公开(公告)号：CN106373975A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610423517.0

申请日：2016-06-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 绵贯真一 ,  中柴康隆

IPC: H01L27/15

CPC classification number: G02B6/428 ,  G02B6/43 ,  G02B2006/12061 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明提供一种具有硅波导的光的传播特性不会发生劣化的中介层的半导体器件。中介层(IP1)具有例如沿着x方向配置的多个相同的功能块(MD)，该功能块(MD)具有搭载有半导体芯片的第一区域(R1)、搭载有发光元件芯片的第二区域(R2)、搭载有受光元件芯片的第三区域(R3)以及多个硅波导(PC)。而且，第二区域(R2)以及第三区域(R3)配置于第一区域(R1)与中介层(IP1)的沿着x方向的第一边之间。另外，多个硅波导(PC)配置于第二区域(R2)以及第三区域(R3)与上述第一边之间，并从第二区域(R2)以及第三区域(R3)向上述第一边延伸，没有形成于在x方向上彼此相邻的功能块(MD)之间。

公开(公告)号：CN105789307A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201510821859.3

申请日：2015-11-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 河合徹 ,  中柴康隆 ,  秋山丰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0733 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66477

Abstract: 在不增加半导体芯片的面积尺寸的情况下，改善了半导体器件的性能。例如，功率晶体管的源极电极和电容元件的上部电极具有重叠部分。换而言之，电容元件的上部电极通过电容绝缘膜在功率晶体管的源极电极之上形成。即，功率晶体管和电容元件在半导体芯片的厚度方向上以层压的方式布置。结果就是，可以在抑制半导体芯片的平面尺寸增加的同时增加与功率晶体管电连接的电容元件。

公开(公告)号：CN103487743B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310384734.X

申请日：2008-12-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: G01R31/303

CPC classification number: H01L28/10 ,  G01R31/2886 ,  G01R31/3025 ,  G01R31/303

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。半导体装置（100）包括：半导体衬底，其包括半导体芯片形成区；芯片内部电路，其被设置在半导体衬底的半导体芯片形成区之内；耦合到芯片内部电路的多个信号发送/接收电感器；耦合到芯片内部电路的多个信号发送/接收焊盘；功率接收电感器，其具有沿着耦合到芯片内部电路的半导体衬底的外部边缘设置的直径；耦合到芯片内部电路的功率接收焊盘，功率接收电感器围绕芯片内部电路、信号发送/接收电感器、信号发送/接收焊盘和功率接收焊盘，并且，信号发送/接收电感器之一和信号发送/接收焊盘之一并联耦合到芯片内部电路，并且功率接收电感器和功率接收焊盘并联耦合到芯片内部电路。

公开(公告)号：CN103022002B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201210382395.7

申请日：2009-06-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0617 ,  H01L23/5227 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。在衬底（10）上形成多层布线层（400）、第一电感器（310）和第二电感器（320）。通过交替地依次堆叠绝缘层和布线层t次或更多次而形成多层布线层，其中t≥3。将第一电感器（310）设置在多层布线层（400）中的第n布线层中。第二电感器（320）被设置在多层布线层（400）中的第m布线层中并位于第一电感器（310）上方，其中t≥m≥n+2。在位于第n布线层与第m布线层之间的任何一个布线层中不设置位于第一电感器（310）上方的任何电感器。第一电感器（310）和第二电感器（320）组成在两个方向中的任何一个方向上传输电信号的信号传输器件（300）。

公开(公告)号：CN104425587A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410440432.4

申请日：2014-09-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 河合彻 ,  秋山丰 ,  中柴康隆

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 场极板导致了阻碍高速晶体管切换的过量栅极电容。为了抑制过量栅极电容，开口包括定位在漏极电极一侧的第一侧壁、以及定位在源极电极一侧的第二侧壁。同时，栅极电极包括从俯视图看面对漏极电极的第一侧表面。栅极电极的第一侧表面从平面图看定位在第一侧壁与第二侧壁的内侧。另外，第一场极板的一部分嵌入在第一侧表面与第一侧壁之间。栅极电极与第一场极板通过第一绝缘构件电绝缘。

公开(公告)号：CN104347579A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410374171.0

