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公开(公告)号：CN110212065A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910501543.4
申请日：2019-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种PVD溅射设备、LED器件及其制作方法，包括：提供图形化衬底；在所述衬底表面形成Al(x)CU(1-x)N缓冲层；在所述Al(x)CU(1-x)N缓冲层表面形成GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、欧姆接触层、N电极和P电极。与AlN缓冲层相比，Al(x)CU(1-x)N缓冲层能够明显改善衬底和GaN层之间的晶格应力，提升LED器件的性能。并且，由于Al(x)CU(1-x)N缓冲层中包含CuN，因此，使得Al(x)CU(1-x)N缓冲层的稳定性变差，易于化学腐蚀，从而可以将Al(x)CU(1-x)N缓冲层作为衬底剥离时的牺牲层。
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公开(公告)号：CN106816509B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201710224742.6
申请日：2017-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种复合衬底及其制备方法，基于该复合衬底，本申请公开了一种垂直结构发光二极管芯片的制备方法。在本申请提供的复合衬底中，由于夹在第一图形层和第二图形层之间的第一氮化镓层的厚度小于第一突起结构的高度，所以，第一图形层上的第一突起结构和第二图形层上的第二突起结构能够相互连接贯通，而且又由于第二图形层上的各个第二突起结构相互连接在一起，如此，第一图形层和第二图形层能够形成一整体相互连接的可被湿法腐蚀溶液所腐蚀的图形。当湿法腐蚀溶液一旦从复合衬底的侧面开始腐蚀图形层时，其能够较好地渗入蚀刻到每个突起结构，如此方便后续外延衬底的湿法腐蚀剥离。此外，该复合衬底还能够保证后续外延层的晶体质量。
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公开(公告)号：CN108538978A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810332131.8
申请日：2018-04-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可提高发光效率的LED外延结构及其生长方法，在生长InGaN/GaN多量子阱有源层过程中，在InGaN量子阱层和与该InGaN量子阱层背离衬底一侧相邻的GaN量子垒层之间生长有插入层，通过插入层覆盖保护该InGaN量子阱层，能够提高后续生长GaN量子垒层时的生长温度，同时可以显著抑制InGaN量子阱层中In组分的析出，提高InGaN量子阱层和垒层界面的平整度；并且，插入层可以作为InGaN量子阱层和GaN量子垒层之间的一层应力补偿层，抵消InGaN量子阱层和GaN量子垒层之间产生的压应力，进而降低缺陷的形成，提高有源区的辐射复合效率，进而提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN107546302A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710720209.9
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种LED外延结构及其制作方法，所述LED外延结构制作方法包括：提供图形化衬底，图形化衬底包括平面区域和相对于平面区域凸起的凸起结构；在图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，缓冲层与凸起结构之间具有间隙。仅在图形化衬底的平面区域制作缓冲层，而图形化衬底的凸起结构上不设置缓冲层，从而避免图形化衬底的凸起结构上的缓冲层作为后续LED外延材料的成核中心，只保留沿一个方向生长的组分，避免了其他方向生长的成分，从而避免了后续晶核联接及二维生长时，引入高的应力，使得LED外延结构的晶体质量明显提升，避免了不同晶面晶核联接时产生的应力，进而解决了外延材料因应力增加导致的翘曲异常的问题。
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公开(公告)号：CN106816509A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710224742.6
申请日：2017-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 本申请公开了一种复合衬底及其制备方法，基于该复合衬底，本申请公开了一种垂直结构发光二极管芯片的制备方法。在本申请提供的复合衬底中，由于夹在第一图形层和第二图形层之间的第一氮化镓层的厚度小于第一突起结构的高度，所以，第一图形层上的第一突起结构和第二图形层上的第二突起结构能够相互连接贯通，而且又由于第二图形层上的各个第二突起结构相互连接在一起，如此，第一图形层和第二图形层能够形成一整体相互连接的可被湿法腐蚀溶液所腐蚀的图形。当湿法腐蚀溶液一旦从复合衬底的侧面开始腐蚀图形层时，其能够较好地渗入蚀刻到每个突起结构，如此方便后续外延衬底的湿法腐蚀剥离。此外，该复合衬底还能够保证后续外延层的晶体质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103715326B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201410015583.5
