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公开(公告)号：CN102751194A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210116863.6
申请日：2012-04-19
申请人： 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/04 , H01L21/28008 , H01L29/66765 , H01L29/786 , H01L29/78648 , H01L29/78678 , H01L29/78696
摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法，通过对含氮的栅极绝缘膜进行等离子体氧化处理，可以抑制薄膜晶体管特性的降低。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法，其为具备薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，该薄膜晶体管具有栅电极(103)、含氮的栅极绝缘膜(105)及由微晶半导体膜(107)、(109)形成的沟道区，其特征在于，进行使所述栅极绝缘膜暴露于具有含有氧原子的氧化气体和氢的氧化气体气氛的等离子体中的等离子体处理，在所述栅极绝缘膜上形成所述微晶半导体膜，使所述氧化气体气氛中的所述氢的量为a，使所述氧化气体的量为b时，满足下述式(1)、(2)。a/b≥2…(1)b＞0…(2)。
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公开(公告)号：CN102751194B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210116863.6
申请日：2012-04-19
申请人： 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/04 , H01L21/28008 , H01L29/66765 , H01L29/786 , H01L29/78648 , H01L29/78678 , H01L29/78696
摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法，通过对含氮的栅极绝缘膜进行等离子体氧化处理，可以抑制薄膜晶体管特性的降低。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法，其为具备薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，该薄膜晶体管具有栅电极(103)、含氮的栅极绝缘膜(105)及由微晶半导体膜(107)、(109)形成的沟道区，其特征在于，进行使所述栅极绝缘膜暴露于具有含有氧原子的氧化气体和氢的氧化气体气氛的等离子体中的等离子体处理，在所述栅极绝缘膜上形成所述微晶半导体膜，使所述氧化气体气氛中的所述氢的量为a，使所述氧化气体的量为b时，满足下述式(1)、(2)。a/b≥2 …(1)b＞0 …(2)。
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公开(公告)号：CN110003088A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910140617.6
申请日：2013-08-02
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C07D209/86 , C07D409/10 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
摘要： 本发明的一个方式提供一种空穴传输性高的新颖的有机化合物。本发明的一个方式提供一种长寿命的发光元件。本发明的一个方式提供一种由通式（G0）表示的有机化合物。在通式（G0）中，Ar1表示取代或未取代的萘基，Ar2表示取代或未取代的咔唑基，Ar3表示取代或未取代的芴基或取代或未取代的螺芴基，α1及α2分别独立表示取代或未取代的亚苯基或取代或未取代的联苯二基。
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公开(公告)号：CN109414629A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780021917.1
申请日：2017-03-30
申请人： 株式会社半导体能源研究所
摘要： 提供一种新颖的升华纯化方法。此外，提供一种新颖的升华纯化装置。一种使用包括通过使物质气化进行纯化的纯化部、温度调节单元、气体供应单元及气体排出单元的纯化装置的纯化方法。其中，使用气体排出单元将纯化部内设定为第一压力，使用温度调节单元设定纯化部的温度梯度来纯化物质，然后，使用气体供应单元将纯化部内的压力设定为第二压力，使用温度调节单元冷却纯化部。第二压力高于第一压力，并且，第二压力为大气压以上。
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公开(公告)号：CN103570607A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310332822.5
申请日：2013-08-02
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C07D209/86 , H01L51/50 , H01L51/54
摘要： 本发明的一个方式提供一种空穴传输性高的新颖的有机化合物。本发明的一个方式提供一种长寿命的发光元件。本发明的一个方式提供一种由通式（G0）表示的有机化合物。在通式（G0）中，Ar1表示取代或未取代的萘基，Ar2表示取代或未取代的咔唑基，Ar3表示取代或未取代的芴基或取代或未取代的螺芴基，α1及α2分别独立表示取代或未取代的亚苯基或取代或未取代的联苯二基。
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公开(公告)号：CN108075044B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201711129252.4
申请日：2017-11-15
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/54 , H01L27/32 , C07D239/26 , C07D403/12 , C07D241/12 , C09K11/06
摘要： 本发明的一个方式提供一种驱动电压低且发光效率高的发光元件。一种包含第一有机化合物、第二有机化合物及客体材料的发光元件。第一有机化合物的LUMO能级比第二有机化合物的LUMO能级低，其差大于0eV小于0.5eV。另外，第一有机化合物的HOMO能级比第二有机化合物的HOMO能级低。客体材料具有能够使三重激发能转换为发光的功能。第一有机化合物和第二有机化合物是形成激基复合物的组合。
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公开(公告)号：CN108075044A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711129252.4
申请日：2017-11-15
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/54 , H01L27/32 , C07D239/26 , C07D403/12 , C07D241/12 , C09K11/06
CPC分类号： H01L51/0051 , C07F15/0033 , C09K11/06 , G06F3/0412 , G06F3/045 , H01L27/3267 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5004 , H01L51/5016 , H01L51/5028 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L2251/5384 , H01L2251/552 , H05B33/14 , H05B33/20 , C07D239/26 , C07D241/12 , C07D403/12 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , H01L27/32 , H01L51/0032 , H01L51/0052 , H01L51/5012
摘要： 本发明的一个方式提供一种驱动电压低且发光效率高的发光元件。一种包含第一有机化合物、第二有机化合物及客体材料的发光元件。第一有机化合物的LUMO能级比第二有机化合物的LUMO能级低，其差大于0eV小于0.5eV。另外，第一有机化合物的HOMO能级比第二有机化合物的HOMO能级低。客体材料具有能够使三重激发能转换为发光的功能。第一有机化合物和第二有机化合物是形成激基复合物的组合。
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公开(公告)号：CN107068913A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710084375.4
申请日：2013-07-25
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L51/54 , H01L51/50 , C07D209/86
CPC分类号： H01L51/006 , C07D209/86 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/0052 , H01L51/0056 , H01L51/0058 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5024 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L2251/5384
摘要： 提供一种具有长使用寿命的发光元件。提供一种在高亮度区域中呈现高发光效率的发光元件。提供一种在一对电极之间包括发光层的发光元件。该发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及磷光化合物。该第一有机化合物由通式（G0）表示。该第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。该第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。在通式（G0）中，Ar1及Ar2分别独立地表示芴基、螺芴基或联苯基，并且Ar3表示包括咔唑骨架的取代基。
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公开(公告)号：CN115280555A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202180022195.8
申请日：2021-03-09
申请人： 株式会社半导体能源研究所
摘要： 提供一种充放电容量大的正极活性物质。提供一种充放电电压高的正极活性物质。提供一种劣化少的蓄电装置。提供一种安全性高的蓄电装置。提供一种新颖的蓄电装置。正极活性物质包含锂、多个过渡金属、氧及杂质元素。正极活性物质包括具有表层部的第一区域及设置于内部的第二区域，第一区域的过渡金属的浓度比所述第二区域高。在第一区域与第二区域之间包含杂质区域。
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公开(公告)号：CN110003088B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201910140617.6
申请日：2013-08-02
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C07D209/86 , C07D409/10 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
摘要： 本发明的一个方式提供一种空穴传输性高的新颖的有机化合物。本发明的一个方式提供一种长寿命的发光元件。本发明的一个方式提供一种由通式（G0）表示的有机化合物。在通式（G0）中，Ar1表示取代或未取代的萘基，Ar2表示取代或未取代的咔唑基，Ar3表示取代或未取代的芴基或取代或未取代的螺芴基，α1及α2分别独立表示取代或未取代的亚苯基或取代或未取代的联苯二基。
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