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公开(公告)号:CN118969740A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202410989733.6
申请日:2024-07-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种叠层衬底器件结构及组装方法,属于半导体技术领域。该器件结构包括具有支撑底面的外壳,外壳内设有至少两个衬底,其中一个衬底固定连接在支撑底面上,所述外壳侧壁设有至少一个支撑平台,每个支撑平台上固定连接有一个对应的衬底,使该组衬底沿竖向相间隔设置;该组衬底通过引线形成电通路连接,引线的自由端部穿出所述外壳。本发明通过在外壳侧壁上设置支撑平台,利用第一、第二绝缘胶体充分将外壳与对应衬底连接加固,提供一种具有高密度、高耐高过载能力的叠层衬底器件结构,同时该器件的组装方法,利用绝缘胶实现衬底连接固定,整体操作便捷,制成成本较低。
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公开(公告)号:CN117276101A
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202311328668.4
申请日:2023-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种外引线建合互连方法,其特征在于:它包括:a、在基板表面焊接键合丝的一端形成第一键合点;b、拉动键合丝转缠绕引线柱至少1圈,使得键合丝与引线柱外壁接触;c、而后将键合丝另端焊接在基板表面形成第二键合点。本发明了采用常规键合工艺,具有工艺简单、可靠性高,无需助焊剂,具有绿色、简洁等优点。
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公开(公告)号:CN115753595A
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202211341063.4
申请日:2022-10-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01N19/04
Abstract: 本发明公开一种芯片剪切强度快速判定装置及方法,包括数据输入模组和数据处理模组,数据输入模组接收参数数据;数据处理模组包括粘结面积处理模块、多个判别模块,粘结面积处理模块对粘结尺寸参数进行处理获得有效粘结面积,并基于有效粘结面积将参数数据分类至各判别模块,判别模块基于有效粘结面积和剪切残留面积的比值计算最小标准剪切强度,通过最小标准剪切强度和实际剪切强度的比较获得剪切强度是否合格的检测结果;本发明提供的芯片剪切强度快速判定装置方法,通过软件数据处理的方式,自动、快速、准确地判定其粘接/焊接是否满足GJB548B‑2005方法2019.2规定的标准,提供合格与否判定,而不需要逐一查阅相关标准说明和测量曲线,判定方式简单、便捷。
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公开(公告)号:CN106158716A
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201510206887.4
申请日:2015-04-28
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6838
Abstract: 本发明涉及一种电子器件多头吸嘴装置,其特征在于:包括一个内部空腔的柱型管支架(1),柱型管支架(1)的一端设有一个吸嘴安装底座(2),在所述底座(2)的下端面上均布一组安装孔(2a),每个安装孔(2a)均与对应的所述柱型管支架(1)的内部空腔连通,在至少一个安装孔(2a)上配合安装一个内部带通孔的吸嘴(3),每个吸嘴(3)的通孔均与对应的所述安装孔(2a)连通,在其它的每个安装孔(2a)中分别配合安装一个密封堵头(4)。本发明的优点:本发明保证了吸附力强度,避免了芯片在吸片到放片的运转过程中偏移、倾斜,增加了粘片效率和精度,具有通用性。
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公开(公告)号:CN104959279A
公开(公告)日:2015-10-07
申请号:CN201510380413.1
申请日:2015-07-02
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种搅拌式气压点胶阀,包括阀体,阀体顶部设有端盖、底部设有点胶针,端盖上设有与阀体连通的进气管,所述阀体外壁设有与阀体连通的出气管;所述端盖底部设有竖直伸入阀体的吊杆,吊杆底端设有风车,风车的风叶能够在阀体内水平旋转,风车的转轴底端设有竖直的旋转杆,旋转杆上沿轴向设有一组交错分布的搅拌杆,搅拌杆相对于旋转杆以倾斜方式设置;所述点胶阀还包括与出气管形成配合的堵头;搅拌时,拿出堵头,使从进气管进入阀体的压缩气从出气管排出,从而形成气流,使风车旋转,进而使旋转杆带动搅拌杆旋转,对阀体内的胶剂起到搅拌作用,本发明结构简单,无需拆卸点胶阀就可根据需要实现对胶剂的搅拌,搅拌均匀,提高了工作效率。
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公开(公告)号:CN114141720A
