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公开(公告)号：CN109952649A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201780069329.5
申请日：2017-11-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/02 , H04N5/369 , H04N5/378
Abstract: 光检测装置具备：具有二维排列的多个像素的半导体光检测元件、具有对来自对应的像素的输出信号进行处理的多个信号处理部的搭载基板。半导体光检测元件在每个像素具有：多个雪崩光电二极管，其以盖革模式动作；多个灭弧电阻，其串联地电连接于对应的雪崩光电二极管；贯通电极，其与多个灭弧电阻电连接。各信号处理部具有通过对应的贯通电极而电连接有多个雪崩光电二极管并且输出与来自多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号的电流镜电路。搭载基板具有的多个信号处理部的数量比各像素中的受光区域的数量多。
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公开(公告)号：CN108351428A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680065192.1
申请日：2016-10-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01T1/24 , H01L27/144 , H01L27/146
CPC classification number: G01T1/24 , H01L27/144 , H01L27/146
Abstract: 放射线检测器包括：具有电荷收集电极的基板；相对于基板配置于一侧并包含钙钛矿结构体颗粒和粘合剂树脂的放射线吸收层；和相对于放射线吸收层配置于一侧并被施加偏置电压以使在与电荷收集电极之间产生电位差的电压施加电极。
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公开(公告)号：CN104737304A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054725.2
申请日：2013-10-11
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/146 , H01L31/00
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/1443 , H01L27/1446 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14636 , H01L28/24 , H01L31/02027 , H01L31/022416 , H01L31/022466 , H01L31/107
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高时间分辨率的光电二极管阵列。受光区域包含多个光检测部(10)，各个光检测部(10)具备：第1导电型的第1半导体区域(12)；第2导电型的第2半导体区域(13、14)，其与第1半导体区域(12)构成pn结；第1接触电极(3A)，其与第2半导体区域接触；第2接触电极(4A)，其具备与第1接触电极(3A)不同的材料，配置在重叠于第1接触电极(3A)的位置，并与第1接触电极接触；以及电阻层(4B)，其与第2接触电极(4A)连续。
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公开(公告)号：CN102762975A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201180009777.9
申请日：2011-02-14
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01N21/3504 , G01N21/0303 , G01N21/61
Abstract: 气体浓度测量模块(2X)具备：气室(10X)，其形成导入样品气体(50X)的导入空间(11X)；红外光源(21X)，其配置于气室(10X)的一端；参照光接收元件(31X)及信号光接收元件(32X)，其配置于气室(10X)的另一端，且接收自红外光源(21X)放射的红外光；及不活泼气体室(40X)，其配置于导入空间(11X)内的红外光源(21X)与参照光接收元件(31X)之间的光路中，且封入有相对于自红外光源(21X)放射的红外光而言不活泼的不活泼气体。计算电路(3X)基于气体浓度测量模块(2X)的参照光接收元件(31X)所接收的光的能量值与信号光接收元件(32X)所接收的红外光的能量值的比来计算样品气体(50X)中的二氧化碳的浓度。
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公开(公告)号：CN111630355A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201980009407.1
申请日：2019-01-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J1/42 , G01J11/00 , H01L27/146 , H01L31/10 , H01L31/107 , H04N5/378
Abstract: 光检测装置具备由化合物半导体构成的雪崩光电二极管阵列基板(10)。在雪崩光电二极管阵列基板(10)，二维排列有以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管(20)。电路基板(50)具有互相并联连接并形成至少1个信道(40)的多个输出单元(30)。各输出单元(30)具有被动淬灭元件(31)及电容元件(32)。被动淬灭元件(31)与多个雪崩光电二极管(20)的至少一个串联连接。电容元件(32)与至少1个雪崩光电二极管(20)串联连接且与被动淬灭元件(31)并联连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109923383A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780069330.8
