• 专利标题: 一种在石墨烯基底上制备酞菁铁单晶薄膜的方法
  • 专利标题(英): Method for preparing iron phthalocyanine monocrystal thin film on graphene substrate
  • 申请号: CN201811375515.4
    申请日: 2018-11-19
  • 公开(公告)号: CN109183145A
    公开(公告)日: 2019-01-11
  • 发明人: 窦卫东
  • 申请人: 绍兴文理学院
  • 申请人地址: 浙江省绍兴市城南大道900号数理信息学院
  • 专利权人: 绍兴文理学院
  • 当前专利权人: 绍兴文理学院
  • 当前专利权人地址: 浙江省绍兴市城南大道900号数理信息学院
  • 代理机构: 浙江永鼎律师事务所
  • 代理商 陆永强
  • 主分类号: C30B25/00
  • IPC分类号: C30B25/00 C30B29/02 C30B29/54 C30B23/00
一种在石墨烯基底上制备酞菁铁单晶薄膜的方法
摘要:
一种在石墨烯基底上制备酞菁铁单晶薄膜的方法,属于有机半导体技术领域。本发明通过化学气相沉积法在晶面为(111)的单晶镍片上制备单层单晶石墨烯,从而得到镍基石墨烯基底,然后在镍基石墨烯基底上利用热沉积法制备酞菁铁单晶薄膜,将酞菁铁单晶薄膜沉积到镍基石墨烯基底的表面。本发明实现了酞菁铁分子沿特定方向生长,形成具有纳米线状形貌的有机纳米晶畴,且酞菁铁分子以平躺形式分布在镍基石墨烯基底上,形成结构有序的单晶薄膜;本发明利用金属镍与石墨烯之间的电子耦合、以及该电子耦合体系与铁原子非闭合壳层d电子之间的相互作用,并通过选择合适的沉积速率制备出具有纳米线状形貌的酞菁铁晶畴。
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