公开(公告)号：CN100440443C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN03825518.9

申请日：2003-09-11

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  福满宪志 ,  内山直己 ,  杉浦隆二

IPC: H01L21/301 ,  B28D5/00 ,  B23K26/38 ,  B23K101/40

CPC classification number: H01L21/2633 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D1/221 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过发生多光子吸收在硅晶片(11)内部由熔融处理区域(13)形成预定切断部(9)后，使贴附在硅晶片(11)上的粘接薄片(20)扩张。因此，沿预定切断部(9)高精度地将硅晶片(11)切断成半导体芯片(25)。这时，因为邻接的半导体芯片(25、25)的相对向的切断面(25a、25a)从粘附的状态分离，所以芯片接合树脂层(23)也沿预定切断部(9)切断。因此，与不切断基材(21)地用刀片切断硅晶片(11)和芯片接合树脂层(23)的情形比较，可以效率远高得多地切断硅晶片(11)和芯片接合树脂层(23)。

公开(公告)号：CN101057318A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200580038895.7

申请日：2005-11-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  杉浦隆二

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/40

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  B28D5/0052 ,  C03B33/074 ,  C03B33/091

Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，在将具备有衬底和含功能元件且形成在衬底表面的层压部的加工对象物切断时，可以特别高精度地切断层压部。在将保护胶带(22)粘贴在层压部(16)的表面(16a)上的状态下，将衬底(4)的背面(4b)作为激光入射面而照射激光(L)，由此沿着切断预定线而在衬底(4)的内部形成改质区域(7)，并产生从改质区域(7)的表面侧端部(7a)起到达衬底(4)的表面(4a)的龟裂(24)。并且，在产生这样的龟裂(24)的状态下，将扩张胶带粘贴在衬底(4)的背面(4b)并使其扩张时，不仅可将衬底(4)，而且可将切断预定线上的层压部(16)，即层间绝缘膜(17a，17b)，沿着切断预定线精度良好地切断。

公开(公告)号：CN102405124B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201080017585.8

申请日：2010-03-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 杉浦隆二

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/046 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D1/221 ,  B28D5/0011

Abstract: 通过使聚光点对准加工对象物(1)的内部、沿着切断预定线(5a)照射激光(L)，而形成改质区域(7a)。其后，通过沿着切断预定线(5a)再度照射激光(L)，在加工对象物(1)中在表面(3)与第1改质区域(7a)之间形成改质区域(7b)，并且，产生从改质区域(7b)到表面(3)的龟裂(Cb)。因此，能够使加工对象物(1)在形成改质区域(7a)时所产生的弯曲的力(F1)，利用龟裂(Cb)而解除并相抵消。其结果，能够抑制加工对象物(1)的弯曲。

公开(公告)号：CN102554462B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201210032963.0

申请日：2007-07-03

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 杉浦隆二 ,  坂本刚志

IPC: B23K26/402 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/53 ,  H01L21/78 ,  C03B33/02

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  C03B33/0222

Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，其能够进行沿着切割预定线的加工对象物的高精度的切割。通过将聚焦点对准硅晶片(11)的内部在加工对象物(1)上照射激光，并使聚焦点沿着切割预定线(5)相对移动，由此，沿着切割预定线(5)分别形成位于加工对象物(1)的内部的改质区域(M1)、(M2)之后，在加工对象物(1)的内部形成位于改质区域(M1)和改质区域(M2)之间的改质区域(M3)。

公开(公告)号：CN101369554A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810161873.5

申请日：2003-09-11

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  福满宪志 ,  内山直己 ,  杉浦隆二

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  B28D5/00 ,  B28D1/22 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K26/08 ,  B23K101/40

CPC classification number: H01L21/2633 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D1/221 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过发生多光子吸收在硅晶片(11)内部由熔融处理区域(13)形成预定切断部(9)后，使贴附在硅晶片(11)上的粘接薄片(20)扩张。因此，沿预定切断部(9)高精度地将硅晶片(11)切断成半导体芯片(25)。这时，因为邻接的半导体芯片(25、25)的相对向的切断面(25a、25a)从粘附的状态分离，所以芯片接合树脂层(23)也沿预定切断部(9)切断。因此，与不切断基材(21)地用刀片切断硅晶片(11)和芯片接合树脂层(23)的情形比较，可以效率远高得多地切断硅晶片(11)和芯片接合树脂层(23)。

公开(公告)号：CN100407377C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200480026066.2

申请日：2004-09-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福满宪志 ,  福世文嗣 ,  内山直己 ,  杉浦隆二 ,  渥美一弘

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/00

CPC classification number: B23K26/0884 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011

