。为了制造热稳定的超低介电常数膜，使用特殊的前体材料，如硅烷衍生物例如二乙氧基甲基硅烷(DEMS)和有机分子例如双环庚二烯和环戊烯氧化物。

公开(公告)号：CN1945797A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610091739.3

申请日：2006-06-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金俊锡

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L21/31662 ,  H01J37/32431 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194

摘要： 公开了一种用于半导体器件的设备及相关制造方法。使用等离子体发生器，将等离子源转变为等离子体。然后在由保护层形成的等离子球囊中俘获等离子体粒子，以及将该等离子体粒子引入处理室，一旦它们从等离子球囊释放，使用该等离子体粒子在半导体衬底上形成材料层。

公开(公告)号：CN1941288A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610139950.8

申请日：2006-09-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 挂端哲弥

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/02244 ,  C23C8/36 ,  C23C14/028 ,  C23C14/16 ,  C23C14/5826 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/586 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/20 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31683 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/127 ,  H01L27/13 ,  H01L29/4908

摘要： 本发明提供能够使栅绝缘膜薄膜化而提高半导体装置的特性并且可以减少漏泄电流的半导体器件以及其制造方法。在本发明中，在多晶半导体膜(103a)上形成铝膜(121a)作为金属膜，通过对所述铝膜进行等离子体氧化处理，氧化所述铝膜来形成氧化铝膜(104)，并且，在所述多晶半导体膜(103a)和所述氧化铝膜之间形成氧化硅膜(100a)。

公开(公告)号：CN1926670A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200580006865.8

申请日：2005-03-02

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 松山征嗣 ,  中西敏雄 ,  尾崎成则 ,  足立光 ,  高槻浩一 ,  佐藤吉宏

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC分类号： C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

摘要： 在本发明中，在利用由微波产生的等离子体对形成氧化膜后的基板进行氮化处理以形成氧氮化膜时，断续地进行微波的供给。通过断续地供给微波，与电子温度下降相伴的离子冲击降低，氧化膜中的氮化种的扩散速度降低，其结果，氮集中在氧氮化膜的基板侧界面上从而能够抑制其浓度增高。由此，能够提高氧氮化膜的膜质，从而能够降低漏电流、提高动作速度、并提高NBTI耐性。