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公开(公告)号：CN1794583B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200510131707.7
申请日：2005-12-13
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H03K17/687 , H03K17/00
CPC classification number: H01L27/0605 , H01L27/0251
Abstract: 一种化合物半导体开关电路装置，在开关MMIC中，为提高静电击穿电压，有将控制电阻靠近共通输入端子焊盘配置，并利用焊盘的周边杂质区域连接保护元件的情况。但是，当输入到共通输入端子焊盘上的高频模拟信号泄漏到控制电阻上，而到达控制端子焊盘上时，存在插入损耗增大的问题。在控制端子焊盘的附近，从控制端子焊盘到保护元件之间的控制电阻上连接高电阻体。由此，即使高频模拟信号泄漏到控制电阻上，也可以通过高电阻体将其衰减。因此，实质上高频模拟信号不会传递到控制端子焊盘上，可抑制插入损耗的增大。
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公开(公告)号：CN1794584B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200510136182.6
申请日：2005-12-20
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 浅野哲郎
IPC: H03K17/687 , H03K17/00
CPC classification number: H01L21/8252 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L29/7785 , H03K17/693
Abstract: 一种化合物半导体开关电路装置，在开关MMIC中，具有为提高静电击穿电压，将控制电阻靠近共通输入端子焊盘及输出端子焊盘而配置，并利用焊盘的周边杂质区域连接保护元件的情况。但是，由于电阻值低的控制电阻和保护元件的寄生电容而产生高频信号的通路，存在绝缘劣化的问题。在与开关元件接近的保护元件间、及相邻的保护元件间的控制电阻上连接高电阻体。即使遮断高频信号的通路，并连接保护元件而存在寄生电容，也可以防止高频信号的泄漏。因此，可提高静电击穿电压，且可抑制绝缘的劣化。
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公开(公告)号：CN100470846C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN02152936.1
申请日：2002-09-25
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/872
CPC classification number: H01L29/66143 , H01L24/05 , H01L29/872 , H01L2224/04042 , H01L2224/45144 , H01L2224/4847 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管及其制造方法。该方法通过在阳极键合接点下设置绝缘区域，可以将阳极键合接点直接固定在衬底上。而不象现有技术那样在键合接点下设置用于防止破裂的聚酰亚胺层，通过镀金来形成键合接点。另外，在键合接点下几乎没有寄生电容的同时，层间绝缘膜可以用氮化膜来代替，所以成本降低。此外，还可简化制造流程，没有键合时的应力造成的破裂、剥落。
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公开(公告)号：CN100466170C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN02140905.6
申请日：2002-07-09
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/302 , H01L21/78 , H01L29/80
CPC classification number: H01L21/3043 , H01L29/045
Abstract: 以前，将晶片的取向面以的方向形成，在和取向面垂直、水平方向上进行切割时，在切断时大多产生表面缺陷，所以存在半导体元件收率低，以低切割速度生产，不能提高生产效率等问题。使用相对于的方向，以45度交叉形成取向面而排列各芯片的掩膜，在晶片上形成图案。相对于的方向，以45度方向进行切割，可大幅度减少表面缺陷。由此，能缩小切割道的宽度，缩小芯片尺寸，提高晶片收率，由于切割速度很快，所以也提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN100338773C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200410002904.4
申请日：2004-01-20
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0288 , B82Y30/00 , H01L51/426 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2924/12032 , H01L2924/00
Abstract: 一种开关电路装置，以往由于未实施提高静电击穿电压的对策，故FET的栅极肖脱基结的两端导出到外部的共通输入端子IN-控制端子Ctl-1间、共通输入端子IN-控制端子Ctl-2间及控制端子Ctl-1-输出端子OUT1间、控制端子Ctl-2-输出端子OUT2间存在静电击穿抵抗力弱的问题。在芯片上设置两个连接在一个控制端子上的电极焊盘，并通过和共通输入端子焊盘IN、输出端子焊盘O1、O2接近配置来连接保护元件。可使输出端子OUT1-控制端子Ctl-1间、共通输入端子IN-控制端子Ctl-1间、输出端子OUT2-控制端子Ctl-2间、共通输入端子IN-控制端子Ctl-2间施加的静电能各自同程度且最有效地衰减。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1314131C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN02127231.X
