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公开(公告)号：CN101862904B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010158518.X
申请日：2005-03-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/36 , H01L21/301 , H01L27/00
CPC classification number: B28D5/0011 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，即使在形成有包括多个功能元件的叠层部的基板较厚的情况下，也可高精度地切断基板及叠层部。是通过将背面(21)作为激光射入面，使聚光点(P)对准于基板(4)的内部并照射激光(L)，在基板(4)的内部形成改质区域(71、72、73)。此时，在基板(4)的表面(3)及质量改质区域(71)的表面侧端部的距离为5μm～15μm的位置上，形成质量改质区域(71)。在上述位置形成质量改质区域(71)时，可使形成在基板(4)的表面(3)上的叠层部(16)(在此，为层间绝缘膜(17a、17b))与基板(4)一起沿着预定切断线精度良好地被切断。
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公开(公告)号：CN101400475B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200780008910.2
申请日：2007-03-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/40 , H01L21/301
CPC classification number: B23K26/53 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , C03B33/0222 , C03B33/037 , H01L21/78
Abstract: 本发明的激光加工方法，通过照射具有标准的脉冲波形的激光(L)，在硅晶片(111)的内部形成，加工对象物(1)的厚度方向的大小大，且随着容易在加工对象物(1)的厚度方向上发生破裂(24)的溶融处理区域(131)，同时，通过照射具有来自后侧脉冲波形的激光(L)，在硅晶片(112)的内部形成，加工对象物(1)的厚度方向的大小小，且在加工对象物(1)的厚度方向上不容易发生破裂(24)的溶融处理区域(132)。
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公开(公告)号：CN102177624A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980140176.4
申请日：2009-09-14
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G02B17/004 , G02B27/0944 , G02B27/0977 , H01S3/005
Abstract: 本发明提供一种光学元件、激光振荡装置和激光放大装置。本发明的光学元件(20A)由具有光透过性的介质构成，且具有比空气的折射率大的折射率，使入射的激光在壁面(20a)多次反射并在内部传播，该光学元件(20A)具备：入射窗口(21)，位于壁面(20a)的一部分，用于使激光入射；出射窗口(22)，位于壁面(20a)的一部分，用于使在内部传播的激光出射；以及波长分散补偿部(31、32)，一体地位于介质的一部分，通过使激光至少经两次透过或反射来补偿波长分散。
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公开(公告)号：CN1826207B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200480020786.8
申请日：2004-07-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 福满宪志
IPC: B23K26/36 , B28D5/00 , H01L21/301
CPC classification number: B23K26/032 , B23K26/0006 , B23K26/03 , B23K26/0643 , B23K26/0665 , B23K26/361 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , B28D1/221 , B28D5/0011 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明提供一种易于将加工对象物切断的激光加工方法。所述激光加工方法包括：使集光点集中在加工对象物(1)的内部来照射激光，沿着加工对象物的切断预定线、在加工对象物的内部通过多光子吸收形成被处理部(7、13)，同时，在加工对象物的内部、在对应于被处理部的规定位置形成微小空洞(8)。
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公开(公告)号：CN1938827B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200580010860.2
申请日：2005-03-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K101/40
CPC classification number: B28D5/0011 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，即使在形成有包括多个功能元件的叠层部的基板较厚的情况下，也可高精度地切断基板及叠层部。是通过将背面(21)作为激光射入面，使聚光点(P)对准于基板(4)的内部并照射激光(L)，在基板(4)的内部形成改质区域(71、72、73)。此时，在基板(4)的表面(3)及质量改质区域(71)的表面侧端部的距离为5μm～15μm的位置上，形成质量改质区域(71)。在上述位置形成质量改质区域(71)时，可使形成在基板(4)的表面(3)上的叠层部(16)(在此，为层间绝缘膜(17a、17b))与基板(4)一起沿着预定切断线精度良好地被切断。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101670494A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910171082.5
申请日：2001-09-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/40 , B23K26/06 , B23K26/00 , B23K26/04 , B23K26/073
CPC classification number: H01L21/78 , B23K20/023 , B23K20/16 , B23K20/233 , B23K20/26 , B23K26/03 , B23K26/032 , B23K26/034 , B23K26/046 , B23K26/0624 , B23K26/066 , B23K26/073 , B23K26/0853 , B23K26/16 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , B65G2249/04 , C03B33/023 , C03B33/082 , C03B33/102 , C03C23/0025 , G02F1/1368 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , Y02P40/57 , Y10T29/49144 , Y10T83/0341
