公开(公告)号：CN1134036A

公开(公告)日：1996-10-23

申请号：CN95120071.2

申请日：1995-11-24

申请人： 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

发明人： 山元良高 ,  须泽英臣 ,  粟根克昶 ,  船田文明 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/334 ,  C30B1/00

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

摘要： 本发明涉及一种形成TFT的有源层的方法，该方法不会对有源层的侧面造成等离子体损坏。首先在玻璃衬底上形成结晶硅膜。然后将保护掩模放在该硅膜上。用主要包括卤族氟化物气体的蚀刻剂气体蚀刻该硅膜，于是形成有源层。在该过程中，蚀刻剂气体不变成等离子体，以便避免有源层侧面被等离子体损坏。ClF3可以用作卤族氟化物气体。

公开(公告)号：CN1126154C

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN95120071.2

申请日：1995-11-24

申请人： 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

发明人： 山元良高 ,  须泽英臣 ,  粟根克昶 ,  船田文明 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/334 ,  C30B1/00

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

摘要： 本发明涉及一种形成TFT的有源层的方法，该方法不会对有源层的侧面造成等离子体损坏。首先在玻璃衬底上形成结晶硅膜。然后将保护掩模放在该硅膜上。用主要包括囟族氟化物气体的蚀刻剂气体蚀刻该硅膜，于是形成有源层。在该过程中，蚀刻剂气体不变成等离子体，以便避免有源层侧面被等离子体损坏。ClF3可以用作卤族氟化物气体。

公开(公告)号：CN103545318B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201310302897.9

申请日：2013-07-17

申请人： 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

发明人： 山崎舜平 ,  坂本直哉 ,  佐藤贵洋 ,  越冈俊介 ,  长隆之 ,  山元良高 ,  松尾拓哉 ,  松木园广志 ,  神崎庸辅

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/201

摘要： 本发明的一个方式提供如下半导体装置：使用氧化物半导体膜，将含有铜的金属膜用于布线或信号线等，具有稳定的电特性且高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；形成在该栅电极上的栅极绝缘膜；与该栅极绝缘膜接触且包含与该栅电极重叠的沟道形成区域的氧化物半导体膜：形成在该氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在该氧化物半导体膜、该源电极以及该漏电极上的氧化物绝缘膜，该源电极及该漏电极都包括：在该沟道形成区域的两端具有其一个端部的第一金属膜；形成在该第一金属膜上的含有铜的第二金属膜；形成在该第二金属膜上的第三金属膜，该第二金属膜形成在该第一金属膜的一个端部的内侧。

公开(公告)号：CN102751194B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201210116863.6

申请日：2012-04-19

申请人： 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

发明人： 安部宽太 ,  宫入秀和 ,  田中哲弘 ,  家永隆史 ,  山元良高

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法，通过对含氮的栅极绝缘膜进行等离子体氧化处理，可以抑制薄膜晶体管特性的降低。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法，其为具备薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，该薄膜晶体管具有栅电极(103)、含氮的栅极绝缘膜(105)及由微晶半导体膜(107)、(109)形成的沟道区，其特征在于，进行使所述栅极绝缘膜暴露于具有含有氧原子的氧化气体和氢的氧化气体气氛的等离子体中的等离子体处理，在所述栅极绝缘膜上形成所述微晶半导体膜，使所述氧化气体气氛中的所述氢的量为a，使所述氧化气体的量为b时，满足下述式(1)、(2)。a/b≥2 …(1)b＞0 …(2)。

公开(公告)号：CN102456552A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110308492.7

申请日：2011-10-12

申请人： 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

发明人： 小松立 ,  神保安弘 ,  宫入秀和 ,  山元良高

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675

摘要： 本发明的目的是提供保持高膜密度的同时提高结晶性的微晶硅膜的制造方法。本发明的微晶硅膜的制造方法包括如下步骤：在第一条件下在绝缘膜上形成具有混合相微粒的微晶硅膜，在其上，在第二条件下形成第二微晶硅膜。第一条件和第二条件是如下条件：将包含硅的沉积气体和包含氢的气体用作第一原料气体和第二原料气体。作为第一条件的第一原料气体的供给，交替进行第一气体的供给以及第二气体的供给。

公开(公告)号：CN103545318A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310302897.9

申请日：2013-07-17

申请人： 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

发明人： 山崎舜平 ,  坂本直哉 ,  佐藤贵洋 ,  越冈俊介 ,  长隆之 ,  山元良高 ,  松尾拓哉 ,  松木园广志 ,  神崎庸辅

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/77 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/201