公开(公告)日:2022-03-04
申请号:CN202111479867.6
申请日:2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L23/053 , H01L23/055 , H01L23/10 , H01L21/50 , H01L21/52
Abstract: 本发明公开一种集成电路封装结构及其组装方法,包括金属壳体(1),金属壳体的开口槽(12)上设有阶梯口(11);金属绝缘子(2),金属绝缘子包括设有一组安装通孔(22)的纳米陶瓷铝合金基体(21),其外轮廓边缘设有台阶口(23),台阶口(23)形状与阶梯口匹配,纳米陶瓷铝合金基体表面连接三重结构氧化铝的绝缘层(24),台阶口表面和安装通孔内壁的绝缘层上连接金属化层(25);一组引脚(3),每个引脚设有凸缘(31),各引脚通过凸缘和安装通孔内壁的金属化层,与金属绝缘子密封焊接;阶梯口与台阶口连接,金属壳体与金属绝缘子密封焊接;壳体与PCB板(4)采用放射状焊接的组装方法。本发明可提高混合集成电路使用时的耐高冲击性。
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公开(公告)号:CN114141633A
公开(公告)日:2022-03-04
申请号:CN202111479273.5
申请日:2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种耐高冲击混合电路三维组装方法,步骤1:根据混合电路三维结构制作对应的周侧基板和顶侧基板,基板间待连接处设有相匹配的凸块和槽孔,完成每个基板成膜、粘片、键合工艺;步骤2:周侧基板通过凸块和槽孔相互连接成矩形框形的组合基板,管壳底座上设有个矩形体的安装座,组合基板背面与安装座周面连接,顶侧基板与周侧基板通过凸块和槽孔连接成整体,顶侧基板背面与安装座顶面连接,凸块和槽孔配合处的相关面设有电学连接点;步骤3:对应的电学连接点焊接,最后将引线柱与周侧基板通过引线键合互连,完成混合电路三维组装。本发明可低成本、快捷、高效地完成引线组装,方便集成电路后续维修返工,实现集成电路的耐高冲击性。
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公开(公告)号:CN110690128B
公开(公告)日:2021-11-02
申请号:CN201910793398.1
申请日:2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种芯片三维多面之间的键合互连方法,包括:a、在三维多面电路基板的侧边制作基片侧连PAD;基片侧连PAD作为相邻电路基板相互键合的媒介;通过基片侧连PAD,使相邻电路基板间的三维键合转化为二维键合,利用平面键合工艺即实现相邻电路基板间的键合;b、将引线柱的外圆面制作出平面,形成引线柱PAD,引线柱PAD与相对应的电路基板相平行,使引线柱与电路基板间的三维键合转化为二维键合,利用平面键合工艺即实现引线柱与相对应电路基板间的键合;本发明基于常规成熟的平面键合连线工艺,通过将三维键合转化为二维键合,实现不同维度面之间的键合互连,且不形成三维键合线弧或三维焊接线弧,提高键合质量。
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公开(公告)号:CN110676236B
公开(公告)日:2021-06-25
申请号:CN201910793434.4
申请日:2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开一种厚膜功率混合集成电路,包括上盖、外壳底座以及位于外壳底座内的陶瓷基板与功率芯片,陶瓷基板底面焊接于外壳底座的内底面;外壳底座内还设有呈梯形台状的铜热沉块,铜热沉块竖直嵌设于陶瓷基板与外壳底座的内底面;铜热沉块的上表面设有上田字形沟槽,上田字形沟槽一侧为芯片背电极引出端焊接区,铜热沉块的下表面设有下田字形沟槽;所述功率芯片焊接于铜热沉块的上表面;铜热沉块的下表面与外壳底座内表面之间焊接有氮化铝过渡片;设置铜热沉块作为散热媒介,对于大功率芯片可有效提升热容量和散热性能;将铜热沉块设置成梯形台状,以满足功率芯片辐射状散热要求,可有效提升热沉的散热能力。
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公开(公告)号:CN110676236A
公开(公告)日:2020-01-10
申请号:CN201910793434.4
申请日:2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开一种厚膜功率混合集成电路,包括上盖、外壳底座以及位于外壳底座内的陶瓷基板与功率芯片,陶瓷基板底面焊接于外壳底座的内底面;外壳底座内还设有呈梯形台状的铜热沉块,铜热沉块竖直嵌设于陶瓷基板与外壳底座的内底面;铜热沉块的上表面设有上田字形沟槽,上田字形沟槽一侧为芯片背电极引出端焊接区,铜热沉块的下表面设有下田字形沟槽;所述功率芯片焊接于铜热沉块的上表面;铜热沉块的下表面与外壳底座内表面之间焊接有氮化铝过渡片;设置铜热沉块作为散热媒介,对于大功率芯片可有效提升热容量和散热性能;将铜热沉块设置成梯形台状,以满足功率芯片辐射状散热要求,可有效提升热沉的散热能力。
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