Abstract: 本发明提供能够在加工对象物的表面上不发生熔融或者偏离切割预定线的分割而切割加工对象物的激光加工方法以及激光加工装置，其中，在引起多光子吸收的条件下而且在加工对象物(1)的内部对准聚光点(P)，在加工对象物(1)的表面(3)的切割预定线(5)上照射脉冲激光(L)，通过使聚光点(P)沿着切割预定线(5)移动，沿着切割预定线(5)在加工对象物(1)的内部形成改质区，通过从改质区开始，沿着切割预定线(5)分割加工对象物(1)，能够用比较小的力切割加工对象物(1)，由于在激光(L)的照射过程中，在加工对象物(1)的表面(3)上几乎不吸收脉冲激光(L)，因此即使形成改质区也不会熔融表面(3)。
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公开(公告)号：CN101670484A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910171079.3
申请日：2001-09-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/00 , B23K26/40 , B23K26/06 , B23K26/04 , B23K26/073
CPC classification number: H01L21/78 , B23K20/023 , B23K20/16 , B23K20/233 , B23K20/26 , B23K26/03 , B23K26/032 , B23K26/034 , B23K26/046 , B23K26/0624 , B23K26/066 , B23K26/073 , B23K26/0853 , B23K26/16 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , B65G2249/04 , C03B33/023 , C03B33/082 , C03B33/102 , C03C23/0025 , G02F1/1368 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , Y02P40/57 , Y10T29/49144 , Y10T83/0341
Abstract: 本发明提供能够在加工对象物的表面上不发生熔融或者偏离切割预定线的分割而切割加工对象物的激光加工方法以及激光加工装置，其中，在引起多光子吸收的条件下而且在加工对象物(1)的内部对准聚光点(P)，在加工对象物(1)的表面(3)的切割预定线(5)上照射脉冲激光(L)，通过使聚光点(P)沿着切割预定线(5)移动，沿着切割预定线(5)在加工对象物(1)的内部形成改质区，通过从改质区开始，沿着切割预定线(5)分割加工对象物(1)，能够用比较小的力切割加工对象物(1)，由于在激光(L)的照射过程中，在加工对象物(1)的表面(3)上几乎不吸收脉冲激光(L)，因此即使形成改质区也不会熔融表面(3)。
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公开(公告)号：CN101412154A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810176457.2
申请日：2003-03-12
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D1/221 , B28D5/0011 , C03B33/0222 , C03B33/033 , C03B33/07 , C03B33/074 , H01L2924/01015
Abstract: 本发明提供一种能高精度地切割具有各种积层构造的加工对象物(1)的激光加工方法。在具有基板及设置于该基板表面(3)的积层部的加工对象物(1)的至少基板内部，使聚光点(P)聚合并照射激光(L)，使得至少在基板内部形成由多光子吸收生成的调质领域(7)，利用该调质领域，形成切割起点领域(8)。而且，通过沿该切割起点领域(8)切割加工对象物，可高精度地切割加工对象物(1)。
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公开(公告)号：CN101335235A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200710182348.7
申请日：2003-03-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L21/301 , B23K26/06 , B23K26/40 , B23K101/40
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0057 , B23K26/0622 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2203/50 , B28D5/00 , B28D5/0011 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/6836 , H01L21/76894 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2223/5446 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于，具有：通过在表面(3)形成功能元件(19)的半导体基板(1)的内部，使聚光点聚合并照射激光，在半导体基板(1)的内部形成含由多光子吸收生成的溶融处理领域的调质领域，通过含该溶融处理领域的调质领域，形成切割起点领域的工序；以及在形成切割起点领域后，研磨半导体基板(1)的背面(21)使半导体基板(1)成为规定的厚度的工序。
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公开(公告)号：CN1826207A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200480020786.8
申请日：2004-07-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 福满宪志
IPC: B23K26/36 , B28D5/00 , H01L21/301
CPC classification number: B23K26/032 , B23K26/0006 , B23K26/03 , B23K26/0643 , B23K26/0665 , B23K26/361 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , B28D1/221 , B28D5/0011 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明提供一种易于将加工对象物切断的激光加工方法。所述激光加工方法包括：使集光点集中在加工对象物(1)的内部来照射激光，沿着加工对象物的切断预定线、在加工对象物的内部通过多光子吸收形成被处理部(7、13)，同时，在加工对象物的内部、在对应于被处理部的规定位置形成微小空洞(8)。
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