肖特基势垒二极管及其制造方法

Invention Grant

CN100470846C 肖特基势垒二极管及其制造方法失效 - 权利终止

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Patent Title: 肖特基势垒二极管及其制造方法
Patent Title (English): Schottky-barrier diode and its producing method
Application No.: CN02152936.1

Application Date: 2002-09-25
Publication No.: CN100470846C

Publication Date: 2009-03-18
Inventor: 浅野哲郎 , 小野田克明 , 中岛好史 , 村井成行 , 冨永久昭 , 平田耕一 , 榊原干人 , 石原秀俊
Applicant: 三洋电机株式会社
Applicant Address: 日本大阪府
Assignee: 三洋电机株式会社
Current Assignee: 三洋电机株式会社
Current Assignee Address: 日本大阪府
Agency: 北京市柳沈律师事务所
Agent 杨梧; 马高平
Priority: 290756/01 2001.09.25 JP
Main IPC: H01L29/872
IPC: H01L29/872

Abstract:

本发明提供一种肖特基势垒二极管及其制造方法。该方法通过在阳极键合接点下设置绝缘区域，可以将阳极键合接点直接固定在衬底上。而不象现有技术那样在键合接点下设置用于防止破裂的聚酰亚胺层，通过镀金来形成键合接点。另外，在键合接点下几乎没有寄生电容的同时，层间绝缘膜可以用氮化膜来代替，所以成本降低。此外，还可简化制造流程，没有键合时的应力造成的破裂、剥落。

Public/Granted literature

CN1409409A 肖特基势垒二极管及其制造方法 Public/Granted day:2003-04-09

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/86	..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/861	...二极管
H01L29/872	....肖特基二极管