Abstract: 提供一种半导体基板的切断方法，可将表面形成有功能元件的半导体基板连同芯片粘贴树脂层一起有效率地切断。把表面(3)形成有功能元件(15)的晶片(11)的背面(17)作为激光入射面，汇聚聚光点(P)而对晶片(11)的内部照射激光，由此产生多光子吸收并沿着切断预定线(5)而在晶片(11)的内部形成由熔融处理区域(13)所产生的切断起点区域(8)。利用此、自然地或者以比较小的力而产生以切断起点区域(8)为起点的裂缝，并可使所述裂缝到达表面(3)和背面(17)。因此，在切断起点区域(8)形成后，在晶片(11)的背面(17)隔着芯片粘贴树脂层(23)贴附上扩张薄膜(21)，当使扩张薄膜(21)扩张时，可沿着切断预定线(5)将晶片(11)及芯片粘贴树脂层(23)切断。

公开(公告)号：CN101227999A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200680026864.4

申请日：2006-09-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 筬岛哲也 ,  杉浦隆二 ,  渥美一弘

IPC: B23K26/40 ,  B23K26/00 ,  B23K26/073 ,  B28D5/00 ,  B23K101/40

CPC classification number: B28D5/00 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/78

Abstract: 在该激光加工方法中，使聚光点(P)上的激光(L)的截面形状为，垂直于切断预定线(5)的方向的最大长度比平行于切断预定线(5)的方向的最大长度短的形状。因此，形成在硅晶片(11)的内部的改质区域(7)的形状，由激光(L)的入射方向观看，则为垂直于切断预定绒(5)的方向的最大长度比平行于切断预定线(5)的方向的最大长度短的形状。在加工对象物(1)的内部形成具有上述形状的改质区域(7)，则在以改质区域(7)为切断的起点切断加工对象物(1)之际，可抑制在切断面出现扭梳纹，可提升切断面的平坦度。

公开(公告)号：CN101057317A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200580038894.2

申请日：2005-11-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 杉浦隆二 ,  坂本刚志

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/40

CPC classification number: B28D5/0011 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50

Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，将形成有包含多个功能元件的层压部的衬底加以切断的时，特别地能够进行层压部的高精度的切断。在将保护胶带(22)粘贴在层压部(16)的表面(16a)后的状态下，将衬底(4)的背面(4b)作为激光入射面来照射激光(L)，由此使改质区域(7)沿着切断预定线而形成于衬底(4)的内部，并产生从改质区域(7)的表面侧端部(7a)起到达衬底(4)的表面(4a)的龟裂(24)。然后，在产生这样的龟裂(24)的状态下，将扩张胶带粘贴在衬底(4)的背面(4b)并使其扩张时，不仅可将衬底(4)而且可将切断预定线上的层压部(16)，即层间绝缘膜(17a，17b)，沿着切断预定线精度良好地切断。

公开(公告)号：CN1849699A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200480026066.2

申请日：2004-09-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福满宪志 ,  福世文嗣 ,  内山直己 ,  杉浦隆二 ,  渥美一弘

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/00

CPC classification number: B23K26/0884 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011

Abstract: 提供一种半导体基板的切断方法，可将表面形成有功能元件的半导体基板连同芯片粘贴树脂层一起有效率地切断。把表面(3)形成有功能元件(15)的晶片(11)的背面(17)作为激光入射面，汇聚聚光点(P)而对晶片(11)的内部照射激光，由此产生多光子吸收并沿着切断预定线(5)而在晶片(11)的内部形成由熔融处理区域(13)所产生的切断起点区域(8)。利用此、自然地或者以比较小的力而产生以切断起点区域(8)为起点的裂缝，并可使所述裂缝到达表面(3)和背面(17)。因此，在切断起点区域(8)形成后，在晶片(11)的背面(17)隔着芯片粘贴树脂层(23)贴附上扩张薄膜(21)，当使扩张薄膜(21)扩张时，可沿着切断预定线(5)将晶片(11)及芯片粘贴树脂层(23)切断。

公开(公告)号：CN1703770A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN03825518.9

申请日：2003-09-11

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  福满宪志 ,  内山直己 ,  杉浦隆二

IPC: H01L21/301 ,  B28D5/00 ,  B23K26/38 ,  B23K101

CPC classification number: H01L21/2633 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D1/221 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过发生多光子吸收在硅晶片(11)内部由熔融处理区域(13)形成预定切断部(9)后，使贴附在硅晶片(11)上的粘接薄片(20)扩张。因此，沿预定切断部(9)高精度地将硅晶片(11)切断成半导体芯片(25)。这时，因为邻接的半导体芯片(25、25)的相对向的切断面(25a、25a)从粘附的状态分离，所以芯片接合树脂层(23)也沿预定切断部(9)切断。因此，与不切断基材(21)地用刀片切断硅晶片(11)和芯片接合树脂层(23)的情形比较，可以效率远高得多地切断硅晶片(11)和芯片接合树脂层(23)。