一种激光焊接集成电路三维定位夹持装置

    公开(公告)号:CN110587158A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910816119.9

    申请日:2019-08-30

    Abstract: 本发明提供一种激光焊接集成电路三维定位夹持装置,它包括底板(1),其特征在于在底板(1)在底板(1)一侧设有壳体(2),在壳体(2)内设有电机(3),在壳体(2)上设有与电机(3)对应配合的开关(4),在所述电机(3)的输出轴伸出壳体(2),在输出轴上套接有旋转座(5),在底板(1)另一侧设有支架(6),在支架(6)上设有与旋转座(5)对应配合的锁紧装置(6)。本发明结构简单、使用方便、加持牢固,实现了多种不同尺寸多种金属圆形外壳的HIC电路在激光焊接使得的精准定位与夹持等优点。

    一种厚膜多连片一体化陶瓷基板及其制作方法

    公开(公告)号:CN116801477A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202211205257.1

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 本发明公开一种厚膜多连片一体化陶瓷基板及其制作方法,包括具有两个相垂直的定位边(2)的陶瓷基板框(1),陶瓷基板框(1)内设有一组通孔(3),每个通孔(3)内设有电路基板(4),电路基板(4)边缘通过至少两个连接部(5)与对应的通孔(3)一体化固定连接,每个电路基板(4)与每个定位边(2)均具有确定的尺寸关系;电路基板(4)为设有电子元器件的电路成型基板。本发明通过工艺边和对准符,解决印刷套准图形一致性问题。多连片结构消除单个基板多次定位的误差。在一次图形印刷时多个单片一次定位,实现单片电阻自动激光微调,通过激光微调程序,设置圆形基板间距,实现首尾衔接多连片不间断自动微调。

    一种集成电路封装结构及其组装方法

    公开(公告)号:CN114141720A

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202111479867.6

    申请日:2021-12-07

    Abstract: 本发明公开一种集成电路封装结构及其组装方法,包括金属壳体(1),金属壳体的开口槽(12)上设有阶梯口(11);金属绝缘子(2),金属绝缘子包括设有一组安装通孔(22)的纳米陶瓷铝合金基体(21),其外轮廓边缘设有台阶口(23),台阶口(23)形状与阶梯口匹配,纳米陶瓷铝合金基体表面连接三重结构氧化铝的绝缘层(24),台阶口表面和安装通孔内壁的绝缘层上连接金属化层(25);一组引脚(3),每个引脚设有凸缘(31),各引脚通过凸缘和安装通孔内壁的金属化层,与金属绝缘子密封焊接;阶梯口与台阶口连接,金属壳体与金属绝缘子密封焊接;壳体与PCB板(4)采用放射状焊接的组装方法。本发明可提高混合集成电路使用时的耐高冲击性。

    一种电压尖峰噪声无损吸收电路

    公开(公告)号:CN112383212B

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202011024227.1

    申请日:2020-09-25

    Inventor: 桑泉 陈锋 姚道俊

    Abstract: 本发明公开一种电压尖峰噪声无损吸收电路,包括二极管D1、D2、D3,电容C1、C2、C3以及电感L1,二极管D1、电感L1与二极管D2依次串联,二极管D1的阳极连接至功率开关管的漏极;电容C1的一端连接二极管D1的阴极、另一端接地;电容C2的一端连接二极管D1的阳极、另一端连接至二极管D2的阴极;二极管D3的阳极连接二极管D2的阴极、阴极连接至电源VCC,电源VCC通过电容C3接地;第一次功率开关管关断,电压尖峰通过二极管D1充电到电容C1中,C1的能量谐振转换到C2上,第二次功率开关管关断,把C2的能量转换到电源VCC端,实现了吸收能量的无损转换功能,转换效率高结构简单。

    一种混合集成电路的芯片埋置结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN119542143A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411605588.3

