公开(公告)号：CN109585404B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN201810141147.0

申请日：2018-02-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿 ,  郭庭豪 ,  林彦良 ,  黄子松

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 提供一种半导体封装，所述半导体封装包括第一装置封装，所述第一装置封装包括：第一重布线结构，包括第一重布线及第二重布线；管芯，位于第一重布线结构上；第一通孔，耦合到第一重布线的第一侧；第二通孔，耦合到第二重布线的第一侧且延伸穿过所述第二重布线；包封体，环绕管芯、第一通孔、及第二通孔；以及第二重布线结构，位于包封体之上，所述第二重布线结构电连接到管芯、第一通孔、及第二通孔。所述半导体封装还包括：第一导电连接件，耦合到第一重布线的第二侧，所述第一导电连接件沿与第一通孔的纵向轴线不同的轴线设置；第二导电连接件，耦合到第二重布线的第二侧，所述第二导电连接件沿第二通孔的纵向轴线设置。

公开(公告)号：CN113097184A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202011521563.7

申请日：2020-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  刘仁福 ,  曾明鸿 ,  江宗宪 ,  林彦良 ,  黄子松

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 在一个实施例中，一种结构包括：第一集成电路管芯，包括第一管芯连接器；第一介电层，位于第一管芯连接器上；第一导电过孔，延伸穿过第一介电层，第一导电过孔连接至第一管芯连接器的第一子集；第二集成电路管芯，利用第一可回流连接器接合至第一管芯连接器的第二子集；第一密封剂，围绕第二集成电路管芯和第一导电过孔，第一密封剂和第一集成电路管芯横向地相邻；第二导电过孔，与第一集成电路管芯相邻；第二密封剂，围绕第二导电过孔、第一密封剂、和第一集成电路管芯；以及第一再分布结构，包括第一再分布线，第一再分布线连接至第一导电过孔和第二导电过孔。本申请的实施例还提供一种形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN112687634A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202010093038.3

申请日：2020-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 鲁珺地 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿 ,  江宗宪 ,  林彦良 ,  黄子松

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488

Abstract: 提供一种半导体封装及一种半导体封装的制造方法。所述封装包括管芯、层间穿孔、介电膜、后侧膜及焊料膏部分。所述层间穿孔设置在半导体管芯旁边且模塑化合物在横向上环绕管芯及层间穿孔。所述介电膜设置在半导体管芯的后侧上，且所述后侧膜设置在介电膜上。后侧膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者比介电膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者大。所述焊料膏部分设置在层间穿孔上且位于穿透过介电膜及后侧膜的开口内。具有在开口内位于介电膜与后侧膜之间的界面处的凹槽。本公开提供的结构及方法与包含对已知良好管芯进行中间验证的测试方法结合使用以提高良率。

公开(公告)号：CN111403304A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010223888.0

申请日：2014-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林彦良 ,  陈承先 ,  郭庭豪

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成封装件的迹线上凸块(BOT)的方法和半导体结构。该方法包括：在衬底上形成接合迹线，在平面视图中，接合迹线具有第一部分，第二部分和将第一部分连接至第二部分的第三部分，第一部分的第一侧壁与第二部分的第一侧壁共线，第一部分的第二侧壁与第二部分的第二侧壁和第三部分的第二侧壁共线，在平面视图中，第三部分的第一侧壁具有朝着第三部分的第二侧壁凹进的一个或多个第一凹槽，第三部分的第二侧壁整体是平坦的侧壁；将导电柱置放在接合迹线的第三部分上方，使得导电柱至少部分地覆盖接合迹线的第三部分中的一个或多个第一凹槽；以及将接合迹线电连接至导电柱。

公开(公告)号：CN110021521A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811447838.X

申请日：2018-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李承远 ,  李国政 ,  郑允玮 ,  林彦良

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/98 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明的实施例提供了集成电路及其制造方法。本发明的实施例公开了集成电路组件的再分布层的示例性实施例。本发明的集成电路组件的再分布层包括一个或多个导电接触件阵列，一个或多个导电接触件阵列被配置和布置为允许接合波在接合期间排出再分布层之间的空气。这种一个或多个阵列的配置和布置在接合期间使再分布层之间的不连续部(诸如作为实例的气穴)最小化。

