公开(公告)号：CN101114592B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200710138312.9

申请日：2007-07-27

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 关克行 ,  铃木彰 ,  龟山工次郎 ,  及川贵弘

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76898 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/0494

Abstract: 本发明提供一种生产效率高且可靠性和合格品率高的半导体装置及其制造方法。进行半导体衬底(1)的背面磨削(背研磨)，把半导体装置减薄。然后在该阶段不进行把由背面磨削产生的损伤层(7)除去而有选择地在半导体衬底的背面形成抗蚀剂层(8)。然后，以抗蚀剂层(8)作为掩模蚀刻半导体衬底(1)，形成通路孔(9)。然后保持将半导体衬底(1)配置在该蚀刻工序所利用的蚀刻装置内的状态，把形成通路孔(9)和除去抗蚀剂层(8)连续进行。这样，把蚀刻工序和其后的灰化工序以一个处理装置连续进行。然后，把半导体衬底(1)背面的损伤层(7)除去和把通路孔(9)内壁面平坦化的工序也以与上述灰化工序同一装置连续进行。

公开(公告)号：CN101499439B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200910004854.6

申请日：2009-01-21

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 岛田聪 ,  武田安弘 ,  大竹诚治

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/31 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L21/2652 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其具备：第一工序，在半导体衬底上形成抑制杂质注入引起的缺陷增加的缺陷抑制膜；第二工序，通过从缺陷抑制膜上注入杂质而在半导体衬底表面形成元件活性区域；第三工序，除去缺陷抑制膜；第四工序，将抑制元件活性区域的界面准位上升的界面准位抑制膜形成于元件活性区域上。

公开(公告)号：CN101464610B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200810177436.2

申请日：2008-11-27

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 山田恭久 ,  田下裕树

IPC: G03B5/00 ,  H04N5/225

CPC classification number: G03B5/00

Abstract: 本发明提供一种能够进行振动检测元件的异常判定处理的振动修正控制电路。具备：至少一个模拟/数字变换电路(20)，将来自对摄像装置的振动进行检测的振动检测元件(106)的输出信号、及来自对光学部件的位置进行检测的位置检测元件(102)的输出信号变换为数字信号；和逻辑电路，根据由模拟/数字变换电路(20)数字化后的振动检测元件(106)的输出信号、和由模拟/数字变换电路(20)数字化后的位置检测元件(102)的输出信号，生成用于驱动光学部件的控制信号；根据由模拟/数字变换电路(20)变换为数字信号的、来自振动检测元件(106)的输出信号的振幅，进行振动检测元件(106)的异常判定。

公开(公告)号：CN101939851B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200880104502.1

申请日：2008-08-28

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋电机民用电子株式会社

Inventor： 高草木贞道 ,  本池达也 ,  松本章寿

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/351 ,  H01L2933/0058 ,  H05K1/021 ,  H05K1/056 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种能够提高散热性、且能提高用于密封发光元件的密封树脂与其他构件的密合性的发光组件以及其制造方法。发光组件(10)包括：金属基板(12)；凹部(18)，通过使金属基板(12)的一部分上表面成为凹状而形成该凹部(18)；发光元件(20)，其收纳在凹部(18)中；密封树脂(32)，其用于覆盖发光元件(20)。另外，在环绕凹部(18)的区域中的那部分金属基板(40)的上表面上设有凸状部(11)，通过使密封树脂(32)与该凸状部(11)紧密接触，能够提高密封树脂(32)与金属基板(12)的密合强度。

公开(公告)号：CN101930933B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200910179607.X

申请日：2009-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 吉羽茂治 ,  福田浩和

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种能够抑制树脂密封时岛移动的半导体装置的制造方法。灌封模具(30)由上模(32)和下模(34)构成，通过使两者抵接而构成模腔(36A)等以及浇道(38)。在下模(34)中设置供给口，将由固态的树脂构成的板收纳供给口(42)并加热熔化之后，通过柱塞加压熔化的密封树脂而将密封树脂供给到各模腔。具体地，从供给口(42)供给的密封树脂的流动的上游侧，按照模腔(36A)、(36B)、(36C)、(36D)、(36E)的顺序，从供给口(42)供给液状的密封树脂。各模腔通过浇道(38)连通。而且，连通模腔(36A)和模腔(36B)的浇道(38)相对于供给密封树脂(16)的路径倾斜地设置。

