公开(公告)号：CN117980533A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280061703.8

申请日：2022-08-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赵庆华 ,  程睿 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/04 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括在限定半导体处理腔室的处理区域的表面上沉积含硅层。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成含氢前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硅材料。

公开(公告)号：CN117293018A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311074164.4

申请日：2018-05-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  Y·杨 ,  陈一宏 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/033

Abstract: 在一个实现方式中，提供了一种在处理腔室中的衬底上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在衬底上沉积预定厚度的牺牲介电层。所述方法还包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述衬底的上表面来在所述衬底上形成图案化特征。所述方法还包括对所述图案化特征执行等离子体处理。所述方法还包括在所述图案化特征和所述衬底的所述暴露上表面上沉积非晶硅层。所述方法还包括使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述衬底的所述上表面选择性去除所述非晶硅层，以提供填充在由所述非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。

公开(公告)号：CN117203739A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202280030923.4

申请日：2022-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·爱丁 ,  程睿 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/02

Abstract: 示例性沉积方法可包括将含硼前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括以含硼前驱物输送含掺杂剂前驱物。含掺杂剂前驱物可包括金属。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积掺杂硼材料。掺杂硼材料可在掺杂硼材料中包括大于或约80原子百分含量的硼。

公开(公告)号：CN117165927A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311137299.0

申请日：2016-09-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  A·B·玛里克

IPC: C23C18/12 ,  C23C16/36 ,  C23C16/32

Abstract: 用于通过将基板表面暴露于硼烷前驱物而在基板表面上形成碳化硼膜的方法。碳化硼膜任选地包含氮和/或氢。碳化硼膜可沉积在大体上不包含硼的表面上。硼烷前驱物可以包括具有通式NHR2BH3的化合物，其中每个R独立地从由以下组成的群组中选出：氢、C1‑C10烷基、C1‑C10烯基和芳基。

公开(公告)号：CN116631865A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310649955.9

申请日：2017-01-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 托马斯·琼万·权 ,  程睿 ,  阿布海杰特•巴苏•马利克 ,  平尔萱 ,  安在洙

IPC: H01L21/3213 ,  H10B43/27 ,  H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及改善的硬模材料和用于基板的图案化和蚀刻的方法。多个硬模可与图案化和蚀刻工艺共同使用以实现先进的装置架构。在一个实施方式中，第一硬模和第二硬模设置于基板上，所述基板具有设置于所述基板上的各种材料层。在第一蚀刻工艺期间可使用第二硬模以图案化第一硬模。可在第一硬模和第二硬模上沉积第三硬模，并且可使用第二蚀刻工艺以在材料层中形成通道。

公开(公告)号：CN110546753B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201880026884.4

申请日：2018-04-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  A·B·玛里克 ,  P·曼纳 ,  陈一宏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3065

Abstract: 此处说明用于无缝间隙填充的方法，包括以下步骤：在特征中沉积膜；处理膜以改变某些膜特性；以及从顶部表面选择性地蚀刻膜。重复沉积、处理以及蚀刻的步骤以在特征中形成无缝间隙填充。

公开(公告)号：CN116368599A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202180069574.2

申请日：2021-09-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·爱丁 ,  程睿 ,  杨毅 ,  K·尼塔拉 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  戚波 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/033

Abstract: 示例性沉积方法可包括将含硅前驱物和含硼前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括用含硅前驱物和含硼前驱物输送含掺杂剂的前驱物。含掺杂剂的前驱物可包括碳、氮、氧或硫中的一者或多者。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域中的基板上沉积硅和硼材料。硅和硼材料可包括来自含掺杂剂的前驱物的大于或约1原子％的掺杂剂。

公开(公告)号：CN110892505B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201880046268.5

申请日：2018-05-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  杨奕 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了用于无接缝和空隙的间隙填充方法，诸如用非晶硅对高纵横比的沟槽进行间隙填充。一种方法通常包括：在其上具有一个或多个特征的半导体器件上沉积非晶硅；将所述沉积的非晶硅退火以使所述一个或多个特征之间的所述沉积的非晶硅中的一个或多个接缝修复；以及蚀刻所述经退火的非晶硅以去除所述一个或多个特征之间的所述经退火的非晶硅中的一个或多个空隙。通常，将沉积、退火和蚀刻工艺重复任何合适的次数以实现非晶硅间隙填充，而在一个或多个特征之间没有任何接缝或空隙。

公开(公告)号：CN107949918B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201680050010.3

申请日：2016-08-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔 ,  P·曼纳

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/324 ,  H01L29/417

Abstract: 本文中所述的实施方式总体涉及对基板上的三维(3D)结构的掺杂。在一个实施方式中，保形的含掺杂物膜可沉积在3D结构上方。可结合在膜中的合适的掺杂物可以包括硼、磷、和其他合适的掺杂物。随后可使膜退火以将掺杂物扩散至3D结构中。

公开(公告)号：CN111463146A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201911327919.0

申请日：2019-12-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·S·C·帕里米 ,  Z·黄 ,  J·李 ,  S·拉达克里什南 ,  程睿 ,  D·N·凯德拉亚 ,  J·C·罗查 ,  U·M·科尔卡 ,  K·杰纳基拉曼 ,  S·M·博贝克 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  V·K·普拉巴卡尔 ,  B·S·权

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。