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公开(公告)号：CN104485300B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201410757801.2
申请日：2014-12-10
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及一种磁性非对称型柱或核球的植球治具及植球方法，其特征是：包括托盘和吸头，托盘的上部和吸头下部分别呈开口状，托盘的下部和吸头的上部分别设置抽真空口，在托盘内固定下模，在吸头内固定上模；在所述下模和托盘的下部之间形成第一真空腔，在上模和吸头的上部之间形成第二真空腔，第一真空腔和第二真空腔分别与抽真空口连通，抽真空口分别连接真空装置；在所述下模上表面设置第一BGA点阵孔，在上模下表面设置第二BGA点阵孔，第一BGA点阵孔与第一真空腔连通，第二BGA点阵孔与第二真空腔连通，第一BGA点阵孔与第二BGA点阵孔呈上下映射；所述托盘与振动装置连接，托盘和吸头一侧分别设置电磁装置。本发明实现了非对称型柱或核球的植球，锡球或锡柱在高度方向达到使用需求，有效减小植球间距。
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公开(公告)号：CN103904056A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410129743.9
申请日：2014-04-02
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/768 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种PoP封装结构及制造工艺，特征是，在扇出型封装单元制作时，采用芯片面朝下的工艺流程，通过在载片上先制作一层金属层，然后芯片面朝下贴放于金属层的开槽内，从而增强扇出型晶圆级封装的刚性和热胀系数，使得整个晶圆的翘曲以及因塑封料涨缩引起的滑移、错位等得到控制。塑封以后在背面开孔，填充金属，形成金属柱与金属层形成电互连，并且在金属柱上端制作RDL层（再布线层），最后制作UBM、置球，形成单颗扇出型封装单元体。这样的封装单元可以通过封装单元背面的电极和其它封装体连接，形成多层PoP封装。
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公开(公告)号：CN103887291A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410131461.2
申请日：2014-04-02
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L21/98
CPC classification number: H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/18162 , H01L2224/03 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种三维扇出型PoP封装结构及制造工艺，采用芯片正面朝上的工艺，在载片上制作金属层，按芯片排列位置开槽并按需要制作与其它封装单元互连的电极。塑封后在芯片正面进行重布线层制作，把芯片的焊盘进行扇出，形成第一层芯片电路。重复芯片正面朝上的工艺制作第二层芯片，在第一个封装单元上粘贴芯片和金属层，形成与上一封装单元的连接；再进行塑封、钻孔、填充金属，在第二层芯片上进行RDL制作；重复堆叠工艺形成多层芯片的堆叠，或在RDL层上制作凸点下金属层、植球；植球后将载片去除，在第一层芯片的背面制作背面再布线层，得到封装单元，封装单元进行堆叠，形成PoP封装结构。本发明可以有效改善翘曲和塑封材料涨缩引起的滑移错位。
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公开(公告)号：CN104485318A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410759291.2
申请日：2014-12-10
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Inventor： 陈南南
IPC: H01L23/488
Abstract: 本发明涉及一种用于小间距PoP封装结构的焊球，其特征是：包括铜核/柱，在铜核/柱表面镀覆第一镀层，在第一镀层的表面镀覆第二镀层。所述第一镀层为镍层。所述第二镀层为合金钎料层。所述铜核/柱为椭球形、矩形柱形、圆柱形或圆角矩形柱形。所述焊球为椭球形、矩形柱形、圆柱形或圆角矩形柱形。所述第一镀层的厚度为2～50μm，第二镀层的厚度为2～50μm。本发明所述用于小间距PoP封装结构的焊球，解决了PoP封装堆叠互连的坍塌、偏移问题，并且可以有效减小植球间距，适应电子封装的高度I/O发展需求。
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公开(公告)号：CN103904044A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410130602.9
申请日：2014-04-02
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511
Abstract: 本发明涉及一种扇出型晶圆级封装结构及制造工艺，特征是，在扇出型晶圆级封装结构制作时，采用芯片正面朝下的工艺流程，通过在载体圆片（carrierwafer）上制作金属层，然后按芯片的排列位置开通孔（或者直接将开好通孔的金属层粘在载体圆片上）；将芯片正面朝下贴放于金属层的开槽内，再进行塑封工艺。从而改变扇出型晶圆级封装（fanoutWLP）的内部结构，增强其刚性和热胀系数，使得整个晶圆（wafer）的翘曲（warpage）以及因塑封料（EMC）涨缩引起的滑移、错位（shift）得到控制；并且金属材料可起到更好的热传导及电磁屏蔽作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104485300A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410757801.2