公开(公告)号：CN101364026B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200810128883.9

申请日：2008-06-24

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 平山秀树

IPC: G03B5/00 ,  G02B27/64

CPC classification number: H04N5/23248

Abstract: 本发明提供一种防振控制电路，其根据摄像装置所具备的振动检测元件输出的信号，对使摄像装置所具备的光学部件移动的光学部件驱动元件进行控制，该防振控制电路包括：高通滤波器，其除去振动检测元件输出的信号的低频成分；移动量计算电路，其根据高通滤波器输出的信号，计算摄像装置的移动量；和伺服电路，其根据移动量计算电路的输出信号，生成补偿光学部件的位置的补偿信号并向光学部件驱动元件输出，移动量计算电路构成为包括数字滤波电路和寄存器，数字滤波器根据存储在寄存器内的滤波器系数进行滤波处理。因此，可以提供一种不使用CPU即可计算摄像装置的移动量，在降低耗电的同时获得抑制了手抖动的影像的高画面质量的视频信号的防振控制电路。

公开(公告)号：CN101661954B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200910166648.5

申请日：2009-08-24

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 高桥和也

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/73 ,  H01L24/06 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/732 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置。在具有两层电极结构的分立式双极型晶体管中，在第二层基极电极下方配置第一层发射极电极及基极电极。相比第二层电极，第一层电极厚度薄。自第二基极电极下方的动作区域(发射极区域)经由第一层发射极电极而流向第二层发射极电极的电流路径，相比电流向大致正上方被拾取的第二发射极电极下方的电流路径，电阻增高，由此存在芯片内的电流密度不均匀的问题。本发明的半导体装置将第一基极电极及第一发射极电极全部形成为长条状并交替平行配置，相比第二基极电极的面积，扩展第二发射极电极的面积。由此，因自发射极区域经由第一发射极电极向大致正上方一直被拾取到第二发射极电极的电流路径增加，故可避免芯片整体电流密度不均匀。

公开(公告)号：CN101290920B

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200710136914.0

申请日：2007-07-23

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 漆畑博可

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83205

Abstract: 一种半导体装置，小型且防止引线接合时的引线的变形。半导体装置(10A)具备：岛(11)、安装于岛(11)下面的半导体元件(13)、接近岛(11)设置的引线(20C、20F)、将这些构成要素一体密封的密封树脂(23)。另外，在本发明的半导体装置(10A)中，半导体元件(13)的电极(19A)等与邻接未设置自岛(11)连续的引线(20B)等的侧边的引线连接。

公开(公告)号：CN101655396B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200910166250.1

申请日：2009-08-20

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 长谷川和男

IPC: G01K7/01

CPC classification number: G01K7/01

Abstract: 本发明提供一种能够选择性地得到具有任意的温度系数的电压并能够容易地将这些温度系数的交叉点设定为规定温度的温度传感器电路。作为基本构成要素具备按照消除表现在电阻上的电压的正的温度系数与成二极管连接的双极性晶体管的基极发射极间电压的负的温度系数的方式构成的带隙基准电压电路的低电压动作恒定电压电路中，将所述电阻与所述双极性晶体管分离为晶体管/电阻串联电路、晶体管/二极管串联电路。设置：各自的输入端子分别与所述双极性晶体管的集电极连接的第一缓冲电路和第二缓冲电路，还设置有连接在第一缓冲电路的输出端与第二缓冲电路的输出端之间并构成为对两输出端之间的电压进行分压来获得温度系数不同的任意的电压的分压电路。

公开(公告)号：CN101398333B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200810147567.6

申请日：2008-08-28

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 仁木雅 ,  植木敬次郎

IPC: G01K7/01 ,  G01K7/16 ,  G01K1/20

Abstract: 一种温度检测电路，得到不容易受元件偏差的影响的温度补偿电路。准备两组二极管连接晶体管(Q1、Q2)和电阻(R1、R2)的串联连接，使其顺序相反，对它们流通来自电源的电流。由此，从各组二极管连接晶体管(Q1、Q2)和电阻(R1、R2)的连接点取出与温度相关的电压(V1、V2)。然后，通过包含晶体管(Q7、Q8)、电阻(R4)的差动放大器对取出的电压(V1)和(V2)的差进行放大，得到作为与电压(V1)和(V2)的差相应的电流的一个方向的输出电流(I3)。