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公开(公告)号：CN104425643B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410317120.4
申请日：2014-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/10 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14645 , H01L27/14665 , H01L27/14685 , H01L31/02327
Abstract: 提供了一种用于形成光电二极管的方法。该方法包括：通过使用导电层在衬底上方形成第一对电极和第二对电极；在衬底上方形成介电层；图案化衬底上方的介电层；在衬底上方形成光电转换层；以及在光电转换层上方形成彩色滤光层，其中，介电层的至少一部分将对应于第一像素的彩色滤光层的第一部分与对应于第二像素的彩色滤光层的第二部分间隔开，且介电层的折射率低于彩色滤光层的折射率，其中，第一对电极对应于第一像素且第二对电极对应于第二像素。本发明还提供了光电二极管。
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公开(公告)号：CN104425643A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410317120.4
申请日：2014-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/10 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14645 , H01L27/14665 , H01L27/14685 , H01L31/02327
Abstract: 提供了一种用于形成光电二极管的方法。该方法包括：通过使用导电层在衬底上方形成第一对电极和第二对电极；在衬底上方形成介电层；图案化衬底上方的介电层；在衬底上方形成光电转换层；以及在光电转换层上方形成彩色滤光层，其中，介电层的至少一部分将对应于第一像素的彩色滤光层的第一部分与对应于第二像素的彩色滤光层的第二部分间隔开，且介电层的折射率低于彩色滤光层的折射率，其中，第一对电极对应于第一像素且第二对电极对应于第二像素。本发明还提供了光电二极管。
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公开(公告)号：CN102769021B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110241590.3
申请日：2011-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14623 , H01L27/14636
Abstract: 提供了一种图像传感器件。该图像传感器件包括具有正面和背面的基板，该背面相对于正面。该基板具有像素区域和外围区域。该图像传感器件包括设置在基板的像素区域中的多个辐射感应区域。每个辐射感应区域都能够通过操作感测出通过背面投射到辐射感应区域的辐射。该图像传感器件包括设置在外围区域中的参考像素。该图像传感器件包括连接到基板的正面的互连结构。该互连结构包括多个互连层。该图像传感器件包括形成在基板的背面上方的薄膜。该薄膜使得基板受到张应力。该图像传感器件包括设置在薄膜上方的辐射阻挡器件。本发明还提供了一种带有经过改进的应力免疫的背面照明图像传感器。
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公开(公告)号：CN103390624A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210513212.0
申请日：2012-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 用于形成图像传感器的方法实施例包括：在支撑光电二极管的半导体的表面上方形成抗反射涂层；在抗反射涂层上方形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上方形成缓冲氧化物层；以及通过蚀刻选择性地去除缓冲氧化物层的一部分，该蚀刻停止层在蚀刻期间保护抗反射涂层。图像传感器实施例包括：设置在阵列区和外围区的半导体，该半导体支撑阵列区中的光电二极管；设置在半导体的表面上方的抗反射涂层；设置在抗反射涂层上方的蚀刻停止层，阵列区中的光电二极管上方的蚀刻停止层的厚度小于外围区中的蚀刻停止层的厚度；以及设置在外围区中的蚀刻停止层上方的缓冲氧化物层。本发明还提供了用于BSI图像传感器的背面结构。
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公开(公告)号：CN102270648A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010528295.1
申请日：2010-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种包含图像感测元件的装置及图像感测元件的制造方法，该装置包括：一基底，具有一前侧及一背侧；一第一光线感测元件及一第二光线感测元件，设置于该基底之中，该第一及第二光线感测元件用以检测透过该背侧进入该基底的光波；以及一抗反射涂布层，具有一第一折射系数，且设置于该基底的该背侧上，该抗反射涂布层具有一第一脊状结构及一第二脊状结构，分别设置于该第一光线感测元件及第二光线感测元件之上；其中该第一脊状结构及第二脊状结构由一物质所分离，该物质具有一第二折射系数，该第二折射系数小于该第一折射系数。本发明能够缩减光学干扰并增进量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119967921A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510301693.6
申请日：2018-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本发明实施例涉及半导体图像传感器。一种背侧照明BSI图像传感器包含：衬底，其包含前侧及与所述前侧相对的背侧；像素传感器，其放置于所述衬底中；及彩色滤光片，其放置于所述像素传感器上方。所述像素传感器包含放置于所述衬底的所述背侧上方的多个第一微结构，且所述彩色滤光片包含放置于所述衬底的所述背侧上方的多个第二微结构。
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公开(公告)号：CN112992945B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202011465419.6
申请日：2020-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/552
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种集成芯片(IC)及形成集成芯片的方法。所述集成芯片包括位于衬底中的第一相位检测自动聚焦(PDAF)光电检测器及第二PDAF光电检测器。第一电磁辐射(EMR)漫反射器沿着衬底的背侧设置且设置在第一PDAF光电检测器的周边以内。第一EMR漫反射器与第一PDAF光电检测器的第一侧间隔开第一距离且与第一PDAF光电检测器的第二侧间隔开比第一距离小的第二距离。第二EMR漫反射器沿着衬底的背侧设置且设置在第二PDAF光电检测器的周边以内。第二EMR漫反射器与第二PDAF光电检测器的第一侧间隔开第三距离且与第二PDAF光电检测器的第二侧间隔开比第三距离小的第四距离。
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公开(公告)号：CN110957337B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201910794239.3
申请日：2019-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露提供一种图像传感器以及用于形成图像传感器的方法。在一些实施例中，图像传感器包含设置于半导体衬底中的光电探测器。具有实质平坦上表面的波导滤波器设置于光电探测器上方。波导滤波器包含设置于滤光器栅结构中的滤光器。滤光器包含半透明且具有第一折射率的第一材料。滤光器栅结构包含半透明且具有小于第一折射率的第二折射率的第二材料。
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公开(公告)号：CN116095518A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310049636.4
申请日：2018-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种背照式BSI图像传感器，其包含：衬底，其包含正面及与所述正面对置的背面；多个像素传感器，其布置成阵列；隔离栅格，其安置于所述衬底中且使所述多个像素传感器彼此分离；及反射栅格，其在所述衬底的所述背面上安置于所述隔离栅格上方。所述反射栅格的深度小于所述隔离栅格的深度。
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公开(公告)号：CN109728008B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201810684932.0
申请日：2018-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的一些实施例涉及一种背面照光式BSI图像传感器，其包含：衬底，其包含正面及与所述正面对置的背面；像素传感器，其安置于所述衬底中；隔离结构，其包围所述像素传感器且安置于所述衬底中；介电层，其安置于所述衬底的所述正面上的所述像素传感器上方；及多个导电结构，其安置于所述介电层中且经布置以与所述隔离结构对准。
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