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公开(公告)号：CN105529248A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610077452.9
申请日：2011-09-30
申请人： 同和电子科技有限公司 , 同和控股(集团)有限公司
CPC分类号： H01L33/0079 , C23C14/165 , C23C14/586 , C23C16/0272 , C23C16/303 , H01L21/02439 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/22
摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为秒的范围、厚度为的范围的方式成膜，前述氮化铬层在炉内压力6.666kPa以上且66.66kPa以下、温度1000℃以上的MOCVD生长炉内、含氨气的气体氛围中形成，前述气体氛围中除了氨气以外的气体成分为由氮气和氢气组成的载气，氮气在该载气中所占的含有比率为60～100体积％的范围。
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公开(公告)号：CN103348043B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201180047494.3
申请日：2011-09-30
申请人： 同和电子科技有限公司 , 同和控股(集团)有限公司
CPC分类号： H01L33/0079 , C23C14/165 , C23C14/586 , C23C16/0272 , C23C16/303 , H01L21/02439 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/22
摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为/秒的范围、厚度为的范围的方式成膜，前述氮化铬层在炉内压力6.666kPa以上且66.66kPa以下、温度1000℃以上的MOCVD生长炉内、含氨气的气体氛围中形成，前述气体氛围中除了氨气以外的气体成分为由氮气和氢气组成的载气，氮气在该载气中所占的含有比率为60～100体积%的范围。
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公开(公告)号：CN104376939A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410381828.6
申请日：2014-08-06
申请人： 三菱综合材料株式会社
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： C30B25/06 , C23C14/0641 , C23C14/5826 , C23C14/586 , C30B29/38 , C30B33/04 , H01C7/008 , H01C7/041
摘要： 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接形成在薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：(M1-wAw)xAlyNz表示的金属氮化物构成，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种，并且A表示Sc、Zr、Mo、Nb及W中的至少一种，0.0＜w＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.4≤z≤0.5、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M-A-Al合金溅射靶在含氮气氛中进行反应性溅射而成膜。
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公开(公告)号：CN102427918B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201080021152.X
申请日：2010-05-13
申请人： 吉列公司
发明人： K·J·斯克罗比斯
CPC分类号： B26B21/60 , B26B21/4068 , C23C8/24 , C23C14/12 , C23C14/165 , C23C14/3414 , C23C14/3464 , C23C14/35 , C23C14/586 , C23C28/00 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/341 , C23C28/343 , C23C28/345 , C23C28/3455 , C23C28/347
摘要： 本发明公开了一种包括具有切刃的基质的剃刀刀片，所述基质包括：(a)设置在所述基质上的第一材料薄膜，所述薄膜具有小于1μm的厚度；(b)设置在所述薄膜的表面和所述基质的表面处或附近的氮化物-薄膜间混区；和(c)邻近所述氮化物-薄膜间混区设置的氮化物区。
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公开(公告)号：CN1941288A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610139950.8
申请日：2006-09-27
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 挂端哲弥
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/51
CPC分类号： H01L21/02244 , C23C8/36 , C23C14/028 , C23C14/16 , C23C14/5826 , C23C14/5853 , C23C14/586 , C23C16/0263 , C23C16/20 , C23C16/56 , H01L21/02175 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/02326 , H01L21/0234 , H01L21/31683 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/127 , H01L27/13 , H01L29/4908