申请日：2014-01-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开近红外发光二极管，在GaAs或AlGaAs衬底的顶部自下而上依次形成顶部第一型电流扩展层、顶部第一型限制层、顶部有源层、顶部第二型限制层及顶部第二型电流扩展层；在衬底的底部自上而下依次形成第一型隧穿结、第二型隧穿结、底部第二型电流扩展层、底部第二型限制层、底部有源层、底部第一型限制层及底部第一型电流扩展层；所述第二型隧穿结采用多层膜的外延结构，第二型隧穿结的掺杂源为Mg，且掺杂浓度为2.0×1019以上。本发明使得近红外发光二极管的发光功率得到较大的提升，且其制造工艺较为简单。
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公开(公告)号：CN104112805A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410338035.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0062 , H01L33/10
Abstract: 本发明公开一种具有防扩层的发光二极管的制造方法，采用前期增加外延生长防扩层，后期二极管制作工艺中在防扩层之上形成金属反射镜，并在防扩层嵌入金属导电通道，通过采用氧化工艺将防扩层变成氧化物介质层，且与金属反射镜、导电通道构成复合的全方位反射效果，通过叠加布拉格反射层而组成的两部分复合结构，获得较高的发光亮度。采用此方法解决了传统倒置芯片制作过程中，在外延层蒸镀氧化膜工艺，外延层与氧化膜、金属反射镜存在材料界面容易剥离的问题，提高发光二极管的稳定性及生产制造过程的成品率。本发明还公开所述方法制造的具有防扩层的发光二极管，使外量子效率较高，且内部层结构连接较为稳定。
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公开(公告)号：CN103715326A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201410015583.5
申请日：2014-01-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/0062 , H01L33/06 , H01L33/14
Abstract: 本发明公开近红外发光二极管，在GaAs或AlGaAs衬底的顶部自下而上依次形成顶部第一型电流扩展层、顶部第一型限制层、顶部有源层、顶部第二型限制层及顶部第二型电流扩展层；在衬底的底部自下而上依次形成第一型隧穿结、第二型隧穿结、底部第二型电流扩展层、底部第二型限制层、底部有源层、底部第一型限制层及底部第一型电流扩展层；所述第二型隧穿结采用多层膜的外延结构，第二型隧穿结的掺杂源为Mg，且掺杂浓度为2.0×1019以上。本发明使得近红外发光二极管的发光功率得到较大的提升，且其制造工艺较为简单。
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公开(公告)号：CN108735867B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201810596840.7
申请日：2018-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的芯片及其量子阱结构和制造方法，其中所述发光二极管的芯片包括依次层叠的一衬底、一氮化镓缓冲层、一N型氮化镓层、一量子阱结构、一P型电子阻拦层以及一P型氮化镓层，其中所述量子阱结构包括至少两量子阱层，每个所述量子阱层依次层叠地形成于所述N型氮化镓层，其中至少一个所述量子阱层形成复合阱，通过这样的方式，所述量子阱结构在提供更为密集和均匀的发光量子点的同时增加电子空穴波函数的交迭程度，从而提高所述发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN109166950B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201811072704.4
申请日：2018-09-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层和制造方法，其中所述半导体芯片包括一衬底和依次层叠于所述衬底的一N型氮化镓层、一量子阱层和一P型氮化镓层以及被电连接于所述N型氮化镓层的一N型电极和被电连接于所述P型氮化镓层的一P型电极，其中其中所述量子阱层包括依次层叠的至少一量子垒和至少一量子阱，所述量子垒和所述量子阱的生长压力不同，通过这样的方式，能够改善所述量子阱和所述量子垒的阱垒界面的晶体质量，以提高所述发光二极管的光效。
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