申请日：2014-07-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松本明 ,  三浦喜直 ,  中柴康隆

IPC: H01L23/52

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，其中减小了产生自布线的电阻分量。以第一方向(图中y方向)并排地排列多个晶体管单元，多个晶体管单元的每一个具有多个晶体管。所述晶体管的栅极以第一方向延伸。第一源极布线在第一晶体管单元和第二晶体管单元之间延伸，而第一漏极布线在第二晶体管单元和第三晶体管单元之间延伸。第二漏极布线在第一晶体管单元的与第一源极布线延伸的一侧相反的一侧上延伸；而第二源极布线在第三晶体管单元的与第二源极布线延伸的一侧相反的一侧上延伸。

公开(公告)号：CN103487743A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310384734.X

申请日：2008-12-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: G01R31/303

CPC classification number: H01L28/10 ,  G01R31/2886 ,  G01R31/3025 ,  G01R31/303

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。半导体装置（100）包括：半导体衬底，其包括半导体芯片形成区；芯片内部电路，其被设置在半导体衬底的半导体芯片形成区之内；耦合到芯片内部电路的多个信号发送/接收电感器；耦合到芯片内部电路的多个信号发送/接收焊盘；功率接收电感器，其具有沿着耦合到芯片内部电路的半导体衬底的外部边缘设置的直径；耦合到芯片内部电路的功率接收焊盘，功率接收电感器围绕芯片内部电路、信号发送/接收电感器、信号发送/接收焊盘和功率接收焊盘，并且，信号发送/接收电感器之一和信号发送/接收焊盘之一并联耦合到芯片内部电路，并且功率接收电感器和功率接收焊盘并联耦合到芯片内部电路。

公开(公告)号：CN101621065B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200910151004.9

申请日：2009-07-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川野连也 ,  中柴康隆

IPC: H01L27/13 ,  H01L27/04 ,  H01L23/528 ,  H01L23/64 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01F38/14 ,  H01F17/0013 ,  H01F27/2804 ,  H01F27/40 ,  H01F2017/0073 ,  H01F2017/0086 ,  H01F2027/2809 ,  H01F2038/143 ,  H01L23/535 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/10 ,  H01L29/0649 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供了一种电路器件。电路器件包括第一发送电感器、第一绝缘层、第一接收电感器、以及第二接收电感器。第一发送电感器由螺旋状导电图案构成并且接收被发送的信号。第一接收电感器位于通过第一绝缘层与第一发送电感器重叠的区域中。第一接收电感器由螺旋状导电图案构成，并且生成与被输入至第一发送电感器的被发送的信号相对应的接收的信号。第二接收电感器被串联地连接至第一接收电感器，并且由螺旋状导电图案构成。第二接收电感器响应于相同方向的磁场生成与由第一接收电感器生成的电压反向的电压。

公开(公告)号：CN102142404A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010593030.X

申请日：2010-12-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  小川健太

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L21/561 ,  H01L23/645 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体器件和通信方法。半导体芯片设置在其有源表面向上的安装板的第一表面上。电感器被提供在有源表面侧，也就是，被提供在半导体芯片的不面对安装板的表面侧处，以便在半导体芯片和外部之间进行通信。密封树脂层被形成在安装板的第一表面上，以便密封半导体芯片。另外，凹部或开口(在本实施例中的凹部)被提供在密封树脂层中。当在平面图中观看时，凹部在其内部包括电感器。

公开(公告)号：CN120018569A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411478058.7

申请日：2024-10-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  五十岚孝行

IPC: H10D80/20 ,  H02M1/08 ,  H02M7/48 ,  H01F27/30 ,  H10D80/30 ,  H10D89/10

Abstract: 本公开涉及半导体设备和逆变器系统。一种半导体设备，包括第一半导体芯片、第二半导体芯片和第三半导体芯片。第一半导体芯片和第二半导体芯片中的一个包括第一开关。第一半导体芯片和第二半导体芯片中的另一个包括第二开关。第三半导体芯片包括第一变压器。当第一开关被关断而第二开关被导通时，信号通过第一变压器从第一半导体芯片被发射到第二半导体芯片。当第二开关被关断而第一开关被导通时，信号通过第一变压器从第二半导体芯片被发射到第一半导体芯片。