公开(公告)号：CN108369962B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201680072010.3

申请日：2016-12-07

Applicant: 国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学 ,  日新电机株式会社

Inventor： 浦冈行治 ,  山崎遥 ,  藤井茉美 ,  高桥英治

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种场效迁移率超过20cm2/Vs而动作速度快的薄膜晶体管及其制造方法以及半导体装置。一种薄膜晶体管，其是在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体膜，在氧化物半导体膜的宽度方向的两外侧形成源极区域与漏极区域，且在源极区域与漏极区域所夹的区域形成通道区域，在源极区域连接源极电极、在漏极区域连接漏极电极的薄膜晶体管，在栅极绝缘膜中含有氟，且通道区域的宽度W相对于长度L的比例(W/L)不足8。

公开(公告)号：CN103875077B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201280049140.7

申请日：2012-10-04

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  日新电机株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  粟田英章 ,  冈田浩 ,  栗巢贤一 ,  安东靖典 ,  高桥英治 ,  藤原将喜

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C16/42 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/345 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种绝缘膜，其为含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜，所述绝缘膜具备配置在含有氧原子的基板上的第一氮化硅膜和以与该第一氮化硅膜接触的方式配置的第二氮化硅膜，该第二氮化硅膜中含有的氟量比该第一氮化硅膜中含有的氟量多，并且提供一种半导体元件，其具有含有铟原子及氧原子的氧化物半导体层以及含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜。该半导体元件可以为薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101558472B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200780041626.5

申请日：2007-10-29

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东名敦志 ,  可贵裕和 ,  高桥英治

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  C23C14/185 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/586 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  C23C16/56 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

Abstract: 在较低的温度下，抑制硅点的缺陷产生和聚集，抑制等离子体损伤，在粒径的控制性良好、基板间的再现性良好的状态下形成硅点。在较低的温度下，在硅点粒径的控制性和绝缘膜厚度的控制性良好、基板间的再现性良好的状态下形成硅点和绝缘膜。通过低电感内部天线12(22)由硅点形成用气体或绝缘膜形成用气体生成电感耦合等离子体，基于该电感耦合等离子体在基板S上形成硅点SiD(绝缘膜F)，且在等离子体处于不稳定状态期间将基板S置于不暴露于不稳定等离子体的状态，等离子体稳定后，使基板S暴露于稳定化等离子体而开始形成硅点或绝缘膜的硅点形成方法及装置1(带硅点和绝缘膜的基板的形成方法及装置A)。

公开(公告)号：CN102002668A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010293669.6

申请日：2010-09-28

Applicant: 大连理工大学 ,  日新电机株式会社 ,  日新电机(大连)技术开发有限公司

Inventor： 苏元军 ,  孙琦 ,  高桥英治 ,  董闯 ,  徐军 ,  范鹏辉

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/35

Abstract: 一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置及其方法，属于半导体材料技术领域。这种沉积装置及其方法通过样品准备、样品制备前处理、沉积、后处理、样品取出等步骤能够生成主晶向为(111)、晶粒直径为数十纳米、多晶硅部分比例超过80%的低温多晶硅薄膜。利用物理气相沉积方法，代替现有等离子体增强化学气相沉积技术，不使用SiH气体前提下，直接沉积出多晶硅薄膜。由于成本低廉的基板（普通玻璃）的熔点较低，可在相对低的温度（小于300℃）条件下，在普通玻璃基板上直接沉积多晶硅薄膜，避免了以往使用基板成本高的缺点，极大地提高了竞争力。

公开(公告)号：CN100587104C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200580009409.9

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东名敦志 ,  高桥英治 ,  藤原将喜 ,  小寺隆志 ,  小野田正敏 ,  节原裕一

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3471

Abstract: 本发明揭示一种硅膜形成装置，包含：成膜室(10)；设置在该室内的硅溅射靶(2)；往该室内供给氢气的氢气供给回路(102或102’)；以及对供给到成膜室(10)内的氢气施加高频功率以产生电感耦合等离子体的高频功率施加装置(天线(1、1’)、电源(PW)等)，利用该等离子体对靶(2)进行化学溅射，使衬底(S)上形成硅膜。也可同时使用硅烷气。也可在硅烷气供给回路(101)设置储气部(GR)。能在较低温度下价廉且高速地形成希望的硅膜。

