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公开(公告)号：CN108983867A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810508904.3
申请日：2018-05-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G01R19/16519 , G01R19/0038 , G01R19/04 , G01R19/16552 , H03K19/0013 , H03K19/0944 , G05F3/26
Abstract: 本发明公开一种电压选择电路。电压选择电路包括：电源检测电路，被配置成将输出电压分别与第一输入电压及第二输入电压进行比较；锁存电路，耦合到所述电源检测电路，且被配置成在所述输出电压低于所述第一输入电压或所述第二输入电压时翻转一对输出信号各自的逻辑状态；以及选择电路，耦合到所述锁存电路，且被配置成基于所述一对输出信号各自的所述逻辑状态而使用所述第一输入电压或所述第二输入电压作为所述输出电压。
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公开(公告)号：CN108231113A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711056997.2
申请日：2017-10-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/417 , G11C5/14
Abstract: 本发明提供了一种双轨器件，包括通过第一头控制开关耦合至第一电源的第一电源域电路和耦合至第二电源的第二电源域电路。第一电源和第二电源具有不同的稳态电压电平。第一电源域电路接口连接至第二电源域电路。该器件还包括电源检测器电路，用于响应于第二电源的电压电平，为第一头控制开关提供控制信号。本发明还提供了操作双轨器件的方法。
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公开(公告)号：CN107705812A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710674795.8
申请日：2017-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/418
CPC classification number: G11C11/419 , G11C7/12 , G11C11/418
Abstract: 在一个实施例中，提供一种静态随机存取存储器SRAM装置。所述SRAM装置包括：多个存储器单元；位线，其在数据节点处耦合到所述多个存储器单元中的第一组；及第一电压供应线，其耦合到所述多个存储器单元中的第二组。所述SRAM装置进一步包括：第一开关，其用于将所述第一电压供应线选择性地耦合到第一电压源以将所述第一电压供应线充电到第一电压电平；及第二开关，其用于将所述第一电压供应线选择性地耦合到所述位线以将所述位线预充电到比所述第一电压电平小的位线电压电平。
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公开(公告)号：CN104637529A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410033720.8
申请日：2014-01-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/418 , G11C8/16 , G11C8/18
Abstract: 除了其他方面，提供了用于便于对单端口存储器件进行存取操作的一种或多种技术或者系统。在系统时钟的单时钟周期期间对单端口存储器件（诸如SPSRAM的6晶体管位单元阵列）进行多次存取操作。在一个实施例中，封装控制器基于系统时钟的上升沿在系统时钟的第一时钟周期期间启动第一存取操作。响应于在第一时钟操作期间接收操作完成信号，封装控制器在第一时钟周期期间启动对单端口存储器件的第二存取操作。采用这种方式，对于比用于改进的存储密度的多端口存储器件占用相对较小面积的单端口存储器件，实现了多端口存取功能，诸如以串行方式减轻操作干扰。本发明还提供了SPSRAM封装器。
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公开(公告)号：CN103383859A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210337314.1
申请日：2012-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/419 , G11C11/41 , G11C29/028 , G11C29/56 , G11C2029/5002 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及具有灵活读/写辅助的存储单元及其使用方法，其中，一种半导体器件包括至少一个存储单元管芯。至少一个存储单元管芯包括数据存储单元。至少一个存储单元管芯包括电连接至数据存储单元的至少一个读辅助使能单元。至少一个读辅助使能单元被配置为降低字线的电压。存储单元管芯还包括电连接至数据存储单元的至少一个写辅助使能单元。至少一个写辅助使能单元被配置为向位线或位线条中的至少一个提供负电压。
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公开(公告)号：CN108631767B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201710997126.4
申请日：2017-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明实施例涉及一种电平位移器，其包括：输入端，其在输入电压域中操作；及输出端，其用于在输出电压域中输出输出信号。所述电平位移器进一步包含反相器电路，所述反相器电路在所述输入电压域中操作用于使输入信号反相以产生经反相的输入信号。所述电平位移器还包含中间电路，所述中间电路在中间电压域中操作用于产生中间信号。输出缓冲器电路至少部分基于所述经反相的输入信号及所述中间信号而产生所述输出信号。
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公开(公告)号：CN113190071B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110126509.0
申请日：2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种用于调节电源电压的集成电路。在一个方面，集成电路包括金属轨，金属轨，包括连接第一功能电路的第一点和连接第二功能电路的第二点。在一个方面，集成电路包括耦合在金属轨的第一点和金属轨的第二点之间的电压调节器。在一个方面，电压调节器感测金属轨的第二点处的电压，根据在金属轨的第二点处感测的电压，调节金属轨的第一点处的电源电压。本发明的实施例还涉及一种调节电源电压的方法。
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公开(公告)号：CN111128282B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201911062996.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了写入辅助电路。写入辅助电路包括：晶体管开关，耦合在单元阵列的位线电压节点和接地节点之间。反相器用于响应于写入使能信号而接收升压信号。反相器的输出耦合至晶体管开关的栅极。写入辅助电路还包括金属电容器，金属电容器具有耦合至位线电压节点的第一端和耦合至栅极节点的第二端。电容器用于响应于升压信号将位线电压节点的位线电压从接地电压驱动至负值。本发明的实施例还涉及将位线电压负升压的方法。
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公开(公告)号：CN110729288B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201910639634.4
申请日：2019-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/11 , G11C5/02 , G11C11/412 , G11C11/417
Abstract: 本发明实施例提供一种静态随机存取存储器(SRAM)外围电路，包含设置在第一导电类型的第一阱区中的第一n型晶体管及第二n型晶体管，所述第一阱区占据行方向上等于静态随机存取存储器阵列的位单元间距的第一距离。所述静态随机存取存储器外围电路包含设置在第二导电类型的第二阱区中的第一p型晶体管及第二p型晶体管。所述第二阱区占据行方向上等于静态随机存取存储器阵列的位单元间距的第二距离。所述第二阱区设置成在行方向上邻近于第一阱区。
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公开(公告)号：CN113630109A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110227719.9
申请日：2021-03-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K5/22
Abstract: 提供了一种功率检测电路、系统以及方法。该功率检测电路包括比较电路，该比较电路用于响应于输入信号而产生输出信号。该输出信号配置为响应于输入信号达到第一阈值而从第一值改变为第二值。该输出信号配置为响应于输入信号随后达到第二阈值而从第二值变为第一值。限流电路连接至比较电路，并且可操作以限制比较电路的泄漏电流。
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