公开(公告)号：CN100587132C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200610093660.4

申请日：2002-04-09

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 元木健作 ,  上野昌纪

IPC分类号： C30B29/38 ,  C30B31/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L33/00

CPC分类号： C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

摘要： 本发明提供一种可以收取氧作为n型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法。该法采用在表面(上面)具有C面以外的面的种晶，在供给含镓原料、氮原料和掺杂必要的含氧的原料气的同时，保持C面以外的表面，使氮化镓结晶进行气相成长，通过该表面，在氮化镓结晶中掺杂氧。或者，使用表面上具有C面的种晶，在供给镓原料、氮原料和掺杂必需的含氧原料气的同时，使产生C面以外的小平面，在保住该小平面的同时使氮化镓结晶以c轴方向进行气相成长，通过小平面，在氮化镓结晶中掺杂氧。

公开(公告)号：CN101562205A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910141087.3

申请日：2003-07-08

申请人： 库纳诺公司

发明人： 拉尔斯·伊瓦尔·塞缪尔森 ,  约纳斯·比约恩·奥尔松

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/102 ,  H01L27/144

CPC分类号： H01L31/035227 ,  C30B11/00 ,  C30B11/12 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/882 ,  H01L31/048 ,  H01L31/068 ,  H01L33/04 ,  Y02E10/547 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/763

摘要： 本发明涉及一种光电装置，其包括：设有接点区的衬底；至少一个从所述接点区延伸的纳米晶须，所述纳米晶须形成至少部分的用于光吸收的p－n结；在每个晶须的自由端上延伸并与其电接触的透明电极。本发明还提出一种包括如上所述的光电装置的太阳能电池，其中所述光电装置适于将阳光转变为电力。此外，本发明还提出一种包括如上所述的光电装置的光电探测器，其中所述光电装置适于探测辐射。

公开(公告)号：CN101467238A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780017272.0

申请日：2007-05-04

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 阿里·阿夫扎里-阿达卡尼 ,  谢丽·R·卡根 ,  劳拉·L·科斯巴

IPC分类号： H01L21/336 ,  B82B3/00

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C30B25/00 ,  C30B29/02 ,  C30B29/60 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/84 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/932 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/938

摘要： 本发明涉及一种形成碳纳米材料或者半导体纳米材料的方法。该方法包括：提供基底和将分子前体附着到该基底上。该分子前体包含用于附着到该基底上的表面结合基团和用于附着含金属物质的结合基团。该含金属物质选自金属阳离子、金属化合物、或者金属或金属氧化物纳米颗粒以形成金属化的分子前体。然后该金属化的分子前体经受热处理以提供催化部位，该碳纳米材料或者半导体纳米材料从该催化部位形成。该金属化的分子前体的加热在适合于该碳纳米材料或者半导体纳米材料的化学气相沉积的条件下进行。

公开(公告)号：CN101443488A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200780016871.0

申请日：2007-05-04

申请人： 弗赖贝格化合物原料有限公司

发明人： G·莱比格 ,  F·哈贝尔 ,  S·艾希勒

IPC分类号： C30B25/16 ,  C30B29/40

CPC分类号： C30B25/16 ,  C30B25/00 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： 本发明描述一种制备Ⅲ－N体晶的方法，其中，Ⅲ代表选自元素周期表Ⅲ族中的至少一种元素，选自Al，Ga和In，其中，Ⅲ－N体晶通过气相外延在衬底上生长，并且其中生长速率是即时测量的。通过原位，即在外延生长过程中，主动测量和控制生长速率，可以将实际生长速率保持在基本恒定。由此，可以获得在生长方向上以及在与生长方向垂直的生长平面内分别具有优异晶体质量的Ⅲ－N体晶以及从上面分离的单个的Ⅲ－N单晶衬底。

公开(公告)号：CN100337910C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200510033948.8

申请日：2005-03-31

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 姜开利 ,  范守善

IPC分类号： C01B31/02 ,  B82B3/00

CPC分类号： C23C16/26 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  C23C16/0281 ,  C30B25/00 ,  C30B29/02 ,  C30B29/605

摘要： 一种碳纳米管阵列的生长方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底的一表面形成有一催化剂层；将上述基底设置于一反应炉内；往反应炉内通入载气气体，并加热使得反应炉达到一预定温度；往反应炉内通入碳源气和氢气，该氢气通过一通气装置直接通入到基底附近；反应预定时间，在基底上生长得到碳纳米管阵列。

公开(公告)号：CN1853006A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200380107266.6

