Invention Grant
CN1272836C 肖特基势垒二极管的制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 肖特基势垒二极管的制造方法
- Patent Title (English): Manufacture of Schottky-barrier diode
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Application No.: CN02127232.8Application Date: 2002-07-29
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Publication No.: CN1272836CPublication Date: 2006-08-30
- Inventor: 浅野哲郎 , 小野田克明 , 中岛好史 , 村井成行 , 冨永久昭 , 平田耕一 , 榊原干人 , 石原秀俊
- Applicant: 三洋电机株式会社
- Applicant Address: 日本大阪府
- Assignee: 三洋电机株式会社
- Current Assignee: 三洋电机株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪府
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 杨梧; 马高平
- Priority: 228048/01 2001.07.27 JP
- Main IPC: H01L21/328
- IPC: H01L21/328 ; H01L29/872
Abstract:
一种肖特基势垒二极管的制造方法。目前，在形成肖特基结部分时需要非常精密的蚀刻控制，再现性差，高频特性不稳定。本发明的肖特基势垒二极管的制造方法可提供一种不需复杂的蚀刻控制、再现性好且稳定的肖特基势垒二极管。在基板表面上层积InGaP层，蒸镀Pt/Ti/Pt/Au之后，利用热处理将Pt埋入InGaP层，与GaAs界面形成肖特基结。
Public/Granted literature
- CN1400641A 肖特基势垒二极管的制造方法 Public/Granted day:2003-03-05
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IPC分类:
