公开(公告)号：CN103560125B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201310542882.X

申请日：2013-11-05

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 徐健 ,  孙鹏 ,  王宏杰 ,  陆原

IPC: H01L23/552 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/16225

Abstract: 本发明提供一种三维柔性基板电磁屏蔽封装结构，包括一柔性基板，在所述柔性基板中预置有一层金属屏蔽层；在柔性基板中开有贯通柔性基板正反面的导通孔，所述导通孔中填充有金属导电材料，通过导通孔中的金属导电材料，导通孔电连接金属屏蔽层以及柔性基板的正反面上的接地焊盘。需屏蔽芯片贴装在柔性基板正反面中的一个面上，需屏蔽芯片上的接地凸点与需屏蔽芯片所在面上的接地焊盘互连。将柔性基板贴装有需屏蔽芯片的那一面向内折弯，形成左右两个U型屏蔽部，左右两个U型屏蔽部的柔性基板中的金属屏蔽层将需屏蔽芯片完全包覆在内。本发明用于形成良好的电磁屏蔽封装结构，封装后结构尺寸小，封装密度高。

公开(公告)号：CN103887251B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201410131607.3

申请日：2014-04-02

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 王宏杰 ,  陈南南

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511

Abstract: 本发明涉及一种扇出型晶圆级封装结构及制造工艺，特征是，在扇出型晶圆级封装结构制作时，采用芯片正面朝上的工艺流程，通过在载体圆片上先制作金属层，然后按芯片的排列位置开通孔（或者直接将开好槽的金属层粘在载体圆片上）；将芯片正面朝上贴放于金属层的开槽内，再进行塑封工艺。从而改变扇出型晶圆级封装的内部结构，增强其刚性和热胀系数，使得整个晶圆的翘曲以及因塑封料涨缩引起的滑移、错位得到控制；并且，金属材料可起到更好的热传导及电磁屏蔽作用。

公开(公告)号：CN103354225B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201310242862.0

申请日：2013-06-18

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 王宏杰 ,  陆原 ,  孙鹏 ,  黄卫东 ,  耿菲

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种堆叠封装器件，其包括：第一封装元件、第二封装元件、多个第一互连部件和多个第二互连部件。第一封装元件包括第一基板和安装于第一基板的第一表面上的第一半导体晶片。第二封装元件包括第二基板和安装于第二基板的第二表面上的第二半导体晶片。每个第一互连部件的一端连接于第一基板的第二表面，另一端连接于第二基板的第一表面。第三封装元件包括第三基板和安装于第三基板的第一表面上的第三半导体晶片。每个第二互连部件的一端连接于第一基板的第二表面或第二基板的第一表面，另一端连接于第三基板的第一表面。这种结构充分利用了第一封装元件和第二封装元件之间的缝隙，从而从整体上降低了多层堆叠封装器件的厚度。

公开(公告)号：CN103560119B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310542832.1

申请日：2013-11-05

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 徐健 ,  王宏杰 ,  孙鹏 ,  陆原

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/60 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种用于多屏蔽芯片的三维柔性基板封装结构，包括一柔性基板，所述柔性基板中预设有第一金属屏蔽层和第二金属屏蔽层；需屏蔽芯片分别贴装在柔性基板正反面，柔性基板两侧部位分别向柔性基板正面中间弯折，形成两个U型屏蔽部；两个U型屏蔽部各自的上方柔性基板在高度方向上部分重叠，且第二个U型屏蔽部的上方柔性基板在第一个U型屏蔽部的上方柔性基板之上。第一需屏蔽芯片分布在第一个U型屏蔽部内，第二需屏蔽芯片分布在第一个U型屏蔽部上方柔性基板和第二个U型屏蔽部上方柔性基板间。金属屏蔽层将需屏蔽芯片包覆在内。本发明解决了较强电磁辐射芯片对外界的电磁干扰问题，并且封装结构更加紧凑。

公开(公告)号：CN103579201B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201310589340.8

申请日：2013-11-20

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 王宏杰 ,  孙鹏 ,  徐健

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/12 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L2224/73204 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种采用导电封装材料的半导体器件电磁屏蔽结构，包括一有机基板，有机基板具有两个相对的导体面，两个导体面之间的有机基板内设有金属屏蔽层；在有机基板的一个导体面上贴装有芯片；芯片被一帽状有机绝缘层包盖在内，帽状有机绝缘层的帽沿部与该导体面结合；在有机基板中开有电连接两个导体面且电连接金属屏蔽层的电通孔；贴装有芯片的有机基板的那一导体面上覆盖有导电封装材料，导电封装材料将帽状有机绝缘层完全包覆在内，导电封装材料与电通孔的一端连接，通过电通孔与金属屏蔽层以及有机基板的另一导体面电连接。芯片的连接凸点通过信号与电源通道与有机基板的另一个导体面电连接。本发明能提供更好的屏蔽效果且制作方便。

