公开(公告)号：CN117747445A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311569383.X

申请日：2023-11-23

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 夏俊生 ,  李波 ,  侯育增 ,  臧子昂 ,  王星鑫 ,  李文才

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/38 ,  H01L23/373 ,  H01L23/64 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/02

Abstract: 本发明提供一种高温功率模块的组装方法及其结构，它包括在壳体内依次设有散热板、氮化铝多层布线基板、半导体制冷PN结堆、成膜基板，在基板上设有元器件和功率芯片、功率电阻，在半导体制冷PN结堆外侧的壳体上设有一组引脚，元器件和功率芯片以及半导体制冷PN结堆、氮化铝多层布线基板与引脚形成电学互连。本发明通过引入半导体制冷PN结堆主动制冷散热以及其他热控措施，可显著增加功率基板、功率芯片和功率电阻的散热能力和降温效果，在整体提升组封装结构热容量和散热性能的同时，也提升了模块的集成度、保证了模块气密性封装和功率衬底组装的可靠性。

公开(公告)号：CN116344472A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211515671.2

申请日：2022-11-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 夏俊生 ,  侯育增 ,  李波 ,  臧子昂 ,  聂月萍 ,  李文才 ,  王星鑫

IPC: H01L23/427 ,  H01L23/467 ,  H01L23/367 ,  H01L21/54 ,  H01L23/488 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/49

Abstract: 本发明公开一种高温大功率混合集成装置及其封装方法，属于集成电路技术领域。该装置包括电路模块（1）和设有内腔的储热单元盒体（2），在储热单元盒体（2）表面设有凹槽（21），凹槽（21）内固定连接电路模块（1），电路模块（1）与储热单元盒体（2）接触形成热传导，储热单元盒体（2）内部设有相变储热材料组成的第一填充体（3），储热单元盒体（2）的外表面上设有隔热层（6）。本发明既有效提升了电路模块的散热能力和耐高温能力，同时又能降低电路内部元器件的温度，使得在采用额定工作温度低于环境温度的元器件和材料的情况下，电路仍然能够正常工作，从而避免了采用贵重的高温元器件和材料，整体降低了电路模块的经济成本。

公开(公告)号：CN110666269B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201910963589.8

申请日：2019-10-11

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李寿胜 ,  杨宝平 ,  夏俊生 ,  肖雷

IPC: B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  B23K1/20 ,  B23K3/08 ,  B23K101/42

Abstract: 本发明提供一种组合式共晶焊接装置及其使用方法，它包括外壳底座（1），在外壳底座（1）上设有非功率基板（2）和功率基板（3），设置与非功率基板（2）和功率基板（3）对应配合的共晶焊接压块组件（5），设置一对与共晶焊接压块组件（5）对应配合的矩形压块（10）。通过共晶焊预处理、共晶预焊、焊片放置、共晶焊等步骤对非功率基板、功率基板和外壳底座进行焊接。本发明结构简单、使用方便、可以一次性实现功率基板、非功率基板和外壳的焊接，功率芯片和功率基板的共晶焊接，简化工艺过程，提高了焊接效率，保证了焊接质量，也为后期组装提供了温度梯度方面的保证。

公开(公告)号：CN112309660A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202011024271.2

申请日：2020-09-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李波 ,  夏俊生 ,  臧子昂 ,  李文才 ,  符宏大

IPC: H01C17/065 ,  H05K1/16

Abstract: 本发明公开一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法，包括以下步骤：版图布局，侧面电阻包括三种，第一种侧面电阻仅位于基板侧面，第二种侧面电阻同时跨越基板侧面与基板上下任一表面，第三种侧面电阻同时跨越基板侧面与基板上下两个表面；光绘底片，制版，基板切割，基板清洗，通过丝网印刷工艺在基板侧面印刷电阻；在印刷好的电阻表面丝网印刷玻璃釉；激光调阻；基板背面环氧绝缘处理，得到所述厚膜混合电路基板侧面电阻；通过该方法能够在基板侧面进行电阻的制作，能有效利用混合集成电路的陶瓷基板空间，提高空间利用率，提高集成密度，给版图设计带来灵活性。

公开(公告)号：CN110690128A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910793398.1

申请日：2019-08-27

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李波 ,  夏俊生 ,  臧子昂 ,  李文才

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开一种芯片三维多面之间的键合互连方法，包括：a、在三维多面电路基板的侧边制作基片侧连PAD；基片侧连PAD作为相邻电路基板相互键合的媒介；通过基片侧连PAD，使相邻电路基板间的三维键合转化为二维键合，利用平面键合工艺即实现相邻电路基板间的键合；b、将引线柱的外圆面制作出平面，形成引线柱PAD，引线柱PAD与相对应的电路基板相平行，使引线柱与电路基板间的三维键合转化为二维键合，利用平面键合工艺即实现引线柱与相对应电路基板间的键合；本发明基于常规成熟的平面键合连线工艺，通过将三维键合转化为二维键合，实现不同维度面之间的键合互连，且不形成三维键合线弧或三维焊接线弧，提高键合质量。