公开(公告)号：CN105762087B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201410800491.8

申请日：2014-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林彦良 ,  黄昶嘉 ,  郭庭豪 ,  吴胜郁 ,  陈承先

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供了用于将第一衬底附接至第二衬底的方法和装置。在一些实施例中，第一衬底具有位于管芯附接区周围的诸如焊料掩模的保护层，在管芯附接区中，第一衬底附接至第二衬底。遮挡区(例如，第二衬底和保护层之间的区域)是位于第二衬底周围的区域，其中，不形成或去除保护层。调整遮挡区的尺寸，从而使得足够的间隙存在于第二衬底和保护层之间以将底部填充物布置在第一衬底和第二衬底之间，同时减少或防止空隙，并且同时允许遮挡区中的迹线由底部填充物覆盖。本发明还涉及用于迹线上凸块芯片封装的方法和装置。

公开(公告)号：CN106571694A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610707968.7

申请日：2016-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  庄其达 ,  陈承先 ,  曾明鸿 ,  许森贵 ,  陈玉芬 ,  林彦良

IPC: H02J50/12 ,  H02J7/02 ,  H01F38/14 ,  H01F27/28

CPC classification number: H02J7/025 ,  H01F27/2804 ,  H01F38/14 ,  H01F41/04 ,  H01F41/042 ,  H02J7/0042 ,  H02J7/04 ,  H02J5/005 ,  H01F27/28 ,  H01F2038/143

Abstract: 公开了无线充电器件、无线充电器件制造方法和电子器件的充电方法。在一些实施例中，无线充电器件包括控制器、设置在控制器周围的模塑材料以及设置在模塑材料上方并且连接至控制器的互连结构。该无线充电器件包括连接至控制器的无线充电线圈。该无线充电线圈包括设置在互连结构中的第一部分和设置在模塑材料中的第二部分。该无线充电线圈适应于提供电感以向电子器件充电。

公开(公告)号：CN102956609B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210238922.7

申请日：2012-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  郭庭豪 ,  陈承先 ,  李明机 ,  吴胜郁 ,  林彦良

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路。集成电路包括形成在衬底上的互连结构；形成在互连结构上并且与互连结构连接的接合金属迹线，其中接合金属迹线包括以第一方向限定的第一宽度T；以及形成在接合金属迹线上并且与接合金属迹线对准的金属凸块柱，其中金属凸块柱包括以第一方向限定的第二宽度U，并且第二宽度U大于第一宽度T。本发明还提供用于凸块对接合迹线比的结构和方法。

公开(公告)号：CN104752336A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410431316.6

申请日：2014-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林彦良 ,  陈承先 ,  郭庭豪

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明提供了用于封装件的迹线上凸块(BOT)互连件和制造BOT互连件的方法。一种实施例BOT互连件包括具有远端的接合迹线，至少延伸到接合迹线的远端的导电柱，以及电连接接合迹线和导电柱的焊料部件。在实施例中，导电柱悬于接合迹线的端表面之上。在另一实施例中，回流之后，接合迹线包括用于限制焊料部件的一个或多个凹槽。因此，当允许封装件保持小的凸块间距时，增大了可用于焊料部件的润湿区域。

公开(公告)号：CN119521817A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411532105.1

申请日：2024-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈重磊 ,  林彦良 ,  萧茹雄

IPC: H10F39/18

Abstract: 本公开实施例提供了图像传感器及其制造方法。图像传感器包括衬底和栅电极。栅电极靠近衬底的第一侧设置。栅电极包括第一栅极部分、第二栅极部分和第三栅极部分。第一栅极部分设置在衬底的第一侧上方。第二栅极部分设置在衬底内并且连接至第一栅极部分。第三栅极部分设置在第二栅极部分之下并且连接至第二栅极部分。第一栅极部分的第一宽度大于第二栅极部分的第二宽度，并且第三栅极部分的第三宽度大于第二宽度。