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形成碳纳米管的方法
摘要:
使用等离子体化学淀积方法在基材表面上形成碳纳米管。在纳米管已经生长以后,在新近形成的纳米管结构上实施处理步骤。该后处理可从生长的纳米管的壁上除去石墨及其他碳粒子控制纳米管层的厚度。在相同基材温度下,用等离子体实施后处理。对于该后处理,含氢气体用作等离子体源气体。在从纳米管生长停止转变到后处理步骤期间,等离子体处理室中的压力用上述纯化气体稳定,而不关闭该室中的等离子体。这消除了清除和抽空该等离子体处理室的需要。
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