公开(公告)号：CN103400809B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310334154.X

申请日：2013-08-02

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 尹雯 ,  张博 ,  陆原

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/32145

Abstract: 本发明提供了一种柔性基板封装结构，可以有效避免了柔性基板弯折封装结构的翘曲变形，提高了柔性基板弯折封装的可靠性，保证了后续的植球及测试工艺的正常进行，其包括柔性基板，所述柔性基板上设置有多块芯片，所述多块芯片通过所述柔性基板弯曲后呈叠加状，对应所述柔性基板折弯后的开口处设置有mold层塑胶层，所述mold层塑胶层封闭所述柔性基板折弯后的开口，其特征在于：所述mold层塑胶层上和所述芯片之间设置有柔性有机硅胶材料，所述柔性基板封装结构两侧弯折边角处进行设置有柔性有机硅胶材料，本发明还提供了一种柔性基板封装结构的封灌工艺。

公开(公告)号：CN105206592A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510553441.9

申请日：2015-09-01

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 陈峰 ,  陆原

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种扇出型封装的结构和制作方法，其结构包括带有电极的芯片，芯片主动面朝上，芯片周边填充第一绝缘树脂层，第一绝缘树脂层顶部比芯片上表面高；所述芯片和第一绝缘树脂层顶部覆盖有第二绝缘树脂层，第二绝缘树脂层表面有重布线层通过第二绝缘树脂层的开口与芯片的电极相连；所述第二绝缘树脂层和重布线层上覆盖有第三绝缘树脂层，第三绝缘树脂层有开口，露出重布线层的焊盘，重布线层的焊盘上连接有导电柱，所述导电柱通过重布线层与芯片主动面的电极形成电连接；所述芯片和第一绝缘树脂层的底部有保护层。发明的封装结构中不带承载片，有利于降低封装厚度，同时也扩大了技术的应用范围；而且芯片中未制作铜柱，有利于成本的降低。

公开(公告)号：CN105206539A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510553354.3

申请日：2015-09-01

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 陈峰 ,  陆原 ,  刘一波 ,  林挺宇

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00012 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3171

Abstract: 本发明提供了一种扇出型封装制备方法，通过在涂覆临时键合胶的承载片上制作第一绝缘树脂层，并在第一绝缘树脂层上形成开口，第一绝缘树脂层上的开口作为芯片贴装的对准标记，解决了FOWLP封装钝化层与芯片贴装的对准精度问题。同时，无需在承载片上制作对准标记点，减少了工艺流程，降低了成本。

公开(公告)号：CN105097566A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510377660.6

申请日：2015-07-01

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 姜峰 ,  陆原

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L24/85 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/1017

Abstract: 本发明公开了一种晶圆级扇出封装的制作方法，它包括以下步骤：在基板的上表面通过粘结剂贴装芯片；在基板的上表面进行塑封成型，塑封材料层将芯片封装；在塑封材料层的上表面涂上介电材料，形成介电层；去除对应芯片的输入输出端位置的介电层，再在去除部位形成引出线和焊球；沿着基板的下表面进行减薄，将基板、粘结剂以及部分的塑封材料层和芯片的下表面去除，最终磨削面停留在芯片的设定位置形成封装半成品；在封装半成品上沿着相邻两个芯片之间的切割线将封装半成品切割成单个封装结构。本发明能够极大地减少扇出式封装制程的工艺步骤，极大的减少了其封装成本，同时保证了封装的可靠性。

公开(公告)号：CN105047652A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510553331.2

申请日：2015-09-01

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 陆原 ,  陈峰 ,  刘一波 ,  林挺宇

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/568 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的封装结构及制作方法，该封装结构包括一个或多个带有焊盘的芯片，芯片主动面朝上，芯片之间的空隙填充介电质材料形成介电质层，且介电质层的表面高度低于芯片主动面表面；所述芯片的底部有保护膜，芯片主动面和芯片之间介电质层顶部覆盖有第一绝缘层，第一绝缘层在芯片主动面焊盘上有开口；第一绝缘层表面有重布线层，第一绝缘层和重布线层上面覆盖第二绝缘层，第二绝缘层在重布线层焊盘上有开口；重布线层焊盘上有凸点下金属层，在凸点下金属层上有凸块，所述凸块通过凸点下金属层、重布线层与芯片主动面焊盘形成电连接。本发明仅用一块载板；采用膜辅助成型塑封技术，芯片间隙介电质填充层厚度可控，一次性到位。

