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公开(公告)号：CN103545318A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310302897.9
申请日：2013-07-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/77 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/201
Abstract: 本发明的一个方式提供如下半导体装置：使用氧化物半导体膜，将含有铜的金属膜用于布线或信号线等，具有稳定的电特性且高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；形成在该栅电极上的栅极绝缘膜；与该栅极绝缘膜接触且包含与该栅电极重叠的沟道形成区域的氧化物半导体膜：形成在该氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在该氧化物半导体膜、该源电极以及该漏电极上的氧化物绝缘膜，该源电极及该漏电极都包括：在该沟道形成区域的两端具有其一个端部的第一金属膜；形成在该第一金属膜上的含有铜的第二金属膜；形成在该第二金属膜上的第三金属膜，该第二金属膜形成在该第一金属膜的一个端部的内侧。
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公开(公告)号：CN103545318B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201310302897.9
申请日：2013-07-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/201
Abstract: 本发明的一个方式提供如下半导体装置：使用氧化物半导体膜，将含有铜的金属膜用于布线或信号线等，具有稳定的电特性且高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；形成在该栅电极上的栅极绝缘膜；与该栅极绝缘膜接触且包含与该栅电极重叠的沟道形成区域的氧化物半导体膜：形成在该氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在该氧化物半导体膜、该源电极以及该漏电极上的氧化物绝缘膜，该源电极及该漏电极都包括：在该沟道形成区域的两端具有其一个端部的第一金属膜；形成在该第一金属膜上的含有铜的第二金属膜；形成在该第二金属膜上的第三金属膜，该第二金属膜形成在该第一金属膜的一个端部的内侧。
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公开(公告)号：CN120019726A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380070619.7
申请日：2023-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种半导体装置，包括晶体管、第一层间绝缘层、第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层。晶体管包括用作源电极和漏电极中的一个的第一导电层及用作源电极和漏电极中的另一个的第二导电层，在第一导电层与第二导电层之间设置第一和第二层间绝缘层。在第一和第二层间绝缘层以及第二导电层中设置有到达第一导电层的开口部，以具有位于该开口部的内部的区域的方式依次设置半导体层、第一栅极绝缘层及第一栅电极。在第一层间绝缘层与第二层间绝缘层之间以覆盖半导体层的侧面的方式设置第二栅电极。第二栅电极包括具有与半导体层接触的区域的氧化物区域。氧化物区域被用作第二栅极绝缘层。
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公开(公告)号：CN119908173A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380064404.4
申请日：2023-09-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 一种存储装置包括：衬底上的第一绝缘体；覆盖第一绝缘体的至少一部分的氧化物半导体；氧化物半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体上的第二绝缘体；第二导电体上的第三绝缘体；第二绝缘体上的第三导电体；第三绝缘体上的第四导电体；配置在第三导电体及第四导电体上且具有重叠于第一导电体、第二绝缘体及第三导电体与第二导电体、第三绝缘体及第四导电体间的第一开口的第四绝缘体；配置在第一开口内的第五绝缘体；配置在第五绝缘体上的第五导电体；配置在形成于第四绝缘体中的第二开口内且接触于第三导电体的顶面的第六导电体；以及配置在形成于第四绝缘体、第三绝缘体及第四导电体中的第三开口内且接触于第二导电体的顶面的第七导电体，其中，第一绝缘体的高度比第一绝缘体的宽度长，第一绝缘体的顶面与第五绝缘体接触。
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公开(公告)号：CN111788696B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN201980015985.6
申请日：2019-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括：第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第一绝缘体；第一绝缘体上的导电体；与第二氧化物及第三氧化物接触的第二绝缘体；以及第二绝缘体上的第三绝缘体，其中，第二氧化物包括第一区域至第五区域，第一区域及第二区域的电阻比第三区域的电阻低，第四区域及第五区域的电阻比第三区域的电阻低且比第一区域及第二区域的电阻高，并且，导电体以与第三区域、第四区域及第五区域重叠的方式设置在第三区域、第四区域及第五区域的上方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119769190A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380060987.3
申请日：2023-08-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖半导体装置。在电容器上层叠设置垂直沟道型晶体管。作为电容器的介电层使用铁电体。铁电体优选包含铪、锆或者选自第13至15族元素中的至少一个元素。通过将氧化物半导体用于垂直沟道型晶体管的半导体层，源极与漏极间的绝缘耐压得到提高而可以缩短沟道长度。
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公开(公告)号：CN112447130B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202011381869.7
申请日：2010-09-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/30 , G09G3/3225 , G09G3/3266 , H10K59/121 , H10K59/131
Abstract: 本发明涉及显示装置和包括显示装置的电子设备。本发明的一个目的在于提供具有减少的功耗的显示装置以及提供具有减少的功耗且在暗处能够长时间地使用的自发光型显示装置。利用薄膜晶体管形成电路，在该薄膜晶体管中使用了高度纯净化的氧化物半导体，并且像素能够保持一定的状态(视频信号已被写入的状态)。因此，即使在显示静止图像的情况下，也能容易地执行稳定的操作。此外，可以延长驱动器电路的操作间隔，这使得显示装置的功耗降低。而且，在自发光型显示装置的像素部分中使用蓄光材料以存储光，由此能够在暗处较长时间地使用该显示装置。
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公开(公告)号：CN119585794A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380054783.9
申请日：2023-07-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括运算装置、总线及存储装置。存储装置包括具有多个读出电路的第一元件层及具有多个单元阵列的第二元件层。各读出电路包括读出放大器。各单元阵列包括存储单元。第二元件层以在第一元件层上重叠的方式设置。存储单元与读出放大器通过位线电连接。存储装置通过总线与运算装置电连接。保持在多个单元阵列中的一个的数据通过多个读出电路中的一个输出到总线。输出到总线的数据以8位的倍数的位宽被输出。
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公开(公告)号：CN119318054A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380045088.6
申请日：2023-06-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0587 , H01G11/26 , H01G11/46 , H01G11/70 , H01G11/74 , H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/525 , H01M10/052 , H01M50/533 , H01M50/538
Abstract: 提供一种同时实现高安全性及充放电时间的缩短的二次电池。该二次电池为卷绕型二次电池，正极的正极集流体包括第一极耳及第二极耳，负极的负极集流体包括第三极耳及第四极耳。第一极耳位于比第二极耳更接近卷绕中心的部分，第三极耳位于比第四极耳更接近卷绕中心的部分。第一极耳与第二极耳在第一接合部接合，第三极耳与第四极耳在第二接合部接合。正极活性物质包括第一区域及位于正极活性物质的表面一侧的第二区域。第一区域包含锂、钴及氧。第二区域包含锂、钴、镁及氧。
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公开(公告)号：CN119300442A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410841064.8
申请日：2024-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开涉及氧化物半导体层、半导体装置以及半导体装置的制造方法。提供一种可用于具有良好的电特性的半导体装置的氧化物半导体层。另外，提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明是一种形成在衬底上的包含铟的氧化物半导体层，氧化物半导体层以与衬底的表面平行或大致平行的方式形成，氧化物半导体层具有第一区域、第一区域上的第二区域以及第二区域上的第三区域，第一区域大致垂直地位于离氧化物半导体层的被形成面有0nm以上且3nm以下处，在利用透射电子显微镜观察氧化物半导体层的截面时，在第一区域、第二区域及第三区域的每一个中确认到在平行于被形成面的方向上排列为层状的亮点。
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