公开(公告)号：CN103098187A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201080069030.8

申请日：2010-12-08

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 安东靖典 ,  高桥英治 ,  藤原将喜

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0214 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种不含氢及游离氟，从而膜特性良好的绝缘性膜。本发明的氮氧化硅膜包含硅、氮、氧及氟而成，氮N、氧O及氟F的合计(N+O+F)相对于硅Si的元素比率(N+O+F)/Si处于1.93～1.48的范围内，且该膜中的硅的元素比率处于0.34～0.41、氮的元素比率处于0.10～0.22、氧的元素比率处于0.14～0.38及氟的元素比率处于0.17～0.24的范围内。该膜可使用例如四氟化硅气体、氮气及氧气来作为原料气体28，利用通过感应耦合而生成等离子40的感应耦合型等离子化学气相沉积法，而形成在基板20上。

公开(公告)号：CN101842876A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880114555.1

申请日：2008-10-14

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东名敦志 ,  可贵裕和 ,  高桥英治

IPC: H01L21/205 ,  B82B3/00 ,  C01B33/02

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C01B33/02 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种硅点形成方法，该硅点形成方法能在较低的温度下，根据要形成的硅点的粒径，很好地控制硅点粒径，从而形成硅点。在该硅点形成方法中，对设置于等离子体生成室内的低电感天线施加高频功率，使提供给该室内的硅点形成用气体生成感应耦合等离子体，利用该感应耦合等离子体，在配置于该室内的基板(S)上形成硅点，根据要形成的硅点的粒径，控制硅点形成前的基板预处理条件、硅点形成时的基板温度及硅点形成时的等离子体生成室内气压。

公开(公告)号：CN101558472A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200780041626.5

申请日：2007-10-29

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东名敦志 ,  可贵裕和 ,  高桥英治

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  C23C14/185 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/586 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  C23C16/56 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

Abstract: 在较低的温度下，抑制硅点的缺陷产生和聚集，抑制等离子体损伤，在粒径的控制性良好、基板间的再现性良好的状态下形成硅点。在较低的温度下，在硅点粒径的控制性和绝缘膜厚度的控制性良好、基板间的再现性良好的状态下形成硅点和绝缘膜。通过低电感内部天线12(22)由硅点形成用气体或绝缘膜形成用气体生成电感耦合等离子体，基于该电感耦合等离子体在基板S上形成硅点SiD(绝缘膜F)，且在等离子体处于不稳定状态期间将基板S置于不暴露于不稳定等离子体的状态，等离子体稳定后，使基板S暴露于稳定化等离子体而开始形成硅点或绝缘膜的硅点形成方法及装置1(带硅点和绝缘膜的基板的形成方法及装置A)。

公开(公告)号：CN107251657B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201680009474.X

申请日：2016-02-01

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 高桥英治

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/509 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供一种即便在延长高频天线的情况下也能够效率优良地产生感应耦合型等离子体的等离子体处理装置。所述等离子体处理装置包括高频天线(18)，所述高频天线(18)配置于被真空排气且导入了气体(8)的真空容器(2)内。所述等离子体处理装置进而包括：副天线(20)，在真空容器(2)内沿着高频天线(18)配置且其两端部附近隔着绝缘物(22)由真空容器(2)支持，且以电性浮动状态放置；以及绝缘罩体(24)，将位于真空容器(2)内的部分的高频天线(18)、副天线(20)统一覆盖。

公开(公告)号：CN108369962A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680072010.3

申请日：2016-12-07

Applicant: 国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学 ,  日新电机株式会社

Inventor： 浦冈行治 ,  山崎遥 ,  藤井茉美 ,  高桥英治

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种场效迁移率超过20cm2/Vs而动作速度快的薄膜晶体管及其制造方法以及具有所述薄膜晶体管的半导体装置。一种薄膜晶体管，其是在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体膜，在氧化物半导体膜的宽度方向的两外侧形成源极区域与漏极区域，且在源极区域与漏极区域所夹的区域形成通道区域，在源极区域连接源极电极、在漏极区域连接漏极电极的薄膜晶体管，在栅极绝缘膜中含有氟，且通道区域的宽度W相对于长度L的比例(W/L)不足8。