公开(公告)号：CN102456552A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110308492.7

申请日：2011-10-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 小松立 ,  神保安弘 ,  宫入秀和 ,  山元良高

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675

Abstract: 本发明的目的是提供保持高膜密度的同时提高结晶性的微晶硅膜的制造方法。本发明的微晶硅膜的制造方法包括如下步骤：在第一条件下在绝缘膜上形成具有混合相微粒的微晶硅膜，在其上，在第二条件下形成第二微晶硅膜。第一条件和第二条件是如下条件：将包含硅的沉积气体和包含氢的气体用作第一原料气体和第二原料气体。作为第一条件的第一原料气体的供给，交替进行第一气体的供给以及第二气体的供给。

公开(公告)号：CN102312220B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201110179764.8

申请日：2011-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小松立 ,  神保安弘 ,  宫入秀和

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/515 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的一个方式提供一种以高生产率制造电特性优良的半导体装置的方法。在第一条件下形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的种子，然后在第二条件下以使混合相微粒生长来填埋混合相微粒之间的空隙的方式在种子上层叠形成微晶半导体膜。在第一条件中，将氢流量设定为含有硅或锗的沉积气体流量的50倍以上且1000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为67Pa以上且1333Pa以下。在第二条件中，使含有硅或锗的沉积气体与氢的流量比周期性地增减并将其供应到处理室内，并且将处理室内的压力设定为1333Pa以上且13332Pa以下。

公开(公告)号：CN102312220A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110179764.8

申请日：2011-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小松立 ,  神保安弘 ,  宫入秀和

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/515 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的一个方式提供一种以高生产率制造电特性优良的半导体装置的方法。在第一条件下形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的种子，然后在第二条件下以使混合相微粒生长来填埋混合相微粒之间的空隙的方式在种子上层叠形成微晶半导体膜。在第一条件中，将氢流量设定为含有硅或锗的沉积气体流量的50倍以上且1000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为67Pa以上且1333Pa以下。在第二条件中，使含有硅或锗的沉积气体与氢的流量比周期性地增减并将其供应到处理室内，并且将处理室内的压力设定为1333Pa以上且13332Pa以下。

公开(公告)号：CN109273622B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201811105357.0

申请日：2014-07-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 青山智哉 ,  千田章裕 ,  小松立

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 为了提高剥离工序中的成品率，并且提高柔性发光装置等的制造工序中的成品率，一种剥离方法包括在第一基板上形成剥离层的第一步骤、在剥离层上形成包含与剥离层接触的第一层的待剥离层的第二步骤、使与剥离层及待剥离层重叠的状态下的粘合层固化的第三步骤、去除与剥离层及粘合层重叠的第一层的一部分来形成起剥点的第四步骤以及将剥离层和待剥离层分离的第五步骤。所述起剥点优选通过激光照射形成。

公开(公告)号：CN101884112A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118999.2

申请日：2008-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  小松立

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明提供了一种使用少数量掩模的薄膜晶体管和显示器件的制造方法。将第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、和第二导电膜堆叠。然后，使用多色调掩模在其上面形成具有凹陷部分的抗蚀剂掩模。执行第一蚀刻以形成薄膜堆叠体，并执行其中对薄膜堆叠体进行侧蚀刻的第二蚀刻以形成栅极电极层。使抗蚀剂凹入，然后形成源极电极、漏极电极等；由此，制造薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN109273622A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201811105357.0

申请日：2014-07-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 青山智哉 ,  千田章裕 ,  小松立

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 为了提高剥离工序中的成品率，并且提高柔性发光装置等的制造工序中的成品率，一种剥离方法包括在第一基板上形成剥离层的第一步骤、在剥离层上形成包含与剥离层接触的第一层的待剥离层的第二步骤、使与剥离层及待剥离层重叠的状态下的粘合层固化的第三步骤、去除与剥离层及粘合层重叠的第一层的一部分来形成起剥点的第四步骤以及将剥离层和待剥离层分离的第五步骤。所述起剥点优选通过激光照射形成。

公开(公告)号：CN105474355B

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201480044272.X

申请日：2014-07-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 青山智哉 ,  千田章裕 ,  小松立

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: 为了提高剥离工序中的成品率，并且提高柔性发光装置等的制造工序中的成品率，一种剥离方法包括在第一基板上形成剥离层的第一步骤、在剥离层上形成包含与剥离层接触的第一层的待剥离层的第二步骤、使与剥离层及待剥离层重叠的状态下的粘合层固化的第三步骤、去除与剥离层及粘合层重叠的第一层的一部分来形成起剥点的第四步骤以及将剥离层和待剥离层分离的第五步骤。所述起剥点优选通过激光照射形成。

公开(公告)号：CN107256929A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710512150.4

申请日：2013-04-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 千田章裕 ,  波多野薰 ,  青山智哉 ,  小松立 ,  片庭正敏

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：形成电极端子和第一电极层；在所述电极端子上形成第一层且在所述第一电极层上形成第二层，所述第一层和所述第二层包含发光物质；在所述第二层上形成第二电极层；形成与所述第二电极层和所述电极端子重叠的树脂层；以及通过去除所述树脂层的一部分和所述第一层的一部分，形成与所述电极端子重叠的开口，其中，所述第一电极层、所述第二层和所述第二电极层形成发光元件。通过本发明，可以不损伤电极端子而使被有机膜覆盖的电极端子露出。

公开(公告)号：CN103383991B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201310144457.5

申请日：2013-04-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 千田章裕 ,  波多野薰 ,  青山智哉 ,  小松立 ,  片庭正敏

IPC: H01L51/56 ,  H01L21/77 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/5361

Abstract: 本发明的课题是提供一种在发光装置中，可以不损伤电极端子而使被有机膜覆盖的电极端子露出的方法。在输入来自外部电源的电力或外部信号的电极端子的区域上形成岛状的包含有机化合物的层，并且在其上部形成有机膜。通过利用包含有机化合物的层与电极端子之间的界面处的贴紧性较低的性质去除有机膜，可以不损伤电极端子而使其露出。

公开(公告)号：CN101504930B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200910004867.3

申请日：2009-01-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井坂史人 ,  加藤翔 ,  根井孝征 ,  小松立 ,  沟井达也 ,  下村明久

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明的目的之一在于：提供一种可以减少贴合不良，并可以形成大面积的单晶半导体膜的SOI衬底的制造方法。一种SOI衬底的制造方法，其步骤如下：在形成有多个第一单晶半导体膜的第一衬底上形成用作接合层的第一绝缘膜；对第一绝缘膜进行平坦化之后，在第一绝缘膜上贴合单晶半导体膜并进行热处理以形成第二单晶半导体膜；接下来，将第一和第二单晶半导体膜用作种子层形成第三单晶半导体膜；在通过对第三单晶半导体膜引入离子形成脆化层之后，在第三单晶半导体膜上形成用作接合层的第二绝缘膜；将第二衬底贴合在第二绝缘膜上并进行热处理；夹着第二绝缘膜在第二衬底上固定第三单晶半导体膜的一部分。