公开(公告)号：CN104459420A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410841720.0

申请日：2014-12-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 苏梅英 ,  万里兮 ,  曹立强 ,  陆原 ,  王启东 ,  周云燕

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种TSV孔内介质层的电学性能检测方法。包括：将沉积有介质层的TSV晶圆正向放置在真空环境中，晶圆上的TSV孔的开口朝上。在TSV孔内注入去离子水，并测量去离子水的流量；检测TSV孔内的液面高度，当去离子水注满TSV孔时，停止注入去离子水，记录去离子水的总流量。对晶圆进行干燥，除去TSV孔内的去离子水；将晶圆反向放置，TSV孔的开口朝下。在TSV孔内注入汞，并测量汞的流量，控制汞的总流量小于记录的去离子水的总流量；采用汞探针C-V测试仪对TSV孔进行电学性能检测。本发明提供的TSV孔内介质层的电学性能检测方法，能够方便地对TSV孔进行电学性能检测。

公开(公告)号：CN103715184A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310721105.1

申请日：2013-12-24

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 徐健 ,  陆原 ,  孙鹏

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种基于柔性基板的三维多芯片存储系统封装结构，有效保证高速信号线的信号完整性，同时大大降低了晶片材料和封装的成本，从而提高了市场竞争能力，其包括柔性基板，所述柔性基板上设置有第一芯片、第二芯片、电容或者电阻，所述第一芯片和所述第二芯片分别通过金属引线连接所述柔性基板背面，其特征在于：所述柔性基板弯曲成型，所述第一芯片连接所述第二芯片，成型所述第一芯片和所述第二芯片的叠加，所述第一芯片和所述第二芯片与所述柔性基板间的空隙处设置有灌封料，本发明同时还提供了一种基于柔性基板的三维多芯片存储系统封装结构的制造方法。

公开(公告)号：CN103400823A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310324237.0

申请日：2013-07-30

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 陆建刚 ,  陆原 ,  黄卫东

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/1713 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1076 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种包含铜柱的细间距叠层封装结构，包括下封装体和上封装体。下封装体包括下基板，第一芯片安装在下基板上表面的芯片封装区并与下基板电连接；在下基板上表面的焊接区制作有铜柱，在铜柱上植有第一焊球；第一焊球和下基板的上表面被封装材料预封装，第一焊球的顶部露出下基板上表面的封装材料；上封装体包括上基板，第二芯片安装在上基板的上表面并与上基板电连接；所述上基板下表面的焊接区植有第二焊球。上基板和下基板通过第二焊球与第一焊球的对接形成互连。本发明采用了铜柱可减小焊球的球径，从而达到细间距封装的目的。本发明采用的焊线方式制作铜柱，省略了电镀工艺的复杂工艺，具有制作简单、成本低等优点。

公开(公告)号：CN103400813A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310334122.X

申请日：2013-08-02

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 尹雯 ,  张博 ,  陆原

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种柔性基板封装结构，可以有效防止灌封材料的泄露，避免了泄露的灌封材料对基板其他区域构成污染，保证了后续的植球及测试工艺的正常进行，其包括柔性基板，所述柔性基板上设置有中央芯片、第一芯片和第二芯片，其特征在于：所述第一芯片连同所述柔性基板弯曲叠加在所述中央芯片上，所述第一芯片对应所述柔性基板的背面设置有mold塑胶层，所述第二芯片对应所述柔性基板弯曲设置在所述mold塑胶层一侧，成型G形封装结构，所述mold塑胶层封闭所述G形封装结构开口，本发明同时提供了一种柔性基板封装结构的封灌方法。

公开(公告)号：CN103354226A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310248944.6

申请日：2013-06-21

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 王宏杰 ,  陆原 ,  孙鹏 ,  黄卫东 ,  耿菲

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L25/04

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种PIP堆叠封装器件，其包括：具有相对的第一表面和第二表面的第一基板，其包括布置于其第一表面上的多个第一连接垫片、布置于其第二表面上的多个第二连接垫片和布置于其第一表面上的多个第三连接垫片；安装于第一基板的第一表面上并与第一基板上的第三连接垫片电性连接的内封装元件；放置于内封装元件上的第一半导体晶片，其通过键合线与第一基板的第一连接垫片电性接触；和设置于第一基板的第一表面上的第一塑封体，其包覆内封装元件、第一半导体晶片和键合线。这样不仅可以得到较小的封装尺寸，不对引线键合工艺的要求也不高。