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公开(公告)号：CN108140723A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680060519.6
申请日：2016-11-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/187 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/257 , H01L41/316 , H03H9/17 , H04R17/02 , H04R31/00
CPC classification number: H04R17/02 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/187 , H01L41/257 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/02574 , H03H9/173 , H03H9/174 , H04R17/10 , H04R31/00
Abstract: 本发明提供能够高精度地进行相邻的压电体层的极化轴方向的控制的双压电晶片型的压电元件。本发明涉及的压电元件(1)具备：第一压电体层(4)，在厚度方向具有第一极化轴方向(P1)，并且由AlN构成；第二压电体层(5)，堆积在第一压电体层(4)上，具有与第一极化轴方向(P1)相反方向的第二极化轴方向(P2)，并且由GeAlN构成；第一电极(3a)，设置于第一压电体层(4)的与第二压电体层(5)侧相反的一侧；以及第二电极(3b)，设置于第二压电体层(5)的与第一压电体层(4)侧相反的一侧。
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公开(公告)号：CN105379115A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480026919.6
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21
Abstract: 本发明提供一种不导致k2Q的降低地增大静电电容，并可降低谐振电阻的振动装置。振动装置(1)的在Y方向上延伸的2N根(N是2以上的整数)音叉臂(3)～(6)在X方向上并排，在设置有2N根音叉臂(3)～(6)的区域中，相对于通过X方向中心且在Y方向上延伸的虚拟线A，一侧的N根音叉臂(3)、(4)的弯曲振动的相位与另一侧的N根音叉臂(6)、(5)的弯曲振动的相位对称。
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公开(公告)号：CN108140723B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201680060519.6
申请日：2016-11-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/187 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/257 , H01L41/316 , H03H9/17 , H04R17/02 , H04R31/00
Abstract: 本发明提供能够高精度地进行相邻的压电体层的极化轴方向的控制的双压电晶片型的压电元件。本发明涉及的压电元件(1)具备：第一压电体层(4)，在厚度方向具有第一极化轴方向(P1)，并且由AlN构成；第二压电体层(5)，堆积在第一压电体层(4)上，具有与第一极化轴方向(P1)相反方向的第二极化轴方向(P2)，并且由GeAlN构成；第一电极(3a)，设置于第一压电体层(4)的与第二压电体层(5)侧相反的一侧；以及第二电极(3b)，设置于第二压电体层(5)的与第一压电体层(4)侧相反的一侧。
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公开(公告)号：CN111264031A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201880068819.8
申请日：2018-11-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够减少产品高度的增加并且将振动空间保持为真空的谐振装置。上述谐振装置具备MEMS设备和CMOS设备，上述MEMS设备具有：谐振子，具有下部电极、上部电极以及形成于下部电极与上部电极之间的压电膜；上盖，与谐振子的上部电极对置而设置；以及下盖，与谐振子的下部电极对置而设置、并设置为与上盖一起密封谐振子，上述CMOS设备安装于上盖和下盖之中任一个盖的与朝向谐振子的一侧相反侧的面，CMOS设备具有CMOS层、和在该CMOS层的与朝向谐振子的一侧相反侧的面所设置的保护层，上盖和下盖之中的与CMOS设备接合的盖具有将该CMOS设备与谐振子电连接的贯通电极。
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公开(公告)号：CN106062238B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201580011354.9
申请日：2015-03-02
Applicant: 株式会社村田制作所 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C23C14/06 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/27 , H01L41/316 , H01L41/39 , H03H3/02 , H03H9/17
CPC classification number: H01L41/18 , C04B35/581 , C04B35/62218 , C04B2235/3865 , C04B2235/40 , C23C14/0042 , C23C14/0617 , C23C14/0641 , C23C14/14 , C23C14/3435 , C23C14/3464 , G10K9/125 , H01L41/0805 , H01L41/081 , H01L41/0831 , H01L41/0973 , H01L41/187 , H01L41/27 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/588 , H03H2003/023
Abstract: 本发明提供一种氮化铝压电薄膜及其制造方法、压电材、压电部件。可得出呈氮极性且量产性优越的氮化铝压电薄膜。提供使含有锗的氮化铝压电薄膜(3)以及在基材(2)上通过溅射而含有锗的氮化铝压电薄膜生长的氮化铝压电薄膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN105765751B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201480064741.4
申请日：2014-11-20
Applicant: 株式会社村田制作所 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L41/187 , C23C14/34 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/17 , H04R17/02
CPC classification number: H01L41/183 , C23C14/0036 , C23C14/3414 , C23C14/3464 , C23C16/34 , H01L41/187 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/17 , H04R17/02 , H04R2307/027
Abstract: 本发明提供一种由含有钪以外的廉价元素且压电常数得到提高的氮化铝构成的压电薄膜。所述压电薄膜是由含有镁和铌的氮化铝构成的压电薄膜，其中，相对于上述镁100原子％，含有上述铌31～120原子％，上述镁和铌的合计含量相对于上述镁、铌及铝的含量的总和在10～67原子％的范围。
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公开(公告)号：CN105379115B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201480026919.6
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21
Abstract: 本发明提供一种不导致k2Q的降低地增大静电电容，并可降低谐振电阻的振动装置。振动装置(1)的在Y方向上延伸的2N根(N是2以上的整数)音叉臂(3)～(6)在X方向上并排，在设置有2N根音叉臂(3)～(6)的区域中，相对于通过X方向中心且在Y方向上延伸的虚拟线A，一侧的N根音叉臂(3)、(4)的弯曲振动的相位与另一侧的N根音叉臂(6)、(5)的弯曲振动的相位对称。
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