摘要： 本发明提供能够使栅绝缘膜薄膜化而提高半导体装置的特性并且可以减少漏泄电流的半导体器件以及其制造方法。在本发明中，在多晶半导体膜(103a)上形成铝膜(121a)作为金属膜，通过对所述铝膜进行等离子体氧化处理，氧化所述铝膜来形成氧化铝膜(104)，并且，在所述多晶半导体膜(103a)和所述氧化铝膜之间形成氧化硅膜(100a)。
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公开(公告)号：CN106282959A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610661848.8
申请日：2016-08-12
申请人： 创隆实业(深圳)有限公司
发明人： 彭长明
IPC分类号： C23C14/58
CPC分类号： C23C14/586 , C23C14/5873
摘要： 本发明提供了一种玫瑰金后处理工艺，在PVD玫瑰金后，通过氮化炉进行高温氮化，提高了金色的硬度和稳定性，经过与氮气的高温反应，颜色变得更加鲜艳，亮度有两到三个点的提升；最后通过化学的后处理方法去除表面的游离铜，提高了抗氧化性能，做到不氧化不变色。
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公开(公告)号：CN106011748A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610469979.6
申请日：2016-06-26
申请人： 彭晓领
CPC分类号： C23C14/085 , C23C14/0036 , C23C14/5806 , C23C14/586
摘要： 本发明涉及一种氮化铁薄膜的制备方法。该方法是采用激光脉冲沉积的方法，通过控制沉积温度、时间和氧气流量，来制备氧化铁薄膜；通入氢气，在300~400℃还原4‑20h，以获得铁薄膜；通入氨气，在120~200℃氮化1~30h；氮化过程中施加磁场，诱导氮化铁的取向，磁场强度0.1~2T；降温，随炉冷却至室温，取出样品，即可获得氮化铁薄膜。该方法可以直接获得高α"‑Fe16N2含量的氮化铁薄膜，有利于薄膜器件的集成应用，此外采用磁场热处理的方法，使薄膜氮化时产生晶体学取向，方便的控制薄膜的晶体学易磁化轴。
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公开(公告)号：CN102649915B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201110155635.5
申请日：2011-06-10
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： C23C30/00 , C10J3/30 , C10J3/50 , C10J2200/15 , C10J2300/0916 , C10J2300/093 , C10J2300/0943 , C10J2300/0946 , C23C8/02 , C23C8/20 , C23C8/22 , C23C8/24 , C23C8/26 , C23C8/30 , C23C8/32 , C23C8/36 , C23C8/38 , C23C14/16 , C23C14/48 , C23C14/5846 , C23C14/586
摘要： 本发明涉及一种在气化装置中使用的泵以及增强该泵的耐磨性的方法，该泵包括具有入口和出口的外壳以及设置于所述外壳内且可相对所述外壳转动的转子，该转子包括一个轮毂和多个由轮毂部隔开的转盘并界定了多个用来传输固态含碳原料的传输通道。所述泵还包括面向所述固态含碳原料的原料输送面，且至少部分所述原料输送面上形成有一定覆层。
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公开(公告)号：CN103348043A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201180047494.3
申请日：2011-09-30
申请人： 同和电子科技有限公司 , 同和控股(集团)有限公司
CPC分类号： H01L33/0079 , C23C14/165 , C23C14/586 , C23C16/0272 , C23C16/303 , H01L21/02439 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/22
摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为/秒的范围、厚度为的范围的方式成膜，前述氮化铬层在炉内压力6.666kPa以上且66.66kPa以下、温度1000℃以上的MOCVD生长炉内、含氨气的气体氛围中形成，前述气体氛围中除了氨气以外的气体成分为由氮气和氢气组成的载气，氮气在该载气中所占的含有比率为60～100体积%的范围。
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公开(公告)号：CN101558472B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200780041626.5
申请日：2007-10-29
申请人： 日新电机株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L21/28273 , B82Y10/00 , C23C14/185 , C23C14/5853 , C23C14/586 , C23C16/24 , C23C16/509 , C23C16/56 , H01J37/321 , H01L21/02532 , H01L21/0259 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L29/42332 , H01L29/7881
摘要： 在较低的温度下，抑制硅点的缺陷产生和聚集，抑制等离子体损伤，在粒径的控制性良好、基板间的再现性良好的状态下形成硅点。在较低的温度下，在硅点粒径的控制性和绝缘膜厚度的控制性良好、基板间的再现性良好的状态下形成硅点和绝缘膜。通过低电感内部天线12(22)由硅点形成用气体或绝缘膜形成用气体生成电感耦合等离子体，基于该电感耦合等离子体在基板S上形成硅点SiD(绝缘膜F)，且在等离子体处于不稳定状态期间将基板S置于不暴露于不稳定等离子体的状态，等离子体稳定后，使基板S暴露于稳定化等离子体而开始形成硅点或绝缘膜的硅点形成方法及装置1(带硅点和绝缘膜的基板的形成方法及装置A)。
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