公开(公告)号：CN100578534C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200310123564.6

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  秋叶麻衣

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/02

CPC classification number: G06K19/077 ,  G06K19/07703 ,  G06Q20/105 ,  G06Q20/3415 ,  G07F7/1008 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2224/45147

Abstract: 本发明的目的是提供一种高功能智能卡，该智能卡可以防止更换脸部相片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部相片以外的图像。具有显示器件和多个薄膜集成电路的智能卡，该卡用多个薄膜集成电路控制显示器件的驱动，用于显示器件以及多个薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，多个薄膜集成电路被层叠，显示器件和多个薄膜显示器件被搭载到同一个印刷线路板上，智能卡的厚度在0.05mm-1mm的范围内。

公开(公告)号：CN101615592A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910161413.7

申请日：2003-12-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  高山彻 ,  大野由美子 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1218 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603 ,  H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2221/68368

Abstract: 本申请为半导体器件及其制造方法、层离方法、以及转移方法。试验了一种用来在典型为柔性塑料膜的具有柔性的衬底上制作TFT元件的技术。当结构中用光阻挡层或反射层来防止对层离层的损伤时，难以制造透射型液晶显示器件或向下发光的发光器件。在金属膜形成在衬底上的状态下，用物理方法或机械方法分离了衬底与层离膜，且提供了包含包括金属的氧化物膜的层离层和形成在金属膜上的包含硅的膜。具体地说，制作了一种TFT，此TFT借助于在金属膜上形成包括金属的氧化物层；用热处理方法晶化氧化物层；以及在氧化物层中或在氧化物层的二个界面处进行分离而得到。

公开(公告)号：CN100576533C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200710186679.8

申请日：2003-12-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  田中幸一郎

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/02667 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15183 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 一种半导体装置，包括：内插板；设在所述内插板上的布线；包括在所述内插板之上的第一半导体器件、第一焊垫和第一焊锡球的第一芯片，所述第一半导体器件电连接到所述第一焊垫，而所述第一焊垫电连接到所述第一焊锡球；包括在所述第一芯片之上的第二半导体器件、第二焊垫和第二焊锡球的第二芯片，所述第二半导体器件电连接到所述第二焊垫，而所述第二焊垫电连接到所述第二焊锡球；以及设在所述内插板尾侧的终端；其中所述布线和所述第一芯片经由所述第一焊锡球电连接；其中所述第一芯片和所述第二芯片经由所述第二焊锡球电连接；以及其中所述终端电连接到所述第一半导体器件。

公开(公告)号：CN101577271A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910147514.9

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桑原秀明 ,  高山彻 ,  后藤裕吾 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  山崎舜平

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及其制作方法，本发明的目的是提供一种低成本，小体积，并且高集成化的半导体器件。本发明利用转移技术，将用半导体薄膜形成的半导体元件转移到用半导体衬底形成的半导体元件之上，从而制作半导体器件。跟常规的MCP相比，本发明可以用更低成本，并更高产量地大量生产半导体器件，而且可以减少每个半导体器件的生产成本。

公开(公告)号：CN100365760C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200310120685.5

申请日：2003-12-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02667 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15183 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明的目的是在不实施造成裂缝以及研磨痕迹的背面研磨处理的情况下，提供一种封装以及其制作方法，该封装可以使芯片飞跃性地变薄，而且可以制作出低成本并且高产量的芯片，还可以抑制芯片厚度的不均匀。本发明用连续振荡的激光晶化形成在作为支撑物发挥作用的衬底上的膜的厚度等于或少于500nm的半导体薄膜，然后用该晶化过的半导体膜形成芯片，该芯片具有总膜厚为5μm，优选等于或少于2μm的薄膜的半导体元件。并且，在最后衬底被剥离的状态下，该芯片被安装到内插板。

公开(公告)号：CN1708852A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102145.2

申请日：2003-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  村上雅一 ,  浜谷敏次 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L31/105 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/003 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5253 ,  H01L2221/68368

Abstract: 本发明的课题是提供在各种各样的基体材料粘贴被剥离层的轻量的半导体装置及其制作方法。本发明在衬底上形成被剥离层，在该被剥离层上用粘接材料粘贴设有刻蚀阻止膜的密封衬底，然后，仅刻蚀或研磨去除密封衬底。残留的刻蚀阻止膜直接作为阻挡膜。另外，粘接材料也可采用粘接磁片。

公开(公告)号：CN1542909A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410043013.3

申请日：2004-02-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今井馨太郎 ,  高山彻 ,  后藤裕吾 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法，该方法包括在从基板上分离形成在基板上的包括半导体元件或集成电路的元件形成层将其粘结到另一个基板上的情况下能够控制基板和元件形成层的附着力的转移步骤。在形成在基板(第一基板)上的半导体元件或由多个半导体元件构成的集成电路与基板之间形成由好的附着力的材料制成的粘合剂，由此，能够在制造半导体元件的过程中防止半导体元件从基板上脱落，而且，通过在形成半导体元件之后去除粘合剂，更容易从基板上分离半导体元件。

公开(公告)号：CN1525393A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200410007026.5

申请日：2004-02-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒井康行 ,  石川明 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  馆村祐子

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/02

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/07749 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/78603

Abstract: 用硅片制成的集成电路由于其厚度厚，如果搭载到容纳商品的容器自身上，势必使容器的表面出现凸凹不平，这样就会给商品的设计性带来负面影响。本发明的目的是提供一种厚度极薄的薄膜集成电路，以及具备该薄膜集成电路的薄膜集成电路器件。本发明的薄膜集成电路有一个特征是它和常规的用硅片形成的集成电路不同，具有作为激活区(比如如果是薄膜晶体管，则指沟道形成区域)的半导体膜。由于本发明的薄膜集成电路厚度极其薄，所以即使搭载到卡或容器等商品，也不会损伤商品的设计性。

公开(公告)号：CN102354067B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201110293254.3

申请日：2004-01-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  远藤秋男 ,  荒井康行

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/13357 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133603 ,  G02F2001/13613 ,  H01L27/14678 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592

Abstract: 本发明的目的是在不妨碍便携用电子器具的轻巧化或小体积化的情况下，实现高功能化。确切地说，本发明的目的是在不损伤搭载在便携用电子器具的液晶显示器件的机械强度的情况下，实现轻巧化，小体积化。一种包括第一塑料衬底；配置在第一塑料衬底上的发光元件；覆盖该发光元件的树脂；和该树脂连接的绝缘膜；和该绝缘膜连接的半导体元件；和该半导体元件电连接的液晶单元；第二塑料衬底的液晶显示器件，其中，所述半导体元件和所述液晶单元提供在第一塑料衬底和第二塑料衬底之间。

公开(公告)号：CN101499201B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN200810176170.X

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  秋叶麻衣

IPC: G07G1/06 ,  G06K19/077 ,  G07F7/08

CPC classification number: G06K19/07749 ,  G06K19/077 ,  G06K19/07703 ,  G06Q20/341 ,  G06Q20/40145 ,  G07F7/1008

Abstract: 本发明的名称为卡以及利用该卡的记帐系统，目的是提供一种更高功能的智能卡，该智能卡可以防止更换脸部照片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部照片以外的图像。具有显示器件和薄膜集成电路的卡，该卡用薄膜集成电路来控制显示器件的驱动，用于显示器件以及薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，所述薄膜集成电路和显示器件被树脂密封在所述卡的第一衬底和第二衬底之间，并且，第一和第二衬底是塑料衬底。