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公开(公告)号：CN115917766A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180042491.4
申请日：2021-06-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
IPC: H01L31/18 , H01L33/22 , H01L21/02 , H01L21/338 , H01L29/812
Abstract: 本发明是一种接合型半导体元件，其为将外延层以及与该外延层为不同材料的支撑基板接合而成，其特征在于，所述外延层以及所述支撑基板中的任一方在接合面具有由以任意点为中心呈放射状扩展的凹部或凸部构成的放射状图案。由此，能提供一种接合型半导体元件，其能抑制温度的上升、下降所致的剥离或损坏的发生。
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公开(公告)号：CN115867509A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202180046661.6
申请日：2021-05-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B82Y40/00
Abstract: 本发明是一种量子计算机用半导体装置的制造方法，量子计算机用半导体装置具备：半导体基板、在所述半导体基板上形成的量子计算机用元件、以及在所述半导体基板上形成且连接于所述量子计算机用元件的周边电路，量子计算机用半导体装置作为量子计算机使用，量子计算机用半导体装置的制造方法的特征在于，包含以下工序：在所述半导体基板上形成所述量子计算机用元件以及所述周边电路；通过向所述半导体基板中的至少量子计算机用元件形成部以及周边电路形成部照射粒子束，从而使半导体基板中的载流子惰性化。由此，提供一种能够制造3HD特性优异的量子计算机用半导体装置的、量子计算机用半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN111052330B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201880055612.7
申请日：2018-08-20
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明为一种硅晶圆的评价方法，其特征在于，其包含：预先对所述硅晶圆进行表面缺陷测定的预表面缺陷测定工序；对所述硅晶圆交替地重复利用臭氧水的氧化处理、及在不完全去除形成于所述硅晶圆表面的氧化膜的条件下利用氢氟酸的氧化膜去除处理的清洗工序；及对该清洗工序后的所述硅晶圆进行表面缺陷测定，测定相对于所述预表面缺陷测定工序中测定的缺陷而增加的增加缺陷的增加缺陷测定工序，该评价方法中，交替地重复所述清洗工序与所述增加缺陷测定工序多次，基于各清洗工序后的所述增加缺陷的测定结果来评价所述硅晶圆。由此，提供一种硅晶圆的评价方法，该评价方法能够仅对排除了起因于结晶的缺陷及在清洗等中产生的颗粒等的、起因于抛光等加工的缺陷进行评价。
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公开(公告)号：CN115720542A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202180044828.5
申请日：2021-05-24
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/24
Abstract: 本发明涉及一种单面抛光装置，其具有：具有真空吸附用的沟槽的底部平台；通过真空吸附固定的可拆装的抛光平台；抛光垫；及保持晶圆的抛光头，使保持于抛光头的晶圆的表面与抛光垫滑动接触而进行抛光，所述单面抛光装置中，抛光垫通过依次层叠抛光晶圆的表面的抛光层、第一粘着层、PET片层、第二粘着层、弹性层及用以贴附于抛光平台的第三粘着层而成，且抛光垫的压缩率为16％以上。由此，提供一种单面抛光装置，其在晶圆的单面抛光(特别是在使用真空吸附式的可拆装的抛光平台的单面抛光)中，可抑制晶圆的NT质量在抛光后恶化。
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公开(公告)号：CN109891553B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201780062555.0
申请日：2017-09-15
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 铃木克佳
IPC: H01L21/265 , H01L21/20
Abstract: 本发明为一种装置形成方法，于单晶硅基板离子注入掺杂物而形成扩散层，并通过激光退火活化扩散层，其中在作为该单晶硅基板而使用该扩散层形成区域的氧浓度未满5ppma的情况下，于通过激光退火活化扩散层之前，进行将该扩散层形成区域的氧浓度予以控制在5ppma以上的步骤。如此一来可提供一种装置形成方法，即便是在扩散层形成区域的氧浓度低的情况下，也能简便地通过激光退火提升掺杂物的活化程度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115668458A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180035510.0
申请日：2021-03-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B7/04 , B24B37/005
Abstract: 本发明是一种基板晶圆的制造方法，包含如下步骤：准备具有第一主面及第二主面的晶圆；在第二主面上形成平坦化树脂层；将平坦化树脂层作为基准面而吸附保持，在该状态下，作为第一加工，对第一主面进行研削或研磨；从晶圆去除平坦化树脂层；将经第一加工的第一主面吸附保持，在该状态下，作为第二加工，对第二主面进行研削或研磨；将经第二加工的第二主面吸附保持，在该状态下，作为第三加工，对第一主面进一步进行研削或研磨；以及将经第三加工的第一主面吸附保持，在该状态下，作为第四加工，对第二主面进一步进行研削或研磨，获得基板晶圆；在第一加工和/或第三加工中，以使晶圆具有中凹状或中凸状的厚度分布的方式进行加工。由此，能够提供一种可制造具有翘曲且纳米形貌良好的基板晶圆的基板晶圆的制造方法。
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公开(公告)号：CN112313369B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN201980040591.6
申请日：2019-05-29
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明的碳化硅单晶生长装置具备：生长容器，其由粘接有晶种基板的生长容器盖体和收纳晶种基板及碳化硅原料的生长容器主体构成；隔热容器，其包围生长容器；温度测量器，其通过设置于隔热容器的温度测量用孔，以测量生长容器内的温度；以及加热器，其加热碳化硅原料，通过升华法使碳化硅原料加热而升华，使碳化硅单晶在晶种基板上生长，其特征在于，生长容器盖体仅在生长容器盖体的晶种基板的粘接区域内形成有贯穿生长容器盖体的图案。由此，提供能够抑制贯穿螺型位错、基面位错及贯穿刃型位错的产生的碳化硅单晶生长装置及制造方法。
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公开(公告)号：CN115362534A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180026701.0
申请日：2021-02-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B37/00 , B24B49/04
Abstract: 本发明是一种晶圆的研磨方法，其一边连续供给包含水的研磨用组合物，一边将晶圆压抵于研磨布而进行修正研磨，以修正进行过研磨的研磨晶圆的形状，其特征在于，包含以下工序：测量进行所述修正研磨前的所述研磨晶圆的形状；根据该测量出的研磨晶圆的形状，确定在所述研磨用组合物中包含的表面活性剂的种类及浓度；以及一边供给基于该确定的表面活性剂的种类及浓度而调整过的所述研磨用组合物，一边进行所述修正研磨。由此，提供一种能够在后段的研磨工序中减少在前段的研磨工序产生的晶圆的形状的偏差的晶圆的研磨方法及研磨装置。
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公开(公告)号：CN112334608B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201980039589.7
申请日：2019-05-13
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 竹野博
IPC: C30B33/04 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/322 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法，其中进行准备单晶硅基板的准备工序、粒子束照射工序及粒子束照射工序后的热处理工序，所述控制方法的特征在于，在进行准备工序之前，具有预先对试验用单晶硅基板照射粒子束后进行热处理并测定产生的缺陷密度的测定工序、以及取得所测定的缺陷密度与氮浓度的相关关系的相关关系取得工序，并基于已取得的相关关系，以使热处理工序后的单晶硅基板中的缺陷密度成为目标值的方式调节准备的单晶硅基板的氮浓度。由此提供一种在利用粒子束照射与热处理控制缺陷密度的器件的制造工序中，能够减小起因于单晶硅基板的缺陷密度的偏差，以高精度控制缺陷密度的单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法。
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