申请日：2003-11-21

申请人： 赛得里姆显示器公司

发明人： 康盛球 ,  克雷格·贝

IPC分类号： C30B29/04 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B25/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B29/605 ,  C30B33/12 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/844 ,  Y10S977/845

摘要： 使用等离子体化学淀积方法在基材表面上形成碳纳米管。在纳米管已经生长以后，在新近形成的纳米管结构上实施处理步骤。该后处理可从生长的纳米管的壁上除去石墨及其他碳粒子控制纳米管层的厚度。在相同基材温度下，用等离子体实施后处理。对于该后处理，含氢气体用作等离子体源气体。在从纳米管生长停止转变到后处理步骤期间，等离子体处理室中的压力用上述纯化气体稳定，而不关闭该室中的等离子体。这消除了清除和抽空该等离子体处理室的需要。

公开(公告)号：CN1711648A

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN200380102776.4

申请日：2003-10-23

申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人： E·P·A·M·巴克斯 ,  A·R·巴肯恩德 ,  L·F·菲纳

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/208

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/12 ,  C30B25/00 ,  C30B29/605 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02653 ,  H01L33/18 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052

摘要： InP或者其它II－VI或者III－V材料的化合物纳米管表现出非常大的蓝移。因此，通过引入这种纳米管提供在电磁频谱的可见光范围中具有光致发光和电致发光效应的器件。

公开(公告)号：CN1344336A

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN99811961.X

申请日：1999-10-08

申请人： 克里公司

发明人： C·E·亨特

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B23/00 ,  C30B29/40

CPC分类号： C30B25/00 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38

摘要： 采用在许多成核点沉积Al、Si、N、C的适当蒸汽物质制备了低缺陷浓度、低杂质的氮化铝、碳化硅及氮化铝:碳化硅合金块状单晶,这些成核点是择优冷却至低于晶体生长室内周围表面温度的。通过升华固态材料、汽化液态Al、Si或Al－Si、或注入源气体来提供蒸汽物质。这些许多成核点可能未引种或者采用籽晶如4H或6HSiC进行经引种的。

公开(公告)号：CN1079716A

公开(公告)日：1993-12-22

申请号：CN93106788.X

申请日：1993-06-02

申请人： 住友化学工业株式会社

发明人： 毛利正英 ,  内田义男 ,  泽边佳成 ,  渡边尚

IPC分类号： C01F7/02

CPC分类号： C01F7/442 ,  C01F7/02 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/30 ,  C01P2004/40 ,  C01P2004/42 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/60 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/80 ,  C30B25/00 ,  C30B29/20

摘要： 本发明粉状高纯度α-氧化铝质均，粒细，内无结晶种，粒度分布窄，由无凝集粒子的8面以上多面体形状，与六方格子面平行和垂直的粒径D与H之比D/H0.5以上，3.0以下的单结晶粒子构成，其数均粒径超过5μm，30μm以下，含钠量以Na2O计不足0.05重量％，纯度99.90重量％，工业上可作研磨，烧结体，等离子体喷镀，填充，单结晶，催化剂载体，荧光体，密封，陶瓷过滤器，钇铝回丝(YAG)，蓝宝石，红宝石及高纯度烧结体用原料。

公开(公告)号：CN109183145A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201811375515.4

申请日：2018-11-19

申请人： 绍兴文理学院

发明人： 窦卫东

IPC分类号： C30B25/00 ,  C30B29/02 ,  C30B29/54 ,  C30B23/00

CPC分类号： C30B25/00 ,  C30B23/00 ,  C30B29/02 ,  C30B29/54

摘要： 一种在石墨烯基底上制备酞菁铁单晶薄膜的方法，属于有机半导体技术领域。本发明通过化学气相沉积法在晶面为(111)的单晶镍片上制备单层单晶石墨烯，从而得到镍基石墨烯基底，然后在镍基石墨烯基底上利用热沉积法制备酞菁铁单晶薄膜，将酞菁铁单晶薄膜沉积到镍基石墨烯基底的表面。本发明实现了酞菁铁分子沿特定方向生长，形成具有纳米线状形貌的有机纳米晶畴，且酞菁铁分子以平躺形式分布在镍基石墨烯基底上，形成结构有序的单晶薄膜；本发明利用金属镍与石墨烯之间的电子耦合、以及该电子耦合体系与铁原子非闭合壳层d电子之间的相互作用，并通过选择合适的沉积速率制备出具有纳米线状形貌的酞菁铁晶畴。