公开(公告)号：CN104538380A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410759285.7

申请日：2014-12-10

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 陈南南 ,  王宏杰

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/19 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种小间距PoP封装单体，包括芯片、塑封材料和焊球；其特征是：所述焊球包括铜核球，在铜核球表面镀覆镀层钎料。所述焊球为椭球形、矩形柱形或圆柱形，铜核球为椭球形、矩形柱形或圆柱形。所述封装单体可以采用扇出型晶圆级封装或者基板PoP封装结构。本发明能够解决PoP封装坍塌、偏移的问题，并进一步减小间距，提高I/O数量。

公开(公告)号：CN103904057A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410129744.3

申请日：2014-04-02

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 王宏杰 ,  陈南南

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种PoP封装结构及制造工艺，其特征是，在扇出型封装单元制作时，采用芯片正面朝上的工艺流程，通过在载片上制作金属层，然后按芯片的排列位置开槽并且按设计需要制作与其它封装单元互连的电极，从而改变扇出型晶圆级封装的内部结构，增强其刚性和热胀系数，使得整个晶圆的翘曲以及因塑封料涨缩引起的滑移、错位得到控制。塑封以后在背面开孔，填充金属，与之前金属层形成的电极形成互连，并且金属层在去掉载片和粘胶层后在塑封材料背面露出，可制作金属焊垫。这样的封装单元可以通过封装单元背面的金属焊垫和其它封装单元连接，形成多层PoP封装结构成。

公开(公告)号：CN103887279A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410131896.7

申请日：2014-04-02

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 王宏杰 ,  陈南南

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种三维扇出型晶圆级封装结构及制造工艺，其特征是：采用芯片正面朝上的工艺，在载片上制作金属层，按芯片的排列位置开槽并按需要制作与其它封装单元互连的电极，改变扇出型晶圆级封装内部结构，增强刚性和热胀系数，改善整个晶圆的翘曲以及滑移、错位。塑封后在芯片正面进行重布线层制作，把芯片的焊盘进行扇出，形成第一层芯片电路。然后制作第二层芯片，重复芯片正面朝上的工艺，在第一个封装单元上表面粘贴芯片和金属层，形成与上一封装单元的连接；然后进行塑封工艺、钻孔、填充金属，再在第二层芯片上进行RDL制作；最后重复堆叠工艺形成多层芯片的堆叠，或在RDL层上制作凸点下金属层，形成完整的三维封装结构。

公开(公告)号：CN103579202A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310589790.7

申请日：2013-11-20

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 孙鹏 ,  王宏杰 ,  徐健

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明提供一种有机基板半导体器件电磁屏蔽结构，包括一有机基板，有机基板具有两个相对的导体面；两个导体面之间的有机基板内设有金属屏蔽层；在有机基板的一个导体面上贴装有芯片，芯片的连接凸点与该导体面连接；具有电磁屏蔽作用的帽状导电保型镀层包盖住所述芯片；帽状导电保型镀层的帽沿部通过基板电通孔连接金属屏蔽层以及有机基板的另一个导体面；芯片的连接凸点通过与金属屏蔽层绝缘的信号与电源通道连接至有机基板的另一个导体面；帽状导电保型镀层通过溅射沉积金属在所述芯片和芯片底填的外表面上而形成。此种电磁屏蔽结构能够获得更好的电磁屏蔽效果；采用溅射沉积金属形成导电保型镀层，制作方便且成本低，并且结构紧凑。

公开(公告)号：CN103972218B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201410172998.3

申请日：2014-04-26

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 孙鹏 ,  徐健 ,  王宏杰 ,  何洪文

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种集成无源器件扇出型晶圆级封装结构及制作方法，包括模塑料体和芯片；其特征是：在所述模塑料体中设置螺旋形金属布线层，模塑料体正面设置绝缘层，绝缘层中布置金属导线层，金属导线层连接芯片的电极和金属布线层，在金属导线层上设置焊球。所述封装结构的制作方法，采用以下步骤：（1）芯片塑封于模塑料体中；（2）模塑料体正面开设螺旋形槽体，在槽体中制作金属布线层；（3）模塑料体正面制作绝缘层，在绝缘层上开设窗口，在绝缘层表面制作金属层，并刻蚀成所需图形，得到金属导线层；（4）在金属导线层上制作绝缘层，在绝缘层上开设窗口，在窗口中制作焊球。本发明缩短芯片与被动器件之间的电学连接长度，提升了电学品质。