申请日：2014-12-10
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: H01L21/67121 , H01L21/4814
Abstract: 本发明涉及一种磁性非对称型柱或核球的植球治具及植球方法，其特征是：包括托盘和吸头，托盘的上部和吸头下部分别呈开口状，托盘的下部和吸头的上部分别设置抽真空口，在托盘内固定下模，在吸头内固定上模；在所述下模和托盘的下部之间形成第一真空腔，在上模和吸头的上部之间形成第二真空腔，第一真空腔和第二真空腔分别与抽真空口连通，抽真空口分别连接真空装置；在所述下模上表面设置第一BGA点阵孔，在上模下表面设置第二BGA点阵孔，第一BGA点阵孔与第一真空腔连通，第二BGA点阵孔与第二真空腔连通，第一BGA点阵孔与第二BGA点阵孔呈上下映射；所述托盘与振动装置连接，托盘和吸头一侧分别设置电磁装置。本发明实现了非对称型柱或核球的植球，锡球或锡柱在高度方向达到使用需求，有效减小植球间距。
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公开(公告)号：CN103887251A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410131607.3
申请日：2014-04-02
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/12105 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511
Abstract: 本发明涉及一种扇出型晶圆级封装结构及制造工艺，特征是，在扇出型晶圆级封装结构制作时，采用芯片正面朝上的工艺流程，通过在载体圆片上先制作金属层，然后按芯片的排列位置开通孔（或者直接将开好槽的金属层粘在载体圆片上）；将芯片正面朝上贴放于金属层的开槽内，再进行塑封工艺。从而改变扇出型晶圆级封装的内部结构，增强其刚性和热胀系数，使得整个晶圆的翘曲以及因塑封料涨缩引起的滑移、错位得到控制；并且，金属材料可起到更好的热传导及电磁屏蔽作用。
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公开(公告)号：CN103887279B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410131896.7
申请日：2014-04-02
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/768 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种三维扇出型晶圆级封装结构及制造工艺，其特征是：采用芯片正面朝上的工艺，在载片上制作金属层，按芯片的排列位置开槽并按需要制作与其它封装单元互连的电极，改变扇出型晶圆级封装内部结构，增强刚性和热胀系数，改善整个晶圆的翘曲以及滑移、错位。塑封后在芯片正面进行重布线层制作，把芯片的焊盘进行扇出，形成第一层芯片电路。然后制作第二层芯片，重复芯片正面朝上的工艺，在第一个封装单元上表面粘贴芯片和金属层，形成与上一封装单元的连接；然后进行塑封工艺、钻孔、填充金属，再在第二层芯片上进行RDL制作；最后重复堆叠工艺形成多层芯片的堆叠，或在RDL层上制作凸点下金属层，形成完整的三维封装结构。
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公开(公告)号：CN103887291B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410131461.2
申请日：2014-04-02
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L21/98
CPC classification number: H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/18162 , H01L2224/03 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种三维扇出型PoP封装结构及制造工艺，采用芯片正面朝上的工艺，在载片上制作金属层，按芯片排列位置开槽并按需要制作与其它封装单元互连的电极。塑封后在芯片正面进行重布线层制作，把芯片的焊盘进行扇出，形成第一层芯片电路。重复芯片正面朝上的工艺制作第二层芯片，在第一个封装单元上粘贴芯片和金属层，形成与上一封装单元的连接；再进行塑封、钻孔、填充金属，在第二层芯片上进行RDL制作；重复堆叠工艺形成多层芯片的堆叠，或在RDL层上制作凸点下金属层、植球；植球后将载片去除，在第一层芯片的背面制作背面再布线层，得到封装单元，封装单元进行堆叠，形成PoP封装结构。本发明可以有效改善翘曲和塑封材料涨缩引起的滑移错位。
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公开(公告)号：CN103904057B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410129744.3
申请日：2014-04-02
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/768 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/73267 , H01L2224/94 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种PoP封装结构及制造工艺，其特征是，在扇出型封装单元制作时，采用芯片正面朝上的工艺流程，通过在载片上制作金属层，然后按芯片的排列位置开槽并且按设计需要制作与其它封装单元互连的电极，从而改变扇出型晶圆级封装的内部结构，增强其刚性和热胀系数，使得整个晶圆的翘曲以及因塑封料涨缩引起的滑移、错位得到控制。塑封以后在背面开孔，填充金属，与之前金属层形成的电极形成互连，并且金属层在去掉载片和粘胶层后在塑封材料背面露出，可制作金属焊垫。这样的封装单元可以通过封装单元背面的金属焊垫和其它封装单元连接，形成多层PoP封装结构成。
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