-
公开(公告)号：CN1934285A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009409.9
申请日：2005-03-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/203
CPC classification number: H01J37/321 , C23C14/165 , C23C14/3471
Abstract: 本发明揭示一种硅膜形成装置，包含：成膜室(10)；设置在该室内的硅溅射靶(2)；往该室内供给氢气的氢气供给回路(102或102’)；以及对供给到成膜室(10)内的氢气施加高频功率以产生电感耦合等离子体的高频功率施加装置(天线(1、1’)、电源(PW)等)，利用该等离子体对靶(2)进行化学溅射，使衬底(S)上形成硅膜。也可同时使用硅烷气。也可在硅烷气供给回路(101)设置储气部(GR)。能在较低温度下价廉且高速地形成希望的硅膜。
-
公开(公告)号：CN100587104C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200580009409.9
申请日：2005-03-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/203
CPC classification number: H01J37/321 , C23C14/165 , C23C14/3471
Abstract: 本发明揭示一种硅膜形成装置，包含：成膜室(10)；设置在该室内的硅溅射靶(2)；往该室内供给氢气的氢气供给回路(102或102’)；以及对供给到成膜室(10)内的氢气施加高频功率以产生电感耦合等离子体的高频功率施加装置(天线(1、1’)、电源(PW)等)，利用该等离子体对靶(2)进行化学溅射，使衬底(S)上形成硅膜。也可同时使用硅烷气。也可在硅烷气供给回路(101)设置储气部(GR)。能在较低温度下价廉且高速地形成希望的硅膜。
-
公开(公告)号：CN1934913B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200580009440.2
申请日：2005-03-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/509 , C23F4/00 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/24 , H01J37/32082
Abstract: 一种等离子体发生装置，具备有等离子体发生室(10)以及在室(10)内设置的高频天线(1)，在室(10)内对气体由天线(1)施加高频功率，发生感应耦合等离子体。天线(1)是由从室(10)外向室(10)内延伸的第一部分(11)、以及从第1部分(11)的室内侧端部(11e)开始电路并联使其分支而且终端(12e)与接地的室(10)的内壁直接连接的多个第2部分(12)组成的低电感量天线。天线(1)的表面覆盖电绝缘性材料。即使对天线施加的高频功率的频率是40MHz至几百MHz左右的高频，也可以抑制异常放电、匹配不良等问题，产生所希望的等离子体。也可以构成为能够实施像膜形成那样的处理的装置。
-
公开(公告)号：CN1934913A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009440.2
申请日：2005-03-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/509 , C23F4/00 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/24 , H01J37/32082
Abstract: 一种等离子体发生装置，具备有等离子体发生室(10)以及在室(10)内设置的高频天线(1)，在室(10)内对气体由天线(1)施加高频功率，发生感应耦合等离子体。天线(1)是由从室(10)外向室(10)内延伸的第一部分(11)、以及从第1部分(11)的室内侧端部(11e)开始电路并联使其分支而且终端(12e)与接地的室(10)的内壁直接连接的多个第2部分(12)组成的低电感量天线。天线(1)的表面覆盖电绝缘性材料。即使对天线施加的高频功率的频率是40MHz至几百MHz左右的高频，也可以抑制异常放电、匹配不良等问题，产生所希望的等离子体。也可以构成为能够实施像膜形成那样的处理的装置。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.036 seconds)