    申请日:2024-11-12

    Abstract: 本发明提供一种混合集成电路的芯片埋置结构及其制备方法,它包括封装基板(1),在封装基板(1)上设有埋置槽(11)和BGA焊球(2),在埋置槽(11)内连接有多层芯片互联组件(3),在多层芯片互联组件(3)上连接有AlN基片(5),在埋置槽(11)内填注导热绝缘胶(6),AlN基片(5)通过金丝球键合实现与封装基板导体之间的电学连接。本发明提供的制备方式采用多层芯片互联组件内埋结构,明显提升了芯片埋置电路的集成效率、功能密度以及集成封装的散热能力,充分利用了内部结构空间,提升了高密度集成水平和封装可靠性。

    一种编程测试多连片基板通孔通断的方法

    公开(公告)号:CN114167259A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202111479869.5

    申请日:2021-12-07

    Abstract: 本发明涉及一种编程测试多连片基板通孔通断的方法,包括以下步骤:S1、根据待测基板的版图中金属化孔之间对应的导通关系,制作相匹配的测孔专用的探针卡;S2、根据待测基板的版图中金属化孔之间对应的导通关系,以金属化孔之间阻值测试的原理,进行程序编写;S3、待测基板及探针卡安装完毕后,在激光调阻系统中运行程序进行测试,利用程序实时监控输出电阻值,自动判定测试结果并予以提醒,工作台连片跳动,逐片完成自动测试。本发明能够实现低成本、短时间内一次性完成基板通孔的通断检测,通过显示通断参数的相关数据内容,方便产品失效原因分析和后续工艺改进。

    一种方形外壳侧面激光焊接工装及焊接方法

    公开(公告)号:CN117697131A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311569384.4

    申请日:2023-11-23

    Abstract: 本发明公开一种方形外壳侧面激光焊接工装及焊接方法,它包括底台(1)、第一立板(2)、第二立板(3)、在第一立板(2)上设有与待焊接的方形外壳(4)对应配合的槽体(2a),在底台(1)上设有滑块(5),在滑块(5)上设有一组与待焊接的工件底座(6)对应配合插孔(7),第二立板(3))上穿设有螺纹连接的螺杆(8),螺杆(8)的一端通过轴承与滑块(5)连接。通过上述工装夹持待焊接的方形外壳对其工件底座,通过转工装对方形外壳对其工件底座三边进行焊接。本发明结构简单,使用方便,提高产品可靠性和焊接质量问题。

    一种混合电路柱状陶瓷基片的自动摆料装置

    公开(公告)号:CN112399715A

    公开(公告)日:2021-02-23

    申请号:CN202011023867.0

    申请日:2020-09-25

    Abstract: 本发明涉及一种混合电路柱状陶瓷基片的自动摆料装置,包括陶瓷基片放置板(5),其上有均布矩形摆料孔(5b),箱体(1)内连接的振动器固定板(7)上依次连接环形垫板(3)及金属真空板(6),金属真空板上设有与矩形摆料孔(5b)对应的矩形吸附孔(6b);振动器固定板下面连接气动震动器(8),它通过压缩空气管接头(9)连接压缩机,箱体(1)上的真空管接头(10)连接真空泵;振动器固定板(7)上的通孔(4)将金属真空板与振动器固定板(7)之间的空间与箱体下部空间联通。本发明的有益效果:1.减少网印电路的加工周期时间,提高加工质量一致性,降低了摆放陶瓷基片劳动强度;2.避免了手拿基片,而沾污基片的不规范操作,保证基片表面干净。

    一种电压尖峰噪声无损吸收电路

    公开(公告)号:CN112383212A

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN202011024227.1

    申请日:2020-09-25

    Inventor: 桑泉 陈锋 姚道俊

    Abstract: 本发明公开一种电压尖峰噪声无损吸收电路,包括二极管D1、D2、D3,电容C1、C2、C3以及电感L1,二极管D1、电感L1与二极管D2依次串联,二极管D1的阳极连接至功率开关管的漏极;电容C1的一端连接二极管D1的阴极、另一端接地;电容C2的一端连接二极管D1的阳极、另一端连接至二极管D2的阴极;二极管D3的阳极连接二极管D2的阴极、阴极连接至电源VCC,电源VCC通过电容C3接地;第一次功率开关管关断,电压尖峰通过二极管D1充电到电容C1中,C1的能量谐振转换到C2上,第二次功率开关管关断,把C2的能量转换到电源VCC端,实现了吸收能量的无损转换功能,转换效率高结构简单。

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