公开(公告)号：CN100468630C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200580009563.6

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东名敦志 ,  高桥英治

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/14

CPC classification number: H01J37/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3471 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631

Abstract: 将氢气引入设置了硅溅射靶(2)及被成膜基板(S)的成膜室(10)内，通过对该气体施加高频功率，从而在该成膜室内产生Hα/SiH*为0.3～1.3的等离子体，用该等离子体将硅溅射靶(2)进行化学溅射，在基板(S)上形成结晶性硅薄膜。能够在比较低的低温下廉价、安全地形成高质量的结晶性硅薄膜。

公开(公告)号：CN101842876A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880114555.1

申请日：2008-10-14

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东名敦志 ,  可贵裕和 ,  高桥英治

IPC: H01L21/205 ,  B82B3/00 ,  C01B33/02

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C01B33/02 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种硅点形成方法，该硅点形成方法能在较低的温度下，根据要形成的硅点的粒径，很好地控制硅点粒径，从而形成硅点。在该硅点形成方法中，对设置于等离子体生成室内的低电感天线施加高频功率，使提供给该室内的硅点形成用气体生成感应耦合等离子体，利用该感应耦合等离子体，在配置于该室内的基板(S)上形成硅点，根据要形成的硅点的粒径，控制硅点形成前的基板预处理条件、硅点形成时的基板温度及硅点形成时的等离子体生成室内气压。

公开(公告)号：CN101558472A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200780041626.5

申请日：2007-10-29

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东名敦志 ,  可贵裕和 ,  高桥英治

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  C23C14/185 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/586 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  C23C16/56 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

Abstract: 在较低的温度下，抑制硅点的缺陷产生和聚集，抑制等离子体损伤，在粒径的控制性良好、基板间的再现性良好的状态下形成硅点。在较低的温度下，在硅点粒径的控制性和绝缘膜厚度的控制性良好、基板间的再现性良好的状态下形成硅点和绝缘膜。通过低电感内部天线12(22)由硅点形成用气体或绝缘膜形成用气体生成电感耦合等离子体，基于该电感耦合等离子体在基板S上形成硅点SiD(绝缘膜F)，且在等离子体处于不稳定状态期间将基板S置于不暴露于不稳定等离子体的状态，等离子体稳定后，使基板S暴露于稳定化等离子体而开始形成硅点或绝缘膜的硅点形成方法及装置1(带硅点和绝缘膜的基板的形成方法及装置A)。

公开(公告)号：CN101842876B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200880114555.1

申请日：2008-10-14

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东名敦志 ,  可贵裕和 ,  高桥英治

IPC: H01L21/205 ,  B82B3/00 ,  C01B33/02

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C01B33/02 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种硅点形成方法，该硅点形成方法能在较低的温度下，根据要形成的硅点的粒径，很好地控制硅点粒径，从而形成硅点。在该硅点形成方法中，对设置于等离子体生成室内的低电感天线施加高频功率，使提供给该室内的硅点形成用气体生成感应耦合等离子体，利用该感应耦合等离子体，在配置于该室内的基板(S)上形成硅点，根据要形成的硅点的粒径，控制硅点形成前的基板预处理条件、硅点形成时的基板温度及硅点形成时的等离子体生成室内气压。

公开(公告)号：CN1934285A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580009409.9

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东名敦志 ,  高桥英治 ,  藤原将喜 ,  小寺隆志 ,  小野田正敏

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3471

Abstract: 本发明揭示一种硅膜形成装置，包含：成膜室(10)；设置在该室内的硅溅射靶(2)；往该室内供给氢气的氢气供给回路(102或102’)；以及对供给到成膜室(10)内的氢气施加高频功率以产生电感耦合等离子体的高频功率施加装置(天线(1、1’)、电源(PW)等)，利用该等离子体对靶(2)进行化学溅射，使衬底(S)上形成硅膜。也可同时使用硅烷气。也可在硅烷气供给回路(101)设置储气部(GR)。能在较低温度下价廉且高速地形成希望的硅膜。

公开(公告)号：CN1934679B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580009526.5

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 高桥英治 ,  三上隆司 ,  岸田茂明 ,  加藤健治 ,  东名敦志 ,  林司 ,  绪方洁 ,  节原裕一

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02631

Abstract: 一种硅粒形成方法，在导入氢气(或者还导入硅烷类气体)的真空室(1)内产生波长288纳米的硅原子发光强度与波长484纳米的氢原子发光强度的比小于等于10.0的等离子体，利用基于该等离子体的化学溅射，在基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。

公开(公告)号：CN1934680A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580009563.6

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东名敦志 ,  高桥英治

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/14

CPC classification number: H01J37/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3471 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631

Abstract: 将氢气引入设置了硅溅射靶(2)及被成膜基板(S)的成膜室(10)内，通过对该气体施加高频功率，从而在该成膜室内产生Hα/SiH*为0.3～1.3的等离子体，用该等离子体将硅溅射靶(2)进行化学溅射，在基板(S)上形成结晶性硅薄膜。能够在比较低的低温下廉价、安全地形成高质量的结晶性硅薄膜。

公开(公告)号：CN1934679A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580009526.5

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 高桥英治 ,  三上隆司 ,  岸田茂明 ,  加藤健治 ,  东名敦志 ,  林司 ,  绪方洁

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02631

Abstract: 一种硅粒形成方法，在导入氢气(或者还导入硅烷类气体)的真空室(1)内产生波长288纳米的硅原子发光强度与波长484纳米的氢原子发光强度的比小于等于10.0的等离子体，利用基于该等离子体的化学溅射，在基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。

公开(公告)号：CN101558472B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200780041626.5

申请日：2007-10-29

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东名敦志 ,  可贵裕和 ,  高桥英治

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  C23C14/185 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/586 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  C23C16/56 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

Abstract: 在较低的温度下，抑制硅点的缺陷产生和聚集，抑制等离子体损伤，在粒径的控制性良好、基板间的再现性良好的状态下形成硅点。在较低的温度下，在硅点粒径的控制性和绝缘膜厚度的控制性良好、基板间的再现性良好的状态下形成硅点和绝缘膜。通过低电感内部天线12(22)由硅点形成用气体或绝缘膜形成用气体生成电感耦合等离子体，基于该电感耦合等离子体在基板S上形成硅点SiD(绝缘膜F)，且在等离子体处于不稳定状态期间将基板S置于不暴露于不稳定等离子体的状态，等离子体稳定后，使基板S暴露于稳定化等离子体而开始形成硅点或绝缘膜的硅点形成方法及装置1(带硅点和绝缘膜的基板的形成方法及装置A)。

公开(公告)号：CN100587104C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200580009409.9

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东名敦志 ,  高桥英治 ,  藤原将喜 ,  小寺隆志 ,  小野田正敏 ,  节原裕一

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3471

Abstract: 本发明揭示一种硅膜形成装置，包含：成膜室(10)；设置在该室内的硅溅射靶(2)；往该室内供给氢气的氢气供给回路(102或102’)；以及对供给到成膜室(10)内的氢气施加高频功率以产生电感耦合等离子体的高频功率施加装置(天线(1、1’)、电源(PW)等)，利用该等离子体对靶(2)进行化学溅射，使衬底(S)上形成硅膜。也可同时使用硅烷气。也可在硅烷气供给回路(101)设置储气部(GR)。能在较低温度下价廉且高速地形成希望的硅膜。