公开(公告)号：CN105185749B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201510365912.3

申请日：2015-06-29

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李寿胜 ,  夏俊生 ,  肖雷 ,  侯育增 ,  褚志斌

IPC: H01L23/055 ,  H01L23/15

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种用于平行缝焊的双面封装外壳，其特征在于：包括金属密封盒（1），密封盒（1）内设置隔板（1a），隔板（1a）将密封盒（1）分割为上、下两层盒腔，每层盒腔上均设置通过平行缝焊与密封盒（1）密封焊接的金属盒盖（1b）；隔板（1a）上、下表面分别绝缘连接上、下基板（7a，7b），上、下基板（7a，7b）通过导电介质相电学连通，上、下基板（7a，7b）上连接各种电路器件（8）；密封盒（1）侧壁引出一组平直的I/O针脚（3），每个I/O针脚（3）与密封盒（1）绝缘固接，每个I/O针脚（3）与上基板（7a）或下基板（7b）电学连通。采用上述技术方案后，可以实现高可靠的双面平行缝焊气密性封装，减少封装长宽尺寸，提高封装密度。

公开(公告)号：CN106449473A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610715438.7

申请日：2016-08-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 侯育增 ,  夏俊生 ,  李寿胜 ,  臧子昂 ,  魏刚剑

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67126

Abstract: 本发明公开一种集成电路基板卸取装置，包括拆卸头，拆卸头的一端设有扁平梳齿，扁平梳齿能够与集成电路金属外壳的引线柱形成对插配合；拆卸头上铰接有推杆，推杆与扁平梳齿相互垂直；将扁平梳齿与集成电路金属外壳的引线柱形成对插，扁平梳齿抵在集成电路基板的侧边，手持推杆推动扁平梳齿即可轻松地将集成电路基板与金属外壳底座的粘接部位分离，然后再取出集成电路基板即可；由于推杆与拆卸头铰接，能够保证在操作推杆时，扁平梳齿始终与集成电路基板的侧边全接触，集成电路基板受力均匀，避免受到损伤；扁平梳齿可以很方便的进入外壳与基板间的狭窄缝隙，容易操作，能够快速完整地将集成电路基板卸取。

公开(公告)号：CN106298551A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610716655.8

申请日：2016-08-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 夏俊生 ,  李寿胜 ,  侯育增 ,  李波

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/603 ,  B23K37/00

CPC classification number: H01L21/50 ,  B23K37/00 ,  H01L24/741

Abstract: 本发明提供一种芯片焊接压块组件，其特征在于：它包括至少一组压块（1），在每个压块（1）顶部均设有榫头（1a）,在每个压块（1）底部均设有与所述榫头（1a）对应配合的插槽（1b）；设置一个稳定架（2），在稳定架（2）设有至少一个与压块1）对应配合的压块稳定环（3）。本发明结构简单、使用方便、制造成本低廉、能对焊接压力实现准确的量化控制，且还具有适用范围广、工作稳定性高等优点。

公开(公告)号：CN104283470B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410535315.6

申请日：2014-10-13

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 谢年生 ,  夏俊生 ,  房建峰 ,  张剑

IPC: H02P8/20 ,  H02P8/12 ,  H02H9/04

Abstract: 本发明公开一种压控电流源步进电机驱动装置，包括用于驱动步进电机的H桥控制单元，H桥控制单元的四个功率器件分别通过第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路与第四开关电路控制功率器件的通断；驱动装置还包括用于控制步进电机绕组电流的压控电流源电路，压控电流源电路包括运算放大器(N2)与达林顿管(Q9)，通过开关电路驱动H桥的MOS管，使H桥控制单元按序导通，实现对步进电机的转动方向的控制；通过压控电流源电路实现控制电压对流经步进电机绕组电流的控制，从而达到控制步进电机速度的目的，达林顿管工作在线性区，遏制了步进电机绕组的电压过冲现象及H桥驱动的直通现象，无需增加死区的时序控制及瞬态过压吸收电路，结构简单可靠性高。

公开(公告)号：CN106249049A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610722837.6

申请日：2016-08-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李寿胜 ,  夏俊生 ,  臧子昂 ,  姚道俊

IPC: G01R27/08 ,  H01C17/242

CPC classification number: G01R27/08 ,  H01C17/242

Abstract: 本发明提供一种提高极值厚膜电阻激光微调精度的装置，它包括探针卡（1）其特征在于：在探针卡（1）上设有电阻（2），在电阻（2）的左右两个引出端，通过导线与探针卡（1）上的焊盘（1a）、电阻测试探针（6）和探针卡前部输出端（1b）相连通。本发明结构简单、使用方便、微调精度高，可以在现有技术上直接改造，且改造成本低廉等优点。