申请日：2002-07-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/328
Abstract: 一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前由于有台面蚀刻或厚聚酰亚胺层等，所以芯片小型化无进展且电极间有距离不能提高特性。而且制造方法上肖特基结部分的蚀刻控制有困难。本发明能实现化合物半导体的平面型肖特基势垒二极管。通过在基板表面设InGaP层、设n+型离子注入区域，不再需要设台面及聚酰亚胺层。由于能把电极间距离接近，所以实现了芯片缩小，高频特性也提高了。而且形成肖特基电极时不蚀刻GaAs，所以能制造再现性良好的肖特基势垒二极管。
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公开(公告)号：CN1282240C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN02154029.2
申请日：2002-12-06
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0605 , H01L2224/05554 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15173 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置。将一根导线在芯片下环绕其他图形延伸，芯片固定在图形上，将输入端子用电极座连接在从芯片露出的导线上。由此，实现在CSP的组件内RF信号路径实质交叉的电路，实现在用户侧安装时装置的小型化，但由于高频信号路径通过芯片之下，所以绝缘恶化。在芯片与在芯片之下环绕的RF信号路的重叠部分，设置构成高频GND电位的导电图形，屏蔽高频信号。
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公开(公告)号：CN1272836C
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN02127232.8
申请日：2002-07-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/328 , H01L29/872
Abstract: 一种肖特基势垒二极管的制造方法。目前，在形成肖特基结部分时需要非常精密的蚀刻控制，再现性差，高频特性不稳定。本发明的肖特基势垒二极管的制造方法可提供一种不需复杂的蚀刻控制、再现性好且稳定的肖特基势垒二极管。在基板表面上层积InGaP层，蒸镀Pt/Ti/Pt/Au之后，利用热处理将Pt埋入InGaP层，与GaAs界面形成肖特基结。
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公开(公告)号：CN1794584A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510136182.6
申请日：2005-12-20
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 浅野哲郎
IPC: H03K17/687 , H03K17/00
CPC classification number: H01L21/8252 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L29/7785 , H03K17/693
Abstract: 一种化合物半导体开关电路装置，在开关MMIC中，具有为提高静电击穿电压，将控制电阻靠近共通输入端子焊盘及输出端子焊盘而配置，并利用焊盘的周边杂质区域连接保护元件的情况。但是，由于电阻值低的控制电阻和保护元件的寄生电容而产生高频信号的通路，存在绝缘劣化的问题。在与开关元件接近的保护元件间、及相邻的保护元件间的控制电阻上连接高电阻体。即使遮断高频信号的通路，并连接保护元件而存在寄生电容，也可以防止高频信号的泄漏。因此，可提高静电击穿电压，且可抑制绝缘的劣化。
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公开(公告)号：CN1747182A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510077880.3
申请日：2005-06-13
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 浅野哲郎
IPC: H01L29/80
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L27/0605 , H01L29/7785 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/48644 , H01L2224/48666 , H01L2224/48669 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/12032 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/01032 , H01L2924/00
Abstract: 一种化合物半导体装置及其制造方法，以往在化合物半导体装置中，在焊盘电极下设有栅极金属层，但在采用埋入栅极电极结构的情况下，焊盘电极下层的栅极金属层硬化，引线接合时多有不良产生。本发明的化合物半导体装置在HEMT中不设置栅极金属层，仅由焊盘金属层形成焊盘电极。焊盘电极下方设置高浓度杂质区域，将焊盘电极直接固定在衬底上。由于可利用高浓度杂质区域确保规定的绝缘，故由不要和现有同样的氮化膜的结构，可进一步避免栅极金属层硬化造成的引线接合时的不良。因此，即使是提高HEMT特性的埋入栅极电极结构，也可以实现可靠性的提高及成品率的提高。
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