-
公开(公告)号：CN109994583A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910316241.X
申请日：2019-04-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种大功率紫外发光二极管及其制作方法，首先，通过若干N型通孔的设置，实现导电层与第一导电层形成电连接，进而有效地提高紫外发光二极管的电流扩展能力；其次，通过在所述透明导电层上设有若干呈均匀分布的扩展通孔，使所述透明导电层、金属反射镜与第二导电层形成欧姆接触；同时，各所述N型通孔与扩展通孔沿透明导电层的垂直方向错位设置；能在保障电流扩展效果的同时，有效减少N型通孔的数量，避免因N型通孔较多而导致有源层面积损耗。
-
公开(公告)号：CN104377288B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410551543.2
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有电极出光的发光二极管制作方法：在外延衬底上外延形成外延发光结构，在外延发光结构上形成透光通道制作层；采用掩膜、ICP蚀刻工艺在透光通道制作层的电极区域，形成若干规则的透光通道，且ICP蚀刻深度至露出外延发光结构表面；在裸露的外延发光结构表面蒸镀透光材料直至填满透光通道，形成透光柱体；腐蚀去除透光通道制作层，留下透光柱体，且露出外延发光结构；外延发光结构表面形成焊台电极，且厚度超过透光柱体高度；采用ICP蚀刻作为焊台电极的第一电极或第二电极表面直至露出透光柱体的上表面；在外延发光结构上形成背电极，裂片形成发光二极管芯片。本发明可以减少焊台电极挡光面积，提高发光二极管的外量子效率。
-
公开(公告)号：CN104409465B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410666659.0
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明一种高发光效率的高压发光二极管制作方法，通过芯片制作工艺把n个独立发光结构的子级发光二极管串联连接，形成一体的芯片模块，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本发明可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
-
公开(公告)号：CN104319330B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410551820.X
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法，其中，InxGa1-xN/GaN有源层的生长步骤：在主载气为H2的氛围下，通入Ga源和NH3生长8-15nm的GaN垒层；切换主载气为N2，通入Ga源、In源和NH3，生长2-5nm的InxGa1-xN阱层；关闭Ga源和In源，保持NH3正常通入，停顿InxGa1-xN生长；打开Ga源，生长1-5nm的GaN保护层；切换主载气为H2，通入Ga源和NH3生长8-15nm的GaN垒层；重复二至五的生长步骤1至20个周期。本发明可以获得高质量InGaN/GaN有源层，提高LED发光效率。
-
公开(公告)号：CN104393136B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410599879.6
申请日：2014-10-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种提高发光效率的GaN基LED外延片制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、第一N型掺杂层、第二N型掺杂层、InGaN/GaN多量子阱有源层、电子阻挡层、P型掺杂层及接触层；生长完第一N型掺杂层之后，关闭有机源，减小或者停止NH3通入反应室，在H2或者N2氛围下停顿生长10-200s，获得表面粗糙的第一N型掺杂层。本发明可以同时提高LED内量子效率与外量子效率，且制备方法简单，制备成本较低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104362215B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201410477359.8
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种高效率柔性薄膜太阳能电池制造方法，提供外延衬底；在外延衬底上生长外延结构；在外延结构上生长欧姆接触层，在欧姆接触层上生长外延保护层；将外延保护层粘接至刚性支撑模板上；采用外延衬底减薄工艺将外延衬底减薄；在减薄后的外延衬底上蒸镀背电极，并键合在柔性薄膜衬底上；去除刚性支撑模板及外延保护层；在欧姆接触层上蒸镀正面栅线电极，并通过选择性腐蚀工艺去除吸光部分的欧姆接触层，在腐蚀区域蒸镀减反射膜，裂片处理即得。本发明制造的太阳能电池转换效率高、可靠性好，且柔性较好而减轻重量。
-
公开(公告)号：CN104393138A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410551477.9
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/005 , H01L33/0075 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开一种具有电极出光的发光二极管，在外延发光结构上形成第一电极及第二电极，其中，第一电极或第二电极作为焊台电极，在作为焊台电极的第一电极或第二电极内部设置若干规则的微细透明柱体，且透明柱体与外延发光结构形成连接。本发明可以减少电极挡光面积，提高发光二极管的外量子效率。
-
公开(公告)号：CN102593274B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110132001.8
申请日：2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种脉冲气流法生长GaP电流扩展层的方法，在生长GaP电流扩展层时，向金属有机化学气相沉积系统的反应室中，脉冲式交替通入含有镓原子的MO源、磷烷和掺杂源，或者保持磷烷的流量不变，脉冲式通入含镓的MO源和掺杂源。该方法可以增加镓原子和磷原子在外延层表面的迁移时间，使其充分覆盖外延层表面，从而得到高质量的GaP电流扩展层。
-
公开(公告)号：CN102664226A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210155106.X
申请日：2012-05-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明公开一种具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管，包括一衬底，在衬底的下面连接有第一电极，在衬底的上面依次连接有第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层及第二电极，沿第二型电流扩展层的生长方向间隔连接X个Delta掺杂层，其中1≤X≤50；优选所述的Delta掺杂层的厚度≤1nm；本发明可以提高电流扩展层的横向电导率，有效降低发光二极管的正向工作电压，提高发光二极管的光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN115148871A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210953631.X
申请日：2022-08-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过在有源层的表面依次设有空穴存储层、电子阻挡层以及空穴注入层，所述空穴存储层用于提高P型区域的空穴浓度，所述电子阻挡层用于阻挡电子在所述空穴存储层表面的纵向传输，所述空穴注入层用于提供空穴；且所述电子阻挡层的禁带宽度大于所述空穴注入层的禁带宽度，且所述空穴注入层的禁带宽度不小于所述空穴存储层的禁带宽度。从而，通过所述电子阻挡层提高导带势垒高度，从而减少电子溢流；并配合空穴存储层，在避免电子与空穴在非有源层区域进行复合发光的同时，通过空穴存储层的P型掺杂提供更多的空穴，进一步增加空穴在靠近有源层区域的储存及迁移，从而提高LED发光效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
145
records
(took 0.033 seconds)
