公开(公告)号：CN103098187A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201080069030.8

申请日：2010-12-08

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 安东靖典 ,  高桥英治 ,  藤原将喜

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0214 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种不含氢及游离氟，从而膜特性良好的绝缘性膜。本发明的氮氧化硅膜包含硅、氮、氧及氟而成，氮N、氧O及氟F的合计(N+O+F)相对于硅Si的元素比率(N+O+F)/Si处于1.93～1.48的范围内，且该膜中的硅的元素比率处于0.34～0.41、氮的元素比率处于0.10～0.22、氧的元素比率处于0.14～0.38及氟的元素比率处于0.17～0.24的范围内。该膜可使用例如四氟化硅气体、氮气及氧气来作为原料气体28，利用通过感应耦合而生成等离子40的感应耦合型等离子化学气相沉积法，而形成在基板20上。

公开(公告)号：CN120019719A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202380071392.8

申请日：2023-11-29

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  东大介 ,  藤原将喜

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H05H1/00

Abstract: 本发明提供一种可实时地掌握被实施等离子体处理的被处理物的状态的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括：天线(8)；电源(9)，向天线(8)供给用于产生磁场的高频电流；拍摄部，对处理室的内部进行拍摄；以及控制部。电源(9)通过使高频电流的大小周期性地增减而间歇性地产生等离子体。控制部对拍摄部进行控制以获取与等离子体的熄灭同步的处理室的内部的图像作为第一图像。

公开(公告)号：CN119318209A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202380044923.4

申请日：2023-05-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东大介 ,  酒井敏彦 ,  藤原将喜

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种即便在设置有内侧罩的情况下亦可确认天线及其周围状态的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括：壳体(2)，设置有第一开口部(2b)；真空罩(4)，以能够拆装的方式安装于第一开口部(2b)，闭塞该第一开口部(2b)；天线罩(5)，支撑于第一开口部(2b)的内部，且具有介电性；天线(8)，配设于至少由真空罩(4)及天线罩(5)包围而形成的天线收容空间(AK)中，用于产生电感耦合性的等离子体；视端口(4b)，设置于真空罩(4)且具有透光性；以及光学传感器(14)，接收透过了视端口(4b)的天线收容空间(AK)内的光。

公开(公告)号：CN103098187B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201080069030.8

申请日：2010-12-08

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 安东靖典 ,  高桥英治 ,  藤原将喜

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0214 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种氮氧化硅膜及其形成方法、半导体器件以及薄膜晶体管，即提供不含氢及游离氟，从而膜特性良好的绝缘性膜。本发明的氮氧化硅膜包含硅、氮、氧及氟而成，氮N、氧O及氟F的合计(N+O+F)相对于硅Si的元素比率(N+O+F)/Si处于1.93～1.48的范围内，且该膜中的硅的元素比率处于0.34～0.41、氮的元素比率处于0.10～0.22、氧的元素比率处于0.14～0.38及氟的元素比率处于0.17～0.24的范围内。该膜可使用例如四氟化硅气体、氮气及氧气来作为原料气体28，利用通过感应耦合而生成等离子40的感应耦合型等离子化学气相沉积法，而形成在基板20上。

公开(公告)号：CN1934285A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580009409.9

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东名敦志 ,  高桥英治 ,  藤原将喜 ,  小寺隆志 ,  小野田正敏

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3471

Abstract: 本发明揭示一种硅膜形成装置，包含：成膜室(10)；设置在该室内的硅溅射靶(2)；往该室内供给氢气的氢气供给回路(102或102’)；以及对供给到成膜室(10)内的氢气施加高频功率以产生电感耦合等离子体的高频功率施加装置(天线(1、1’)、电源(PW)等)，利用该等离子体对靶(2)进行化学溅射，使衬底(S)上形成硅膜。也可同时使用硅烷气。也可在硅烷气供给回路(101)设置储气部(GR)。能在较低温度下价廉且高速地形成希望的硅膜。

公开(公告)号：CN119999336A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380070414.9

申请日：2023-11-29

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 藤原将喜 ,  酒井敏彦 ,  东大介

IPC: H05H1/46 ,  C23C14/40 ,  C23C16/509 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种即便在设置有内侧罩的情况下也可提高维护性的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括：壳体(2)，设置有将处理室内部与外部连通的开口部(2b)；真空罩(4)，以能够拆装的方式安装于壳体(2)，且闭塞开口部(2b)；棒状的天线(8)，用于产生等离子体；以及天线罩(5)，在与真空罩(4)之间构成包围天线(8)的天线收容空间(AK)。天线罩(5)沿着天线(8)的长边方向被分割为多个。被覆罩(14)以覆盖天线罩(5)的分割部的方式设置。

公开(公告)号：CN103875077A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201280049140.7

申请日：2012-10-04

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  日新电机株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  粟田英章 ,  冈田浩 ,  栗巢贤一 ,  安东靖典 ,  高桥英治 ,  藤原将喜

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C16/42 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/345 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种绝缘膜，其为含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜，所述绝缘膜具备配置在含有氧原子的基板上的第一氮化硅膜和以与该第一氮化硅膜接触的方式配置的第二氮化硅膜，该第二氮化硅膜中含有的氟量比该第一氮化硅膜中含有的氟量多，并且提供一种半导体元件，其具有含有铟原子及氧原子的氧化物半导体层以及含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜。该半导体元件可以为薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN119302037A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202280096674.9

申请日：2022-12-16

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  东大介 ,  藤原将喜

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505

Abstract: 等离子体处理装置(1)包括：壳体(2)，设置有第一开口部(2b)；真空罩(4)，以能够拆装的方式安装于第一开口部(2b)，且闭塞该第一开口部(2b)；天线罩(5)，支撑于第一开口部(2b)的内部，且具有介电性；以及天线(8)，配设于至少由真空罩(4)及天线罩(5)包围而形成的天线收容空间(AK)中，用于产生感应耦合性的等离子体。天线罩(5)形成有在真空罩(4)侧开口并且构成天线收容空间(AK)的一部分的罩开口部(5c)，且所述天线罩(5)能够自第一开口部(2b)卸下。

公开(公告)号：CN119278666A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202380043374.9

申请日：2023-05-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 藤原将喜 ,  酒井敏彦 ,  东大介

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明实现一种能够简易地调整天线的高度的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括：外侧罩(20)，以将设置于壳体(10)的第一开口部(12)闭塞的方式安装于壳体；内侧罩(30)，将处理室(11)与外侧罩之间分割；天线(40)，用于在处理室内产生等离子体；插通构件(45)，与天线链接；以及位置调整机构(60)，在安装有外侧罩的状态下使插通构件移位。

公开(公告)号：CN103875077B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201280049140.7

申请日：2012-10-04

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  日新电机株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  粟田英章 ,  冈田浩 ,  栗巢贤一 ,  安东靖典 ,  高桥英治 ,  藤原将喜

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C16/42 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/345 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种绝缘膜，其为含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜，所述绝缘膜具备配置在含有氧原子的基板上的第一氮化硅膜和以与该第一氮化硅膜接触的方式配置的第二氮化硅膜，该第二氮化硅膜中含有的氟量比该第一氮化硅膜中含有的氟量多，并且提供一种半导体元件，其具有含有铟原子及氧原子的氧化物半导体层以及含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜。该半导体元件可以为薄膜晶体管。