摘要： 本发明的一个方式提供如下半导体装置：使用氧化物半导体膜，将含有铜的金属膜用于布线或信号线等，具有稳定的电特性且高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；形成在该栅电极上的栅极绝缘膜；与该栅极绝缘膜接触且包含与该栅电极重叠的沟道形成区域的氧化物半导体膜：形成在该氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在该氧化物半导体膜、该源电极以及该漏电极上的氧化物绝缘膜，该源电极及该漏电极都包括：在该沟道形成区域的两端具有其一个端部的第一金属膜；形成在该第一金属膜上的含有铜的第二金属膜；形成在该第二金属膜上的第三金属膜，该第二金属膜形成在该第一金属膜的一个端部的内侧。

公开(公告)号：CN102751194A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210116863.6

申请日：2012-04-19

申请人： 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

发明人： 安部宽太 ,  宫入秀和 ,  田中哲弘 ,  家永隆史 ,  山元良高

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法，通过对含氮的栅极绝缘膜进行等离子体氧化处理，可以抑制薄膜晶体管特性的降低。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法，其为具备薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，该薄膜晶体管具有栅电极(103)、含氮的栅极绝缘膜(105)及由微晶半导体膜(107)、(109)形成的沟道区，其特征在于，进行使所述栅极绝缘膜暴露于具有含有氧原子的氧化气体和氢的氧化气体气氛的等离子体中的等离子体处理，在所述栅极绝缘膜上形成所述微晶半导体膜，使所述氧化气体气氛中的所述氢的量为a，使所述氧化气体的量为b时，满足下述式(1)、(2)。a/b≥2…(1)b＞0…(2)。

公开(公告)号：CN1115452A

公开(公告)日：1996-01-24

申请号：CN94117338.0

申请日：1994-09-01

申请人： 夏普公司

发明人： 山元良高 ,  石井裕 ,  船田文明

IPC分类号： G09F19/00

CPC分类号： G02B27/0172 ,  G02B5/30 ,  G02B27/017 ,  G02B27/2228 ,  G02B2027/0132 ,  G02B2027/0136 ,  G02B2027/0143 ,  G02B2027/0154 ,  G02B2027/0178 ,  H04N13/344 ,  H04N13/398

摘要： 本发明的风镜式显示装置包括提供图像给左眼的第一图像形成单元和提供图像给右眼的第二图像形成单元，第一和第二图像形成单元的每一个包含：将发自光源的光偏振的偏振光束分离器；以及反射型显示器件包括衬底，在这个衬底上形成开关电路，显示介质用以调制由偏振光束分离器偏振的光，以便提供具有图象信息的光，和一个电极层电连接到开关电路，用以将电压加到显示介质上，该电极层反射透过显示介质的入射在其上的光。

公开(公告)号：CN1109213A

公开(公告)日：1995-09-27

申请号：CN94112771.0

申请日：1994-12-27

申请人： 夏普公司

发明人： 船井尚 ,  牧田直树 ,  山元良高 ,  森田达夫

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016

摘要： 本发明之半导体膜的制造方法，包含：(a)于表面具有绝缘性的基板上形成非晶半导体膜的工艺步骤；(b)将可促进该非晶半导体膜结晶化的物质导入该非晶半导体膜的至少一部分区域的工艺步骤；(c)借助于加热该非晶半导体膜使之结晶化，而从该非晶半导体膜得到结晶性半导体膜的工艺步骤；(d)使该结晶性半导体膜的表面氧化，该结晶性半导体膜的表面形成一含有可促进结晶化的物质的一部分的氧化半导体膜的工艺步骤。

公开(公告)号：CN1052079C

公开(公告)日：2000-05-03

申请号：CN94109589.4

申请日：1994-08-26

申请人： 夏普公司

发明人： 山元良高 ,  田川晶 ,  石井裕 ,  向殿充浩 ,  四宫时彦

IPC分类号： G02F1/133

CPC分类号： G02F1/136277 ,  G02F1/133621 ,  G02F1/13475 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/141 ,  G02F2001/133622 ,  G02F2202/105

摘要： 一种液晶显示装置，包括：在一表面上具有单晶硅层的第一基板；位于该第一基板对面的透明第二基板，该具有单晶硅层的第一基板的表面面对该第二基板，其间夹持有铁电液晶层；以及形成在单晶硅层中的复数电路元件，该复数电路元件与形成在面对铁电液晶层的第一基板上的复数像素区域的每一区域呈对应关系。