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公开(公告)号：CN115863235A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211098595.X
申请日：2022-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供光学设备和对准检查光学设备。光学设备包括：折叠镜，其被配置为将第一照明光和第二照明光分别引导在第一对准标记和第二对准标记上并且分别在不同的水平方向上反射从第一对准标记和第二对准标记反射的第一反射光和第二反射光；第一透镜和第二透镜分别布置在从折叠镜的第一反射表面和第二反射表面反射的第一反射光和第二反射光的光路中；第一反射部分和第二反射部分，其被配置为分别反射穿过第一透镜和第二透镜的第一反射光和第二反射光；和分束器棱镜，其被配置为将通过第一表面入射的照明光划分成第一照明光和第二照明光并引导到第一反射部分和第二反射部分，并通过第二表面透射第一反射部分和第二反射部分反射的第一反射光和第二反射光。
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公开(公告)号：CN112310096A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010756111.0
申请日：2020-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：衬底，其具有导电区和绝缘区；栅电极，其包括子栅电极和栅极连接件，所述子栅电极彼此间隔开并且在垂直于衬底的上表面的第一方向上堆叠并且在垂直于第一方向的第二方向上延伸，所述栅极连接件连接设置在同一水平上的子栅电极；沟道结构，其穿透栅电极，并且在衬底的导电区中延伸；以及第一伪沟道结构，其穿透栅电极并且在衬底的绝缘区中延伸，并且被设置为在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上邻近于栅极连接件的至少一侧。
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公开(公告)号：CN119451122A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410961577.2
申请日：2024-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。该半导体器件包括第一半导体结构和在第一半导体结构上的第二半导体结构，第一半导体结构包括基板、电路元件和电路互连线。第二半导体结构包括：板层；第一栅电极，在第一方向上堆叠在板层上并彼此间隔开；分隔区，穿透第一栅电极并在第二方向上延伸；第一沟道结构，在第三方向上与分隔区间隔开，穿透第一栅电极，并在第一方向上延伸；以及虚设结构，接触分隔区、穿透第一栅电极，并在第一方向上延伸。第一沟道结构和虚设结构在平面图中分别具有圆形形状，分隔区与虚设结构的相应侧表面的至少部分接触。
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公开(公告)号：CN119451114A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410287743.5
申请日：2024-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及三维(3D)半导体存储器件和包括其的电子系统。示例3D半导体存储器件包括：外围电路结构，所述外围电路结构位于外围基板上；堆叠结构，所述堆叠结构包括堆叠在所述外围电路结构上的多个栅电极；n掺杂图案，所述n掺杂图案位于所述堆叠结构上；竖直结构，所述竖直结构穿过所述堆叠结构延伸到所述n掺杂图案中；p掺杂图案，所述p掺杂图案位于所述n掺杂图案上；以及未掺杂图案，所述未掺杂图案位于所述n掺杂图案和所述p掺杂图案之间。所述p掺杂图案包括：p掺杂水平图案，所述p掺杂水平图案位于所述未掺杂图案上；以及p掺杂竖直图案，所述p掺杂竖直图案延伸穿过所述未掺杂图案和所述n掺杂图案并且与所述竖直结构接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110828370B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201910378795.2
申请日：2019-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：下布线；层间绝缘膜，位于下布线上方并包括具有第一密度的第一部分和位于第一部分上的第二部分，第一部分和第二部分具有相同的材料，第二部分具有小于第一密度的第二密度；上布线，位于层间绝缘膜的第二部分中；以及通路，至少部分地位于层间绝缘膜的第一部分中，通路连接上布线和下布线。
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公开(公告)号：CN118042840A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311494645.0
申请日：2023-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了3D半导体存储器装置和包括其的电子系统。该3D半导体存储器装置包括第一衬底、位于第一衬底上的外围电路结构和位于外围电路结构上的单元阵列结构。该单元阵列结构包括第二衬底、位于第二衬底和外围电路结构之间并且包括层间电介质层和与层间电介质层交替地堆叠的导电图案的堆叠结构、包括堆叠结构中的相应部分并且分别包括竖直半导体图案的竖直沟道结构、以及包括第二衬底中的相应部分并且连接至竖直半导体图案的相应顶表面的连接过孔件。
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公开(公告)号：CN117917927A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202310796557.X
申请日：2023-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了三维半导体存储器装置和包括其的电子系统。所述三维半导体存储器装置可以包括外围结构和位于外围结构上的单元结构。单元结构可以包括：基底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；堆叠体，包括堆叠在基底的第一表面上的栅电极；绝缘层，位于基底的第二表面上；穿透接触插塞，穿透基底的第一表面；第一间隙填充导电图案，设置为穿透基底的第二表面和绝缘层，并且与穿透接触插塞间隔开；第二间隙填充导电图案，设置为穿透基底的第二表面和绝缘层，并且连接到穿透接触插塞；第一间隙填充间隔件，位于第一间隙填充导电图案与基底之间；以及第二间隙填充间隔件，位于第二间隙填充导电图案与基底之间。
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公开(公告)号：CN117746948A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311204582.0
申请日：2023-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体器件和包括该半导体器件的电子系统，该半导体器件包括：外围电路结构，包括多个电路区；单元阵列结构，包括一对存储单元块，所述一对存储单元块在第一方向上与外围电路结构重叠，并且在垂直于第一方向的第二方向上间隔开，外围电路连接区在其间，其中所述多个电路区中的第一电路区在第一方向上与外围电路连接区重叠；以及至少一个接触插塞，从外围电路连接区在第一方向上延伸，并且包括第一端部和第二端部，第一端部配置为连接到包括在第一电路区中的至少一个电路并且面对第一电路区，第二端部配置为连接到外部连接端子。
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公开(公告)号：CN117672309A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311028190.3
申请日：2023-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06 , H01L21/768 , H10B41/40
Abstract: 提供了一种具有改进的裂纹检测可靠性的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：字线，在第一方向上延伸；单元接触插塞，电连接到字线并在与第一方向相交的第二方向上延伸；网状裂纹检测电路，在字线上且不与字线接触；以及环形裂纹检测电路，在字线上且不与字线接触，其中，网状裂纹检测电路电连接到外围电路区域中的裂纹检测晶体管，环形裂纹检测电路包括在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸的第一裂纹检测金属布线、以及在第三方向延伸的第二裂纹检测金属布线。
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