申请日：2017-11-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J1/42 , G01J1/02 , H01L27/146 , H01L31/10 , H01L31/107 , G01T1/20
Abstract: 光检测装置具备一维排列有多个像素的半导体基板。光检测装置在每个像素具有以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管、串联地电连接于对应的雪崩光电二极管的多个灭弧电阻、对来自多个雪崩光电二极管的输出信号进行处理的信号处理部。多个雪崩光电二极管的受光区域在每个像素二维排列。各信号处理部具有栅极接地电路和电连接于栅极接地电路的电流镜电路。在栅极接地电路，通过多个灭弧电阻电连接有对应的像素的多个雪崩光电二极管。电流镜电路输出与来自多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号。
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公开(公告)号：CN105122084B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201480020443.5
申请日：2014-01-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01T1/2014 , G01T1/2018 , G02B5/04 , G02B26/0833 , G03B42/023 , G03B42/08 , G21K4/00
Abstract: 放射线图像检测装置(20)包括：光检测元件(10)，其检测荧光光；及棱镜(5)，其配置在朝向成像板(IP)的激发光(EL)的光路上且光检测元件(10)与成像板(IP)之间。棱镜(5)作为表面而具有：侧面(5c)，其与成像板(IP)相对；以及侧面(5a)及侧面(5b)，其相对于侧面(5c)倾斜。棱镜(5)以如下方式配置：自侧面(5a)入射的激发光(EL)在内部传播并自侧面(5c)出射，且自侧面(5c)入射的来自成像板(IP)的反射光在内部传播并自侧面(5b)出射。光检测元件(10)与棱镜(5)的表面中的与来自成像板(IP)的反射光出射的区域不同的区域相对配置。
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公开(公告)号：CN105122084A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480020443.5
申请日：2014-01-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01T1/2014 , G01T1/2018 , G02B5/04 , G02B26/0833 , G03B42/023 , G03B42/08 , G21K4/00
Abstract: 放射线图像检测装置(20)包括：光检测元件(10)，其检测荧光光；及棱镜(5)，其配置在朝向成像板(IP)的激发光(EL)的光路上且光检测元件(10)与成像板(IP)之间。棱镜(5)作为表面而具有：侧面(5c)，其与成像板(IP)相对；以及侧面(5a)及侧面(5b)，其相对于侧面(5c)倾斜。棱镜(5)以如下方式配置：自侧面(5a)入射的激发光(EL)在内部传播并自侧面(5c)出射，且自侧面(5c)入射的来自成像板(IP)的反射光在内部传播并自侧面(5b)出射。光检测元件(10)与棱镜(5)的表面中的与来自成像板(IP)的反射光出射的区域不同的区域相对配置。
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公开(公告)号：CN109952649B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201780069329.5
申请日：2017-11-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H04N25/70 , H01L27/146 , H01L31/02
Abstract: 光检测装置具备：具有二维排列的多个像素的半导体光检测元件、具有对来自对应的像素的输出信号进行处理的多个信号处理部的搭载基板。半导体光检测元件在每个像素具有：多个雪崩光电二极管，其以盖革模式动作；多个灭弧电阻，其串联地电连接于对应的雪崩光电二极管；贯通电极，其与多个灭弧电阻电连接。各信号处理部具有通过对应的贯通电极而电连接有多个雪崩光电二极管并且输出与来自多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号的电流镜电路。搭载基板具有的多个信号处理部的数量比各像素中的受光区域的数量多。
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公开(公告)号：CN114930539A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008815.2
申请日：2021-01-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/369 , H04N5/372
Abstract: 本发明的背面入射型固体摄像装置的制造方法具备：第1工序，准备具有表面和背面的第1导电型的半导体层；第2工序，通过选择性地蚀刻半导体层的表面，在半导体层的表面形成第1凹凸区域；第3工序，通过使第1凹凸区域的凹凸平滑，在半导体层的表面形成第2凹凸区域；和第4工序，沿第2凹凸区域形成绝缘层，在绝缘层上形成多个电荷传输电极。
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