公开(公告)号：CN1311549C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN02108075.5

申请日：2002-03-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  小野幸治 ,  楠山义弘

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H05K1/00 ,  H05K3/46 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/3241 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L51/5203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的布线具有层叠结构，它包括具有第一宽度的第一导电层(第一层)，由选自W和Mo，或主要含该元素的合金或化合物的一种或多种元素制成；低阻的第二导电层(第二层)，其具有小于第一宽度的第二宽度，由主要含Al的合金或化合物制成；及第三导电层(第三层)，其具有小于第二宽度的第三宽度，由主要含Ti的合金或化合物制成。采用这种结构，使本发明为象素段的扩大留有充分的余地。至少第二导电层的边缘具有锥形的截面。由于这种形状，使得能够获得令人满意的覆盖范围。

公开(公告)号：CN1933142A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610099986.8

申请日：2000-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 须泽英臣 ,  小野幸治

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213

CPC classification number: C23F4/00 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53257 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种干法腐蚀法，用于形成具有锥形且相对于底膜具有较大特定选择率的钨布线。如果适当调节偏置功率密度，并且如果利用具有氟作其主要成分的腐蚀气体去除钨薄膜的希望部分，则可以形成具有希望锥角的钨膜。

公开(公告)号：CN1881537A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610100376.5

申请日：2000-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 须泽英臣 ,  小野幸治

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: C23F4/00 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53257 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种干法腐蚀法，用于形成具有锥形且相对于底膜具有较大特定选择率的钨布线。如果适当调节偏置功率密度，并且如果利用具有氟作其主要成分的腐蚀气体去除钨薄膜的希望部分，则可以形成具有希望锥角的钨膜。

公开(公告)号：CN1598677A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410085055.3

申请日：2001-03-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  须泽英臣 ,  小野幸治 ,  荒尾达也

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786

Abstract: 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区、以及源区和漏区，且LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。

公开(公告)号：CN1173388C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN98108911.9

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  张宏勇 ,  菅原彰 ,  铃木敦则 ,  上原由起子 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 一种在绝缘衬底上形成的TFT，具有源、漏和沟道区，至少在沟道区上形成栅绝缘膜，并在栅绝缘膜上形成栅电极。在沟道区和漏区间设有电阻率较高的区，以降低截止电流。形成这种结构的方法包括：阳极氧化栅电极以在栅电极侧形成多孔阳极氧化膜；用多孔阳极氧化膜为掩模除去一部分栅绝缘膜，使栅绝缘膜伸出栅电极但不全盖住源和漏区。此后，进行一种导电型元素的离子掺杂。在栅绝缘膜下限定高电阻率区。

公开(公告)号：CN1134036A

公开(公告)日：1996-10-23

申请号：CN95120071.2

申请日：1995-11-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 山元良高 ,  须泽英臣 ,  粟根克昶 ,  船田文明 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/334 ,  C30B1/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种形成TFT的有源层的方法，该方法不会对有源层的侧面造成等离子体损坏。首先在玻璃衬底上形成结晶硅膜。然后将保护掩模放在该硅膜上。用主要包括卤族氟化物气体的蚀刻剂气体蚀刻该硅膜，于是形成有源层。在该过程中，蚀刻剂气体不变成等离子体，以便避免有源层侧面被等离子体损坏。ClF3可以用作卤族氟化物气体。

公开(公告)号：CN1098818A

公开(公告)日：1995-02-15

申请号：CN94104092.5

申请日：1994-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  竹村保彦 ,  大沼英人 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/784 ,  H01L27/02 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1259

Abstract: 一种薄膜晶体管及其制造方法，包括：以掺杂用掩模和栅电极为掩模，以自对准方法，把杂质掺入其表面有绝缘涂层的半导体区，在用掺杂用掩模腐蚀表面绝缘层后，以强光照射所得表面。把碳氮氧组中的至少一种元素注入岛状半导体区的边缘，其浓度高于半导体区的平均浓度，以增大电阻并减少源漏间的漏电流。其中，控制薄膜半导体区的边缘部分使其成为本征的，或与沟道形成区导电类型相同，防止这部分中栅绝缘膜击穿。

公开(公告)号：CN107123683A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710144162.6

申请日：2012-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 恵木勇司 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/22

Abstract: 本发明以高成品率提供即使具有微型的结构也具有高电特性的晶体管。本发明在包括该晶体管的半导体装置中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在具有依次层叠有氧化物半导体层、栅极绝缘层及在侧面设置有侧壁绝缘层的栅电极层的晶体管的半导体装置中，以与氧化物半导体层及侧壁绝缘层接触的方式设置源电极层及漏电极层。在该半导体装置的制造工序中，以覆盖氧化物半导体层、侧壁绝缘层及栅电极层上的方式层叠导电层及层间绝缘层，通过化学机械抛光法去除栅电极层上的层间绝缘层及导电层，来形成源电极层及漏电极层。在形成栅极绝缘层之前，对氧化物半导体层进行洗涤处理。

公开(公告)号：CN102742014B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201080062030.5

申请日：2010-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  乡户宏充 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  三上真弓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种维持有利的特性并实现微细化的、包括氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述源电极及所述漏电极各包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向沟道长度方向延伸的区域的第二导电层。

公开(公告)号：CN103779422A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310486336.9

申请日：2013-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  田中哲弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/26 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种抑制氧化物半导体层中的氧缺陷的增加的半导体装置。此外，提供一种电特性良好的半导体装置。此外，提供一种可靠性高的半导体装置。在其沟道形成区域包括氧化物半导体层的半导体装置中，使用以与氧化物半导体层的下侧接触的方式设置的氧化物绝缘膜和以与氧化物半导体层的上侧接触的方式设置的栅极绝缘膜，将该氧化物绝缘膜或该栅极绝缘膜中的氧供应到氧化物半导体层中。此外，通过作为用于源电极层及漏电极层的金属膜使用导电氮化物，抑制氧扩散到该金属膜。