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公开(公告)号：CN103557853B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310505577.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/5656
Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的MEMS陀螺，硅片中设有质量块（6），它通过连接梁（1）固支于锚点7），在质量块（6）的四周对称分布着带有防撞凸点（4）的固定块（3），质量块（6）中心掏空区域设置有带防撞凸点（5）的中心固定块（2），其特征在于：所述质量块（6）上设有一组网格空腔（6a）。本发明具有如下优点：网格空腔质量块的侧壁在碰撞过程中起到了弹性过载保护面的作用，它和防撞凸点共同作用可以释放高冲击产生的高冲击力，有效保护器件敏感结构，提高了器件抗高过载能力。本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了MEMS陀螺产品的一致性和可靠性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN105293419A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510661530.5
申请日：2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种防止悬浮层刻蚀损伤的MEMS器件，其特征在于：衬底硅（3）表面设有浅腔（4）、电极（9）及电极隔离槽（5），在浅腔（4）表面设有厚度1500？-5000？的第一氧化层（6）和厚度范围500？-1500？的第二氧化层（7），可动结构层（8）键合到衬底的SOI硅片顶层硅（3）上；盖帽硅片（10）通过玻璃浆料（11）与衬底的SOI硅片顶层硅（3）键合，实现晶圆级真空封装。本发明与传统MEMS器件相比优点在于：采用台阶式二氧化硅层对下电极结构进行保护，即能很好地保护下电极结构不被刻蚀，又能避免结构层发生刻蚀反溅损伤，保证可动结构的完整性，器件结构实现方法简单、可行，便于形成标准工艺。
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公开(公告)号：CN103600287B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310589123.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/34
Abstract: 机电设备管线固定装置，其特征在于它包括：底座（1），立柱（2）、横梁（3）、锁紧螺母（4）、转子座（5）、固定销（7）、转子（8）、挂钩（9），立柱下端连接在底座上，上侧与横梁配合，锁紧螺母分别将它们固定锁紧，转子座固定在横梁的一侧，转子与转子座配合，挂钩连接在转子上。由于采用了上述技术方案，使得本发明结构简单，解决了加工过程中因管线无法固定造成的影响，具有方便加工和操作，提高工作效率等优点。
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公开(公告)号：CN104355286A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410535339.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种全硅MEMS器件，由衬底SOI硅片(17)、结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片(16)经硅硅直接键合后组成，其特征在于：结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片的顶层硅(6)采用低阻硅；盖帽SOI硅片的顶层硅(6)制成电互联线，通过键合面(5)与结构层硅进行硅硅直接键合，将该处结构层的电信号通过电互联线引出到盖帽SOI硅片中的硅电极(9)，与设置在硅电极(9)上的压焊点(3)电学连接，硅电极(9)与结构层硅硅直接键合。本发明优点在于：采用盖帽层体硅引线，避免结构层刻蚀反溅损伤；采用两次硅硅直接键合，无残余应力，硅硅直接键合气密性好，真空封装时无需额外添加吸气剂，能够有效降低成本。
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公开(公告)号：CN102998037B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210340683.6
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种介质隔离压阻式压力传感器，包括SOI硅片以及键合的下盖板（6），SOI硅片的顶层硅（5c）中设置的压敏体电阻（1）周围设有隔离介质（2a），顶层硅（5c）表面设有氧化隔离层（2），其表面设有铝电极（4）与对应的压敏体电阻（1）连接；SOI硅片的底层硅（5）中设有空腔及硅岛（5a）。本发明有效的解决了传统压阻式压力传感器灵敏度、线性度、可靠性低和电隔离差的难题，同时采用顶层硅作为压敏体电阻的厚度有效的保证了后期工艺高温环境对器件性能的影响，保证了器件性能的一致性和稳定性，采用硅硅键合等工艺，避免了新材料引入的应力，实现器件的高性能，该结构加工工艺易于控制，保证了结构加工的一致性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119178548A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411318888.3
申请日：2024-09-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 一种MEMS差压传感器芯片结构及制备方法，它包括衬底，在衬底上设有硅片，在硅片上设有压力空腔、一组隔离槽和一组压敏电阻，在硅片上还设有一组与压敏电阻对应配合的金属引线。通过在硅片上光刻、硼注入、去胶和硼扩散工艺制备压敏电阻而后通过光刻、深硅刻蚀、RIE和去胶工艺形成压力空腔和隔离槽，而后在硅片上键合衬底。本发明提供的芯片结构制备方便，结构简单，通过在敏感膜片的外周设置一组隔离槽，可消除非敏感方向的静压对差压传感器测量误差漂移的影响。
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公开(公告)号：CN118702055A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410812767.8
申请日：2024-06-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成式MEMS真空度芯片制备方法，属于微机械电子领域。该方法通过将不同结构的晶圆使用MEMS的制备工艺将压阻结构、皮拉尼结构和硅谐振片敏感结构集成在一起，利用微尺度效应，实现不同敏感结构在不同真空度气压段工作测量，即可实现低、中、高真空段的多领域真空度测量，提升了真空度传感器的量程与精度，且该集成结构采用MEMS体硅工艺制作方法，可以实现批量一体化制造。
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公开(公告)号：CN117740209A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311561066.3
申请日：2023-11-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01L1/20
Abstract: 本发明涉及一种三维异构集成的压力传感器，第一硅衬底（7）制有压敏电阻（3）阵列，第一硅衬底上制有的金属引线层（17）与压敏电阻和第一电极（1）连接，第一硅衬底制有阵列空腔（5），形成敏感膜片（4）；空腔四角设有的第一垂直引线柱（8）的上端与第一电极（1）相连、下端与金属支撑层（9）相连；第二硅衬底（12）中制有一组硅通孔（19），硅通孔四角分别设有的第二垂直引线柱（14）与金属电极（10）层连接，第二垂直引线柱与第二金属引线层（13）连接，第二金属引线层（13）与处理电路层（15）连接。本发明的有益效果是，阵列式压力传感器和处理电路通过多次垂直引线互连堆叠在一起，缩小了器件体积，提高封装密度，同时无金丝引线，提高传感器抗压力冲击能力。
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公开(公告)号：CN115709968A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211342032.0
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS敏感结构及其制备方法，它包括在硅衬底（8）上从上到下依次包括引线层（5）、绝缘层（3）、第一氧化层（1）、压敏电阻（2）、敏感膜片（9）、第二腔体（7）、第一腔体（6）和第二氧化层（11）。本发明提供的MEMS敏感结构具有开口小的优点，有效的保持了芯片小面积，降低对加工设备能力的要求，工艺简单，适用于MEMS敏感结构芯片制造。
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公开(公告)号：CN110668394B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201910793400.5
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00 , B81C3/00 , G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种抗干扰耐过载MEMS加速度计的制备方法，包括以下步骤：制备衬底层；在第二单晶硅片上制作感应电极中心锚点、感应电极左键合锚点与感应电极右键合锚点；在第一SOI硅片的顶层硅表面制作第一空腔；在第二SOI硅片的顶层硅表面制作第二空腔；制作可动敏感结构活动间隙以及可动敏感结构中心锚点；去除第一SOI硅片的衬底硅与埋氧层；形成感应电极层与可动敏感结构层；制作盖帽，进行盖帽键合，完成所述MEMS加速度计的制备；本发明方法制备得到的感应电极由硅支撑柱支撑，形成准悬浮式的感应电极结构，有效降低外界干扰对感应结构的影响，提高了传感器的环境适应性；可动敏感结构层为双层结构，进一步提高了传感器的耐过载能力。
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