提供了一种多孔的低k或超低k电介质膜，包括以共价键三维网络结构存在的Si、C、O和H(下面称为“SiCOH”)，具有低于大约3.0的介电常数，并具有比现有技术的SiCOH电介质更高程度的晶体键相互作用、更多作为甲基端基的碳和更少的亚甲基(－CH2－)交联基。该SiCOH电介质的特征在于，其FTIR谱包括小于大约1.40的CH3+CH2伸展的峰面积、小于大约0.20的SiH伸展的峰面积、大于大约2.0的SiCH3键合的峰面积以及大于大约60％的Si－O－Si键合的峰面积，并且该SiCOH电介质的孔隙率大于大约20％。