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公开(公告)号：CN1373384A
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN02106559.4
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/4846 , G02F1/13454 , G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L21/02367 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1277 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 提供一种半导体器件的结构及其制造方法,其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。象素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构,以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形,并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。
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公开(公告)号：CN100573884C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710085019.0
申请日：2002-03-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L23/528 , H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/49 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F2001/13629 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L27/3241 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L51/5203 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的布线具有层叠结构，它包括具有第一宽度的第一导电层(第一层)，由选自W和Mo，或主要含该元素的合金或化合物的一种或多种元素制成；低阻的第二导电层(第二层)，其具有小于第一宽度的第二宽度，由主要含Al的合金或化合物制成；及第三导电层(第三层)，其具有小于第二宽度的第三宽度，由主要含Ti的合金或化合物制成。采用这种结构，使本发明为像素段的扩大留有充分的余地。至少第二导电层的边缘具有锥形的截面。由于这种形状，使得能够获得令人满意的覆盖范围。
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公开(公告)号：CN1378276A
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：CN02108075.5
申请日：2002-03-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L23/52 , H01L23/485 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/60 , H05K1/00 , H05K3/46 , G02F1/133
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F2001/13629 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L27/3241 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L51/5203 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的布线具有层叠结构,它包括具有第一宽度的第一导电层(第一层),由选自W和Mo,或主要含该元素的合金或化合物的一种或多种元素制成;低阻的第二导电层(第二层),其具有小于第一宽度的第二宽度,由主要含Al的合金或化合物制成;及第三导电层(第三层),其具有小于第二宽度的第三宽度,由主要含Ti的合金或化合物制成。采用这种结构,使本发明为象素段的扩大留有充分的余地。至少第二导电层的边缘具有锥形的截面。由于这种形状,使得能够获得令人满意的覆盖范围。
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公开(公告)号：CN101009241B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200710085014.8
申请日：2002-03-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F2001/13629 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L27/3241 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L51/5203 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的布线具有层叠结构，它包括具有第一宽度的第一导电层(第一层)，由选自W和Mo，或主要含该元素的合金或化合物的一种或多种元素制成；低阻的第二导电层(第二层)，其具有小于第一宽度的第二宽度，由主要含Al的合金或化合物制成；及第三导电层(第三层)，其具有小于第二宽度的第三宽度，由主要含Ti的合金或化合物制成。采用这种结构，使本发明为象素段的扩大留有充分的余地。至少第二导电层的边缘具有锥形的截面。由于这种形状，使得能够获得令人满意的覆盖范围。
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公开(公告)号：CN100474595C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200710085810.1
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , G02F1/1362
Abstract: 提供一种半导体器件的结构及其制造方法，其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。像素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构，以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形，并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101009241A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710085014.8
申请日：2002-03-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F2001/13629 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L27/3241 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L51/5203 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的布线具有层叠结构，它包括具有第一宽度的第一导电层(第一层)，由选自W和Mo，或主要含该元素的合金或化合物的一种或多种元素制成；低阻的第二导电层(第二层)，其具有小于第一宽度的第二宽度，由主要含Al的合金或化合物制成；及第三导电层(第三层)，其具有小于第二宽度的第三宽度，由主要含Ti的合金或化合物制成。采用这种结构，使本发明为象素段的扩大留有充分的余地。至少第二导电层的边缘具有锥形的截面。由于这种形状，使得能够获得令人满意的覆盖范围。
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公开(公告)号：CN1555098B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200410069425.4
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/4846 , G02F1/13454 , G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L21/02367 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1277 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 提供一种半导体器件的结构及其制造方法，其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。象素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构，以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形，并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。
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公开(公告)号：CN101009292A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710085019.0
申请日：2002-03-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L23/528 , H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/49 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F2001/13629 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L27/3241 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L51/5203 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的布线具有层叠结构，它包括具有第一宽度的第一导电层(第一层)，由选自W和Mo，或主要含该元素的合金或化合物的一种或多种元素制成；低阻的第二导电层(第二层)，其具有小于第一宽度的第二宽度，由主要含Al的合金或化合物制成；及第三导电层(第三层)，其具有小于第二宽度的第三宽度，由主要含Ti的合金或化合物制成。采用这种结构，使本发明为象素段的扩大留有充分的余地。至少第二导电层的边缘具有锥形的截面。由于这种形状，使得能够获得令人满意的覆盖范围。
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公开(公告)号：CN1311549C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN02108075.5
申请日：2002-03-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L23/52 , H01L23/485 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/60 , H05K1/00 , H05K3/46 , G02F1/133
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F2001/13629 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L27/3241 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L51/5203 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的布线具有层叠结构，它包括具有第一宽度的第一导电层(第一层)，由选自W和Mo，或主要含该元素的合金或化合物的一种或多种元素制成；低阻的第二导电层(第二层)，其具有小于第一宽度的第二宽度，由主要含Al的合金或化合物制成；及第三导电层(第三层)，其具有小于第二宽度的第三宽度，由主要含Ti的合金或化合物制成。采用这种结构，使本发明为象素段的扩大留有充分的余地。至少第二导电层的边缘具有锥形的截面。由于这种形状，使得能够获得令人满意的覆盖范围。
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公开(公告)号：CN1614743B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200410092710.8
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/4846 , G02F1/13454 , G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L21/02367 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1277 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 提供一种半导体器件的结构及其制造方法，其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。象素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构，以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形，并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。
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